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公开(公告)号：CN111524804A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010078537.5
申请日：2020-02-03
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 , 星野仁志
Abstract: 生产衬底的方法以及生产衬底的系统。本发明涉及一种生产具有功能层(12)的衬底(16)的方法。该方法包括提供具有第一表面(4)和与第一表面(4)相反的第二表面(6)的工件(2)，以及在工件(2)的内部形成改性层(8)，该改性层(8)包括多个改性部位。此外，该方法包括，在工件(2)的内部形成改性层(8)之后，在工件(2)的第一表面(4)上形成功能层(12)，以及在工件(2)的第一表面(4)上形成功能层(12)之后，沿着改性层(8)分割工件(2)，从而获得具有功能层(12)的衬底(16)。沿着改性层(8)分割工件(2)包括向工件(2)施加外部刺激。此外，本发明还涉及用于执行该方法的衬底生产系统。
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公开(公告)号：CN102446735B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110301306.7
申请日：2011-09-28
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0095
Abstract: 本发明提供一种分割方法，其能够提高通过蓝宝石晶片的分割而形成的发光器件的辉度。本发明的分割方法构成为具有如下工序：切削槽形成工序，在该切削槽形成工序中，在表面上层叠有发光层(412)的蓝宝石晶片(W)的背面(Wb)形成沿着分割预定线的切削槽(401)；变质层形成工序，在该变质层形成工序中，在蓝宝石晶片(W)的内部形成沿着分割预定线的变质层(402)；以及分割工序，在该分割工序中，以变质层(402)为起点将蓝宝石晶片(W)分割为一个个发光器件(411)，以使各发光器件(411)的背面侧的角部形成为利用在切削槽形成工序中形成的切削槽(401)进行了倒角的状态。
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公开(公告)号：CN102248607B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201110128861.4
申请日：2011-05-18
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 星野仁志
IPC: B28D5/04
Abstract: 本发明提供蓝宝石晶片的分割方法，能够对形成有反射膜的蓝宝石晶片进行确切的分割加工。从蓝宝石晶片(1)的背面侧沿着分割预定线(11)会聚地照射反射膜(30)所吸收的波长的脉冲激光，在分割预定线(11)上形成比反射膜(30)的厚度深的槽(33)，之后，沿着通过槽(33)而露出蓝宝石表面的分割预定线(11)，使透射过蓝宝石的波长的脉冲激光(L2)会聚地照射到蓝宝石晶片(1)的内部，在内部形成改质层(34)，对改质层(34)施加外力，由此沿分割预定线(11)分割蓝宝石晶片(1)。
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公开(公告)号：CN102151985B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201110026982.8
申请日：2011-01-25
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 一种激光加工方法，能够在晶片内部沿间隔道形成变质层，而不会损伤形成于基板正面的功能层。该激光加工方法包括：晶片保持工序，在保持被加工物的卡盘工作台上以使基板背面在上侧的方式保持晶片；高度位置计测工序，从被保持在卡盘工作台上的晶片的基板的背面侧沿着间隔道进行照射，根据在基板背面以及正面反射的反射光，沿着间隔道计测从卡盘工作台的上表面到基板背面的第一高度位置、以及从卡盘工作台的上表面到基板正面的第二高度位置；变质层形成工序，使激光光线的会聚点位于在高度位置计测工序计测的第一高度位置与第二高度位置的中间部，并沿着间隔道进行照射，由此在基板内部沿着间隔道形成不会到达功能层的变质层。
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公开(公告)号：CN102881782A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210238513.7
申请日：2012-07-10
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/364 , B23K26/044 , B23K26/0622 , B23K26/0869 , B23K26/40 , B23K2101/34 , B23K2101/40 , B23K2103/16 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , H01L33/0095
Abstract: 本发明提供光器件衬底的分割方法。在衬底的表面装配有光器件层的光器件衬底的分割方法中，包括：光器件衬底贴附步骤，将光器件衬底贴附于装配在环状框架的切割带的表面；块形成步骤，沿着通过光器件衬底的中央的第1分割预定线和第2分割预定线照射激光光线，将光器件衬底分割为至少4个块衬底；第1激光加工槽形成步骤，沿着形成于各块衬底的第1分割预定线照射激光光线，从而形成激光加工槽；以及第2激光加工槽形成步骤，沿着形成于各块衬底的第2分割预定线照射激光光线，从而形成激光加工槽，通过交替地实施第1激光加工槽形成步骤和第2激光加工槽形成步骤，沿着所有第1分割预定线和第2分割预定线切断各块衬底，分割为各个光器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102201502A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110068023.2
申请日：2011-03-21
