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公开(公告)号：CN110494798B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201880022067.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30
Abstract: 提供一种既抑制像素缺陷的产生又高清晰的有源矩阵基板。其具备：第1半导体膜，其与在行方向上相邻的2个子像素中的一个子像素对应；第2半导体膜，其与在行方向上相邻的2个子像素中的另一个子像素对应；晶体管，其将上述第1半导体膜的一部分作为行方向上的沟道；以及像素电极，其经由接触孔连接到上述晶体管的漏极电极，在俯视时，从上述沟道的漏极电极侧边缘到上述接触孔的底面为止的行方向上的距离(dc)为行方向上的子像素间距(dp)的0.15倍以上。
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公开(公告)号：CN110310960A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910210031.2
申请日：2019-03-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L21/34 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供包括电阻低的栅极金属层的有源矩阵基板。有源矩阵基板包括包含多条源极总线SL的源极金属层及包含多条栅极总线GL的栅极金属层、与配置于各像素区域的薄膜晶体管(101)，薄膜晶体管包括：栅极电极(3)、隔着栅极绝缘层(5)而配置在栅极电极(3)上的氧化物半导体层(7)、源极电极(8)及漏极电极(9)，栅极电极(3)形成在栅极金属层内，且电连接于多条栅极总线GL中的对应的一条栅极总线GL，栅极金属层具有层叠构造，该层叠构造包含铜合金层(g1)、与配置在铜合金层(g1)上的铜层(g2)，铜合金层(g1)由包含Cu与至少一个添加金属元素的铜合金形成，添加金属元素包含Al，铜合金中的Al的含有量为2at％以上且为8at％以下。
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公开(公告)号：CN107112365A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580070477.X
申请日：2015-12-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/41
Abstract: 半导体装置(100)具备基板(10)和薄膜晶体管(5)，其中，所述薄膜晶体管(5)由基板支撑，并包括栅极电极(12)、氧化物半导体层(18)、设置于栅极电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层(20)、以及与氧化物半导体层电性连接的源极电极(14)及漏极电极(16)，漏极电极具有向氧化物半导体层突出的形状，将薄膜晶体管的通道宽度方向上的氧化物半导体层的宽度设为宽度W1，与漏极电极的突出方向正交的方向上的所述漏极电极的宽度设为宽度W2的情况下，宽度W1和所述宽度W2之间满足|W1‑W2|≤1μm的关系，并且，宽度W1及宽度W2为大于等于3μm并小于等于6μm。
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公开(公告)号：CN107004603A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580064209.7
申请日：2015-11-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786
Abstract: 半导体装置包括基板以及支撑于基板的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有氧化物半导体层、形成于栅极及氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及电性连接于氧化物半导体层的源极以及漏极。栅极绝缘层包含由氧化物半导体层覆盖的第一部分、以及与第一部分邻接且未由氧化物半导体层、源极以及漏极的任一者覆盖的第二部分。第二部分较第一部分薄，第二部分与第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。
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公开(公告)号：CN102224453B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980147035.5
申请日：2009-07-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , G06F3/041 , G06F3/042
CPC classification number: G06F3/0412 , G02F1/13338 , G02F2001/13312 , G09G3/3648
Abstract: 本发明的液晶显示装置包括二维地配置有光传感器电路的二维传感器阵列，上述光传感器电路包括光敏二极管(17)、输出AMP、及NetA升压用电容器，上述输出AMP的栅极电极与光敏二极管(17)的阴极电极(NetA)连接，源极电极与电源提供布线(Vsm)连接，漏极电极与光传感器输出布线(Vom)连接，上述NetA升压用电容器的一个电极与上述NetA电连接，另一个电极与用于向上述NetA升压用电容器提供驱动信号的驱动布线(Vrwn)电连接，且用于保持像素电位的辅助电容布线(Csn)兼作为上述驱动布线(Vrwn)，因此能够实现可抑制像素的开口率的降低和显示部周边的边框区域的增加的具有光传感器电路的液晶显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102822981A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180017085.9
申请日：2011-01-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/146
Abstract: 本发明的电路基板（1）包括与二维排列的像素对应或者与上述像素的规定数量的一组对应地设置于同一绝缘性基板（2）上的多个晶体管元件。该多个晶体管元件的至少一个是包括氧化物半导体作为沟道层（11）的氧化物TFT（10），至少另一个是包括例如非晶硅半导体作为沟道层（21）的a-SiTFT（20）。氧化物TFT（10）和a-SiTFT（20）均是底部栅极型的晶体管。
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公开(公告)号：CN102224453A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980147035.5
申请日：2009-07-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , G06F3/041 , G06F3/042
CPC classification number: G06F3/0412 , G02F1/13338 , G02F2001/13312 , G09G3/3648
Abstract: 本发明的液晶显示装置包括二维地配置有光传感器电路的二维传感器阵列，上述光传感器电路包括光敏二极管(17)、输出AMP、及NetA升压用电容器，上述输出AMP的栅极电极与光敏二极管(17)的阴极电极(NetA)连接，源极电极与电源提供布线(Vsm)连接，漏极电极与光传感器输出布线(Vom)连接，上述NetA升压用电容器的一个电极与上述NetA电连接，另一个电极与用于向上述NetA升压用电容器提供驱动信号的驱动布线(Vrwn)电连接，且用于保持像素电位的辅助电容布线(Csn)兼作为上述驱动布线(Vrwn)，因此能够实现可抑制像素的开口率的降低和显示部周边的边框区域的增加的具有光传感器电路的液晶显示装置。
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公开(公告)号：CN101432656B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200780015751.9
申请日：2007-04-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/136227 , G02F2001/136281
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的目的是以低成本提供高画质的半透射型和反射型的液晶显示装置，本发明的液晶显示装置包括向显示面反射入射光的反射部，反射部包括在基板上形成的反射层，并且包括在反射层的表面形成的第一凹部和在第一凹部中的在反射层的表面形成的第二凹部。第一凹部与Cs金属层的开口部相对应，第二凹部与半导体层的开口部相对应。
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公开(公告)号：CN102067072A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980122922.7
申请日：2009-04-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G06F3/0412 , G01J1/46 , G02F1/13318 , G02F1/13338 , G09G3/3648 , G09G2300/0417 , G09G2300/0876
Abstract: 矩阵型显示装置具备设置于显示区域并输出与照射光的强度对应的信号的光传感器(54)、构成将上述信号作为栅极输入的源极跟随器的n沟道型TFT(52)以及通过检测TFT(52)的源极跟随器输出来进行上述照射光的强度的检测的光强度检测单元，对TFT(52)的漏极输入第1脉冲信号(Vpulse2)，所述第1脉冲信号(Vpulse2)具有在上述信号输入到TFT(52)的栅极的状态下从低电平上升到高电平的第1脉冲。
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公开(公告)号：CN101978504A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109552.3
申请日：2009-01-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1368 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , H01L27/1255
Abstract: 具备电容(61b)，其是使连接到源极电极(62)的第1电容电极(62a)和连接到栅极电极(64)的第2电容电极(64a)具有在面板厚度方向上隔着第1绝缘膜而对置的区域，并且是使上述第1电容电极(62a)和连接到上述栅极电极(64)的第3电容电极(80a)具有相对于上述第1电容电极(62a)在与上述第2电容电极(64a)侧相反的一侧在面板厚度方向上隔着第2绝缘膜而对置的区域而形成的。由此，实现能够抑制连接到TFT主体部的电容的占有面积的TFT。
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