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公开(公告)号：CN102455599A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110226683.9
申请日：2011-08-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/04 , G03F7/16 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/40 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/76802
Abstract: 本发明提供了抗蚀图案改善材料，其含有C4-11直链链烷二醇和水。本发明还提供了用于形成抗蚀图案的方法，以及用于制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN102265221A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200880132520.0
申请日：2008-12-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/40
CPC classification number: G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/76816
Abstract: 本发明提供能够在被加工面上形成超过目前曝光光源的曝光极限(析像分辨极限)的图案尺寸的图案的图案形成方法和半导体装置制造方法、以及抗蚀剂图案的被覆层的形成材料。本发明的图案形成方法，其特征在于，包含形成第1抗蚀剂图案的第1抗蚀剂图案形成工序；以覆盖所述第1抗蚀剂图案表面的方式，形成由被覆材料得到的被覆层的被覆层形成工序；以及形成第2抗蚀剂图案的第2抗蚀剂图案形成工序。
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公开(公告)号：CN102046616A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200880129490.8
申请日：2008-05-29
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 野崎耕司
IPC: C07D339/08 , C08F28/06 , C08L41/00 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: C07D339/08 , C08F220/18 , C08F220/38 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 本发明提供一种不损害抗蚀剂所需的透明性、酸反应性而有利于抗蚀剂基材树脂的高折射率化的二噻烷衍生物、以该二噻烷衍生物作为构成成分的聚合物以及含有该聚合物的抗蚀剂组合物，以及使用该抗蚀剂组合物的半导体装置的制造方法。本发明的二噻烷衍生物，其特征在于具有下述通式(1)所示的结构。在该通式(1)中，R1为H或CH3基。本发明的聚合物，其特征在于，作为构成成分含有本发明的二噻烷衍生物。
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公开(公告)号：CN101042531B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200610107443.6
申请日：2006-07-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/40 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂组合物，该抗蚀剂组合物能够通过抗蚀剂图案增厚材料使抗蚀剂图案均匀地增厚，而与抗蚀剂图案的方向、间隔变化以及抗蚀剂图案增厚材料的成分无关；并且能够以低成本、容易并有效地形成精细的抗蚀剂空间图案，突破曝光设备的光源的曝光极限。该抗蚀剂组合物包含脂环化合物(熔点：90℃-150℃)和树脂。制造半导体器件的方法包括如下步骤：使用抗蚀剂组合物在待处理的工件表面上形成抗蚀剂图案，并在该工件表面上涂覆抗蚀剂图案增厚材料，使其覆盖该抗蚀剂图案的表面，由此使该抗蚀剂图案增厚；以及通过使用增厚的抗蚀剂图案作为掩模蚀刻该工件表面而对该工件表面进行图案化。
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公开(公告)号：CN101497599A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910005998.3
申请日：2009-01-24
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 野崎耕司
IPC: C07D335/02 , C08F20/38 , G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: C07D335/02 , Y10S430/111
Abstract: 本发明涉及通式I表示的单体，通式I其中，R1和R3各自为－H基或－CH3基，且R1和R3相同或不同；R2为苯基或金刚烷基；Q1为C1－4全氟烷基。本发明还涉及包括该单体作为结构单元的含锍盐侧链的树脂，使用该树脂的抗蚀剂组合物及生产半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN101021682A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610094195.6
申请日：2006-06-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/2041 , Y10S430/106
Abstract: 本发明提供一种抗蚀覆盖膜形成材料，其可适用于液浸曝光用的抗蚀覆盖膜，并可以透射ArF受激准分子激光，并且提供使用抗蚀覆盖膜形成材料来形成抗蚀图的方法。该抗蚀覆盖膜形成材料包含在任一主链和侧链上具有脂环骨架的树脂；它是非光敏的，并且用于形成在液浸曝光时覆盖抗蚀膜的抗蚀覆盖膜。形成抗蚀图的方法包括在要处理的工件表面上形成抗蚀膜，用本发明的抗蚀覆盖膜形成材料在抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜，使用来曝光的光透过抗蚀覆盖膜照射抗蚀膜进行液浸曝光，并使抗蚀膜显影。
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公开(公告)号：CN1279405C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN03147412.8
申请日：2003-07-09
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/32 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/115 , Y10S430/117 , Y10S430/12 , Y10S430/121 , Y10S430/122
Abstract: 一种包含基础树脂和在图案化曝光波长上具有敏感性的光酸生成剂的化学放大刻蚀剂材料；其中，所述化学放大刻蚀剂材料进一步包含通过图案化曝光之外的处理而产生酸或自由基的活化剂。还公开了一种使用它的图案化方法。
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公开(公告)号：CN1802606A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN02802632.2
申请日：2002-08-12
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0048 , G03F7/095 , G03F7/40 , H01L21/31138 , H01L27/105 , H01L27/11543
Abstract: 本发明提供了一种利用真空紫外光的光蚀刻法实施构图的技术来形成显微图形的方法，抗蚀图形膨胀用材料是由混合包含树脂、交联剂和任何一种非离子表面活性剂及有机溶剂的水溶性或碱溶性组合物所构成的，其中有机溶剂选自醇、直链酯或环酯、酮、直链醚或环醚。
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公开(公告)号：CN103226285B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310078760.X
申请日：2008-12-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供图案形成方法和半导体装置的制造方法，即，一种图案形成方法，该图案形成方法包含第1抗蚀剂图案形成工序、被覆层形成工序、以及第2抗蚀剂图案形成工序，被覆层形成工序中使用的所述被覆材料包含水溶性树脂、以及特定的通式化合物。
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公开(公告)号：CN102540710B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201110314398.2
申请日：2011-10-17
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/16 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/40 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/76802
Abstract: 本发明涉及抗蚀图改善材料、抗蚀图形成方法和半导体装置制造方法。本发明提供一种抗蚀图改善材料，所述材料包含：由以下通式(1)表示的化合物、或由以下通式(2)表示的化合物、或上述两种化合物；和水，在通式(1)中，R1和R2各自独立地为氢原子或C1～C3烷基；m是1～3的整数；n是3～30的整数；在通式(2)中，p是8～20的整数；q是3～30的整数；r是1～8的整数。通式(1)通式(2)
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