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 星野仁志
Abstract: 本发明提供光器件晶片的加工方法，能够不降低光器件品质地分割成一个个光器件。该加工方法用于将光器件晶片沿着间隔道分割成一个个光器件，该加工方法包括以下工序：激光加工槽形成工序，沿间隔道照射相对于光器件晶片的基板具有吸收性的波长的激光光线，在基板的表面或者背面形成成为断裂起点的激光加工槽；变质物质除去工序，将以金刚石磨粒为主要成分的切削刀具定位在形成于基板的激光加工槽，使该切削刀具旋转并且扫过激光加工槽的壁面同时相对移动，由此，除去在激光加工槽形成时生成的变质物质，并且将激光加工槽的壁面加工成粗加工面；以及晶片分割工序，对光器件晶片施加外力，使光器件晶片沿除去了变质物质的加工槽断裂，从而分割成一个个光器件。
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公开(公告)号：CN102151985A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110026982.8
申请日：2011-01-25
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 一种激光加工方法，能够在晶片内部沿间隔道形成变质层，而不会损伤形成于基板正面的功能层。该激光加工方法包括：晶片保持工序，在保持被加工物的卡盘工作台上以使基板背面在上侧的方式保持晶片；高度位置计测工序，从被保持在卡盘工作台上的晶片的基板的背面侧沿着间隔道进行照射，根据在基板背面以及正面反射的反射光，沿着间隔道计测从卡盘工作台的上表面到基板背面的第一高度位置、以及从卡盘工作台的上表面到基板正面的第二高度位置；变质层形成工序，使激光光线的会聚点位于在高度位置计测工序计测的第一高度位置与第二高度位置的中间部，并沿着间隔道进行照射，由此在基板内部沿着间隔道形成不会到达功能层的变质层。
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公开(公告)号：CN118352440A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410535287.1
申请日：2020-02-03
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 , 星野仁志
Abstract: 生产衬底的方法以及生产衬底的系统。本发明涉及一种生产具有功能层的衬底的方法。该方法包括提供具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的工件，以及在工件的内部形成改性层，该改性层包括多个改性部位。此外，该方法包括，在工件的内部形成改性层之后，在工件的第一表面上形成功能层，以及在工件的第一表面上形成功能层之后，沿着改性层分割工件，从而获得具有功能层的衬底，其中，沿着改性层分割工件包括向工件施加外部刺激，其中，所述改性层被形成为被外围工件部分环绕，并且其中，所述方法还包括：在所述工件的所述第一表面上形成所述功能层之后，在所述外围工件部分中形成改性部位。此外，本发明还涉及用于执行该方法的衬底生产系统。
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公开(公告)号：CN110047745B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201910030538.X
申请日：2019-01-14
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 , 星野仁志 , D·迈尔
IPC: H01L21/30 , H01L21/304
Abstract: 处理晶圆的方法。本发明涉及一种处理晶圆(W)的方法，晶圆(W)在一侧(1)上具有器件区域(2)，器件区域(2)具有多个器件(27)。特别地，该发明涉及一种方法，其包括：提供保护膜(4)，以及将保护膜(4)贴到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)，使得保护膜(4)的前表面(4a)的至少中心区域与晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)直接接触。该方法还包括：在将保护膜(4)贴到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)期间和/或之后，向保护膜(4)施加外部刺激，使得保护膜(4)附接到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)，以及处理晶圆(W)的一侧(1)和/或晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)。
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公开(公告)号：CN112017995A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010469579.1
申请日：2020-05-28
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 星野仁志 , 扎米米尔·阿吉罗夫 , 汤平泰吉 , 卡尔·海因兹·普里瓦瑟
IPC: H01L21/67 , H01L21/78 , B23K26/122 , B23K26/352 , B23K26/70
Abstract: 本发明涉及一种处理工件的方法和处理工件的系统。该工件(2、102)具有第一表面(4、104)、与第一表面(4、104)相对的第二表面(6、106)、和在第一表面与第二表面之间延伸的第三表面(8、108)。该方法包括在工件(2、102)内侧形成修改区域(16)，以便在工件(2、102)中创建开口(18)。开口(18)延伸至第一表面、第二表面和第三表面的至少一个。该方法还包括，在工件(2、102)内侧形成修改区域(16)之后，将液体介质(20、120)引入到至少一些开口(18)中；以及在将液体介质(20、120)引入到至少一些开口(18)中之后，将外部刺激施用至液体介质(20、120)，以便增加介质(20、120)的体积。本发明还涉及用于执行该方法的工件处理系统。
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