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公开(公告)号：CN102842611A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210305957.8
申请日：2012-08-24
IPC: H01L29/739 , H01L21/027 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种5块掩模版IGBT芯片，由所述5块掩模版制造形成IGBT芯片；所述5块掩模版分别是孔掩模版、金属掩模版、钝化掩模版、有源区掩模版和多晶掩模版；所述孔掩模版、金属掩模版和钝化掩模版位于IGBT芯片互连及保护模块中；所述有源区掩模版和多晶掩模版位于与IGBT芯片互连及保护模块相反方向的模块中。本发明还涉及一种5块掩模版IGBT芯片的制造方法，本发明的方案极大降低IGBT芯片制造成本，为IGBT芯片制造指出了一条新颖的技术路线。实现容易，可行性强；与传统IGBT芯片制造方法（≥6块掩模版）相比，显著的降低成本。
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公开(公告)号：CN106783984B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201611026227.9
申请日：2016-11-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国网上海市电力公司 , 国家电网公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。
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公开(公告)号：CN109143057B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811130299.7
申请日：2016-07-28
Applicant: 国网江苏省电力公司常州供电公司 , 国网江苏省电力公司 , 国家电网公司
IPC: G01R31/327 , G05B19/04
Abstract: 本发明提供一种GIS设备刀闸振动在线修复系统，包括支承架、可活动地设置在支承架内的平衡板、设于支承架和平衡板间的弹簧、设于支承架上的2个气囊球以及吸合组件和电路装置；吸合组件包括磁铁、铁板、绝缘板和固定件；电路组件包括微型电路板、微型电机、振动加速度传感器、GIS设备电路检测模块和远程控制中心服务器；微型电路板和微型电机均设在支撑架内；微型电路板上设有主控制器、电机驱动控制执行模块、无线收发模块和电源模块；微型电机配设有与平衡板动配合的传动凸轮。本发明结构简单、成本不高、实施方便且使用时能够有效监测GIS设备的刀闸闭合状态且在出现刀闸闭合不到位、过位以及触点松动问题时能够自动进行修复。
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公开(公告)号：CN109462056B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810582623.2
申请日：2018-06-07
Applicant: 国网浙江省电力有限公司衢州供电公司 , 国家电网公司
Abstract: 本发明公开了一种便捷式汇流夹钳，旨在提供一种不仅可以根据实际需要方便的更换夹头，提高汇流夹钳的通用性；而且汇流夹钳的使用安全性好的便捷式汇流夹钳。它包括夹钳本体、设置在夹钳本体上的钳口、位于钳口内的导电夹头、设置在导电夹头上的插接杆、固定设置在夹钳本体一端的绝缘盒、设置在夹钳本体内的导向孔、设置在导向孔内并与导向孔通过螺纹连接的导电锁紧杆、设置在绝缘盒内的导电连接块、设置在导电连接块上并与导向孔同轴的锁紧杆过孔、设置在导电连接块上的外接螺孔、与外接螺孔通过螺纹连接的电缆连接端子及与绝缘盒通过螺纹连接的绝缘电缆护套。
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公开(公告)号：CN109473794B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810581414.6
申请日：2018-06-07
Applicant: 国网浙江省电力有限公司衢州供电公司 , 国家电网公司
Abstract: 本发明公开了一种使用安全的低压汇流夹钳工具，旨在提供一种使用安全性好，可有效避免汇流夹钳在使用通电过程中存在人员触电的安全隐患的问题的使用安全的低压汇流夹钳工具。它包括绝缘盒、位于绝缘盒内的夹钳、固定设置在绝缘盒内的导电连接块、设置在导电连接块上的螺纹连接通孔、与螺纹连接通孔通过螺纹连接的导电锁紧杆、设置在导电连接块上的外接螺孔、与外接螺孔通过螺纹连接的电缆连接端子及与绝缘盒通过螺纹连接的绝缘电缆护套，所述夹钳包括动夹头及固定在绝缘盒的内壁上的定夹头，所述导电锁紧杆的第一端与动夹头相连接，导电锁紧杆的第二端的端面设有内六角凹槽，所述绝缘盒的外侧面上与内六角凹槽相对应的操作口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109143056A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811130260.5
