公开(公告)号：CN1140935C

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN01126991.X

申请日：2001-10-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐伟 ,  吕银祥 ,  张骅 ,  华中一

IPC: H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L51/0595 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明属分子电子器件技术领域，具体为一种分子整流器及其制作工艺。分子整流器为由底电极、顶电极和有机分子取向膜构成的夹层结构，有机分子材料采用乙烯三腈的衍生物，尤其是DMPE、DEPE、DPPE等。该分子整流器的电极制作可采用真空热蒸发方法，有机分子取向膜的制作采用溶液吸附法。由本发明制得的分子整流器件具有很高的整流比，可达到数10倍，甚至趋过100倍，具有广泛的实际应用价值。

公开(公告)号：CN1139998C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN01132374.4

申请日：2001-11-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐伟 ,  吕银祥 ,  华中一

IPC: H01L51/20 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明属于分子电子器件技术领域，具体涉及一种电可擦写的分子基电双稳薄膜器件及其制作工艺。该分子基电双稳薄膜器件为由底电极、顶电极和有机分子膜构成的夹层结构。底电极和顶电极采用不同金属，有机分子材料采用含杂环的1，1-二氰基乙烯衍生物。该薄膜器件可采用真空热蒸镀方法制作。本电双稳薄膜器件，擦写次数达到数10次至1000次，两种状态的反差超过1000倍，写入时间小于100纳秒，擦除时间小于1微秒。这种电双稳薄膜可用于研制超高密度的电可擦写存贮器、分子基逻辑门以及过电压保护器等，具有广泛的实际应用价值。

公开(公告)号：CN1445160A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN02110772.6

申请日：2002-02-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐伟 ,  华中一

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L27/00 ,  G11C16/00 ,  G12B21/04

CPC classification number: H01L51/0595 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明属于分子电子器件技术领域，具体涉及一种基于扫描隧道显微技术的、电可逆的分子电子器件及其制作方法。这种分子电子器件由基底、有机分子层和探针构成。其中，基底采用原子级平整的导电表面，探针采用扫描隧道显微镜中的针尖，有机分子层为垂直取向的单分子层。有机分子采用长条形的、含有极性基团的π－共轭分子。这种分子电子器件能够用外加的正反向脉冲电压进行可逆转换，即可擦写，用很低的工作电压读出。本发明的分子电子器件可用作电可擦写的超高密度存贮器、分子开关以及逻辑元件等，在分子计算机中有广泛的应用价值。

公开(公告)号：CN1421428A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN01132375.2

申请日：2001-11-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐伟 ,  吕银祥 ,  周峥嵘 ,  陶凤岗 ,  华中一

IPC: C07C43/247

Abstract: 本发明属于有机化工和功能材料技术领域，具体涉及一种高卤素含量的有机分子材料及其制备方法。这些有机分子由季戊四基和各种多卤代苯基通过醚键(或硫醚键)连接而成，其中的多卤代苯基可以是五氯苯基、三溴苯基、五溴苯基、五氟苯基等。该有机分子用季戊四醇四苯磺酸酯和多卤代酚反应制备获得。本发明制得的有机分子卤素含量高、稳定性好，可用作有机阻燃剂和低介电常数材料。此外，多溴代的有机分子材料在核化学和原子能领域还有特殊的用途。

公开(公告)号：CN1108304C

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN97106630.2

申请日：1997-09-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 华中一 ,  陈国荣

IPC: C07F1/00 ,  C07C255/56 ,  C09K9/00 ,  G03G5/06

CPC classification number: G11B7/249 ,  G11B7/00455 ,  Y10S428/913 ,  Y10S430/146 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明提出一类特别适用于蓝光(波长450nm)和红光(650nm)可写数字视盘(DVD-R)的新型信息存贮材料：非化学配比的络合物M1-βT，此处M为I族金属元素(锂、钠、铜、银等)，T为四氰基对醌二甲烷。它们在这两种波长的光刺激下会产生明显的吸收变化，用作光盘记录媒质时具有信噪比高、反应快速、价格低廉的特色；且实际写入次数可达到10次以上，可直接重写，即性能优于一般的DVD-R。

公开(公告)号：CN1074847C

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN98110899.7

申请日：1998-06-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 华中一

IPC: G11B7/00

Abstract: 本发明属信息科学技术领域，是一种用近距电探针作为读写器的盘式超高密度存贮器，探针的扫描采用极坐标装置。本发明根据现有的技术和材料，即可制成可写入一次的特大容量存贮器。直径为5厘米中央有孔的盘其存贮量可达100吉位，即相当于21张市售的DVD光盘。可用于音像录放、图书存贮及高分辨率数字照相等。

公开(公告)号：CN1149199A

公开(公告)日：1997-05-07

申请号：CN96116467.0

申请日：1996-08-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 华中一

IPC: H01L21/4763

Abstract: 一种制备纳米宽度有机导线的方法，采用扫描隧道显微镜(STM)技术。工作基质采用低压电双稳材料，先把电双稳材料蒸发到基体上成为均匀薄膜，再用STM技术在基体面上按预先设计的点、线或图形扫描。使扫描过的部分从绝缘态变为导电态，从而获得纳米宽度的有机导线或导电图形。由本发明制备的纳米导线，可避免距离小于0.1微米(100纳米)的金属导线间因原子徙动而产生短路的问题。

公开(公告)号：CN1021261C

公开(公告)日：1993-06-16

申请号：CN91107454.6

申请日：1991-07-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 华中一 ,  陈国荣

IPC: G11C11/21

Abstract: 本发明属电子计算机技术领域，是一种电擦除可编程只读存贮器(E2PROM)，由基板及其上的迭层薄膜组成。该薄膜采用新材料金属有机络合物M1-β(TCNQ)制备获得，其构成如下，在基板上依次为铝层横条、半导体层、M1-β(TCNQ)层、铝层纵条，横条与纵条的垂直结点构成存贮单元。该器件具有存贮密度高、寻址速度快的特点，并可与硅器件兼容。为计算机硬件开发开辟了新的前景。

公开(公告)号：CN1057541A

公开(公告)日：1992-01-01

申请号：CN91107453.8

申请日：1991-07-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 华中一 ,  陈国荣

IPC: G11C11/21

Abstract: 本发明属电子计算机技术领域，是一种可擦除式 存取存贮器(EAST)，包括电子枪、电子轰击靶和偏 转器三个部分。其中电子轰击靶是一个特殊的叠层 薄膜，它采用新材料金属有机络合物M

公开(公告)号：CN85102774A

公开(公告)日：1986-06-10

申请号：CN85102774

申请日：1985-04-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 华中一 ,  王阳 ,  范承善 ,  谷超豪

IPC: H01J3/00 ,  H01J49/42

CPC classification number: H01J3/18 ,  G21K1/087

Abstract: 目前大多数商品化的静电四极场系统均采用圆截面的金属电极结构。这种结构加工较为复杂，且只能在靠近对称中心的很小区域里产生完整四极场；此外，电极之间存在空隙，在用玻璃或陶瓷作为管壳时会受到管壳内壁杂散电荷形成电位的影响。本发明根据理论计算求得产生完整静电四极场的方法和用均匀厚度或厚度呈连续变化的高阻材料构成封闭边界的结构，其电位随位置作连续变化，以产生各种形式的完整静电四极场。这种结构比较简单，可以广泛应用于电子光学系统及各种仪器设备中。