微波加热装置
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107846743A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201711034868.3

    申请日:2017-10-30

    CPC classification number: H05B6/642

    Abstract: 本发明公开了一种微波加热装置,包括:外壳体;内壳体,所述内壳体具有加热室,所述内壳体位于所述外壳体内,且所述内壳体的外表面与所述外壳体的内表面限定出冷却腔室;适于对所述加热室加热的加热组件,所述加热组件位于所述冷却腔室内;供冷却介质流动的冷却通道,所述冷却通道设于所述冷却腔室内,所述冷却通道的部分靠近所述加热组件。根据本发明的微波加热装置,散热效果好、内部空间利用率高、噪音小、效率高。

    散热组件、半导体加热装置和半导体烹饪器具

    公开(公告)号:CN107785338A

    公开(公告)日:2018-03-09

    申请号:CN201711243969.1

    申请日:2017-11-30

    Inventor: 邓洋 刘建伟 孙宁

    CPC classification number: H01L23/367 H01L23/467

    Abstract: 本发明公开了一种半散热组件、半导体加热装置和半导体烹饪器具,半导体加热装置的散热组件包括:散热基板;晶体管,晶体管设在散热基板上;导热管,导热管具有第一端和第二端,第二端设在散热基板上且邻近晶体管设置,第一端伸出散热基板的外边沿;第一翅片组件,第一翅片组件设在第一端上且第一翅片组件内形成第一风道;第二翅片组件,第二翅片组件设在散热基板上且与散热基板共同限定出第二风道;第一风机,第一风机设在第一风道内;第二风机,第二风机设在第二风道内。根据本发明实施例的半导体加热装置的散热组件具有散热均匀、散热效果好等优点。

    一种信号控制电路和方法
    43.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105763263B

    公开(公告)日:2018-02-06

    申请号:CN201610281598.5

    申请日:2016-04-28

    Abstract: 本发明涉及一种信号控制电路和方法,包括:压控振荡器的输出端与第一调相电路的输入端相连接,压控振荡器的控制端与控制/供电电路的第一控制端相连接,第一调相电路的输出端与第二调相电路的输入端相连接,第一调相电路的控制端与控制/供电电路的第二控制端相连接,第二调相电路的输出端与第一放大器的输入端相连接,第二调相电路的控制端与控制/供电电路的第三控制端相连接,第一放大器的输出端与可调衰减器的输入端相连接,可调衰减器的控制端与控制/供电电路的第四控制端相连接,可调衰减器的输出端与第三固定衰减器的输入端相连接,第三固定衰减器的输出端与第二放大器的输入端相连接,第二放大器的输出端输出射频信号。

    半导体微波炉及其加热控制方法和装置

    公开(公告)号:CN106482180A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610877527.1

    申请日:2016-09-30

    CPC classification number: H05B6/687 H05B6/80

    Abstract: 本发明公开了一种半导体微波炉及其加热控制方法和装置,所述方法包括以下步骤:获取半导体微波炉的微波源的初始相位和初始频率;控制半导体微波炉以初始相位和初始频率进行加热;每隔预设时间调用随机算法以随机获取微波源的工作相位和/或工作频率,并根据随机获取的工作相位和/或工作频率对半导体微波炉进行控制以使半导体微波炉进行均匀加热。该方法通过随机获取的微波源的工作相位和/或工作频率对半导体微波炉进行控制,使得半导体微波炉内的电磁场随机变化,有利于不同食物的均匀加热,不仅可以有效降低微波炉的开发周期,而且大大提高了用户体验。

    半导体微波加热装置
    46.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106211406A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610562645.3

    申请日:2016-07-13

    CPC classification number: H05B6/64

    Abstract: 在本发明公开的半导体微波加热装置中,腔体呈长方体状,腔体的长度为300mm-360mm,宽度为220mm-280mm,高度为66mm-126mm,腔体左侧壁开设有第一馈入口,腔体右侧壁开设有第二馈入口。第一馈入口设置有第一天线,第一天线的第一天线杆的馈入端的圆心距腔体的后面的距离为68mm-78mm,距腔体的顶面的距离为40mm-50mm,第一天线杆为圆锥天线。第二馈入口设置有第二天线,第二天线的第二天线杆与第二天线的第三天线杆垂直连接,第二天线杆的馈入端的圆心距腔体的后面的距离为145mm-155mm,距腔体的顶面的距离为55mm-65mm,第三天线杆与腔体的底面平行并指向腔体的前面板。上述半导体微波加热装置满足上述条件,可在两个馈入口获得较佳的驻波值,第一天线与第二天线的隔离度满足设计要求。

    射频探测装置、探测方法和微波炉

    公开(公告)号:CN108333585B

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN201810098845.7

    申请日:2018-01-31

    Abstract: 本发明提供了一种射频探测装置、探测方法和微波炉,其中,射频探测装置包括:信号发射模块,用于产生并发射不同频率的多个正向频率探测信号;信号接收器,用于接收由负载反射回来的多个反向频率探测信号;第一检测模块,用于检测对应于每个正向频率探测信号的每个第一参数;第二检测模块,用于检测每个反向频率探测信号的每个第二参数;微控制器,用于根据多个频率和与每个频率对应的第一参数和第二参数,确定负载的状态参数。通过本发明的技术方案,有效地实现了不接触而检测负载的状态参数的目的,提高了检测的便利性和安全性;且本发明的射频探测装置结构简单,成本低廉;在检测过程中,将复杂的计算改为图形对比,简单直观,提高了工作效率。

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