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公开(公告)号：CN101038876A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710037274.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备NiSi/Si肖特基二极管的新方法。该方法步骤是，在衬底硅片经标准RCA清洗并用稀释的HF酸去除本征氧化层后，在利用掩膜版溅射淀积金属镍电极之前，采用化学氧化工艺在硅片表面生长一层硅的氧化物层；然后在金属镍电极淀积之后对硅片进行快速热退火和选择腐蚀处理，从而形成NiSi/Si肖特基二极管。该方法能够极大改善利用掩膜版制备的NiSi/Si肖特基二极管的整流特性，同时具有工艺简单的优点。与同样工艺条件下但没有界面氧化层的肖特基二极管相比，二极管特性得到显著改善。
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