申请日：2016-07-28
Applicant: 国网江苏省电力公司常州供电公司 , 国网江苏省电力公司 , 国家电网公司
IPC: G01R31/327 , G05B19/04
Abstract: 本发明提供一种GIS设备刀闸的振动在线修复系统，包括支承架、可活动地设置在支承架内的平衡板、设于支承架和平衡板间的弹簧、设于支承架上的2个气囊球以及吸合组件和电路装置；吸合组件包括磁铁、铁板、绝缘板和固定件；电路组件包括微型电路板、微型电机、振动加速度传感器、GIS设备电路检测模块和远程控制中心服务器；微型电路板和微型电机均设在支撑架内；微型电路板上设有主控制器、电机驱动控制执行模块、无线收发模块和电源模块；微型电机配设有与平衡板动配合的传动凸轮。本发明结构简单、成本不高、实施方便且使用时能够有效监测GIS设备的刀闸闭合状态且在出现刀闸闭合不到位、过位以及触点松动问题时能够自动进行修复。
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公开(公告)号：CN109085526A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810806709.9
申请日：2018-07-20
Applicant: 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网公司
Abstract: 本发明提供了基于电容式电压互感器的谐波测量方法、装置及系统。该方法包括如下步骤：测量电容式电压互感器的低压电容支路的电流；根据所述电流计算所述低压电容支路的谐波电流占比；根据所述电容式电压互感器一次侧的谐波电压占比与所述谐波电流占比之间的关系、所述谐波电流占比，计算得到所述谐波电压占比；根据所述电容式电压互感器一次侧的基波电压、所述谐波电压占比计算得到所述电容式电压互感器一次侧的谐波电压。本发明的整个测量系统更加简单，运算也更加简单，同时测量得到的谐波电压的准确度的精度也很高，误差远远小于标准要求。
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公开(公告)号：CN108615677A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611125727.8
申请日：2016-12-09
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，所述制备方法包括在衬底上预设的多个压力接触区对应的第一金属层上淀积第二金属层，形成金属电极；所述平面栅型压接式IGBT采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，在压力接触区上淀积两层金属，可以消除衬底中沟道区承受的压力，进而消除压力对功率器件的影响。
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公开(公告)号：CN104934470B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410101546.6
申请日：2014-03-18
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域中的半导体器件的制造工艺技术，具体涉及一种IGBT芯片及其制造方法。本发明在离子注入形成N+和P+区的同时对多晶硅栅进行掺杂，避免了传统工艺制作多晶硅栅的繁琐工艺流程，同时可以减少一道光刻版。元胞结构中采用Spacer结构，可以避免套刻误差，确保元胞沟道的一致性，改善器件的动态特性，同时可以再省一道光刻版。本发明的工艺流程为：栅氧化→低压化学气相淀积→多晶硅注入→多晶硅光刻→多晶硅刻蚀→P阱区注入→N+注入→P+注入。从多晶硅栅的形成到P+区形成的工艺流程中，至少减少了两次光刻，大大减少了工艺步骤，节约了器件制造的工艺成本。
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公开(公告)号：CN108022972A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201610943892.8
申请日：2016-11-02
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/331 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L21/28 , H01L29/0684 , H01L29/41708 , H01L29/66325
Abstract: 本发明提供了一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；集电极淀积在N型衬底的P+集电区上；所述控制方法包括依据低通态压降IGBT的控制状态确定其工作模式。与现有技术相比，本发明提供的一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，通过控制电极的电压值有效抑制空穴流通，从而增加空穴在N‑区的存储量降低IGBT的通态损耗。
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