一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN104005073A

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201410255650.0

    申请日:2014-06-10

    Abstract: 一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法,它涉及一种钛合金TC4表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的钛合金热控涂层存在太阳吸收率高,发射率低,成本高,对复杂形状的表面难获得均匀的涂层,工艺复杂和涂层与基体结合度弱的问题。制备方法:一、钛合金TC4前处理;二、微弧氧化。本发明制备的涂层粗糙度为4.056μm~13.66μm,涂层厚度达到68.1μm~200μm,且厚度可调,由于是原位生长,故具有结合力好,并且在强酸性的锆酸盐体系的工艺条件下膜层的发射率大于0.96,吸收率小于0.32。本发明可获得一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法。

    一种光催化剂制氢性能评价的多通道反应简易装置及采用其进行制氢性能评价的方法

    公开(公告)号:CN101900710B

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201010219514.8

    申请日:2010-07-07

    Abstract: 一种光催化剂制氢性能评价的多通道反应简易装置及采用其进行制氢性能评价的方法,它涉及光催化剂制氢性能评价装置及评价方法。解决现有光催化制氢性能评价多通道反应装置结构复杂,组装费时,成本高和不易实现的问题。本发明装置由光源和均匀分布在光源周围的4~8个反应系统组成,反应系统由由反应器、储气装置、气路循环装置、阀和连接以上各部件的胶管组成的密闭循环回路和磁力搅拌器组成。评价方法:将反应系统组装好,开启光源,启动气路循环系统,然后定期取气检测即可。本发明装置简单,组装简易,可操作性强,零部件成本低,占地少,节约空间。采用本发明装置进行光催化制氢性能评价的检测结果可信,同组实验数据的可比性强。

    一种镁合金表面微弧氧化/喷涂复合膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101871119B

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN201010238437.0

    申请日:2010-07-28

    Abstract: 一种镁合金表面微弧氧化/喷涂复合膜的制备方法,它涉及一种镁合金表面复合膜的制备方法。解决现有镁合金表面处理方法中化学转化膜、阳极氧化、气相沉积得到的膜层薄,耐腐蚀性能差;离子注入成本高,难以实现大面积加工;涂层与镁合金结合力差,有机涂层易老化的问题。制备方法:首先利用微弧氧化在镁合金表面制备陶瓷膜,然后采用空气喷涂将无机涂料喷涂至陶瓷膜上,再热处理即得微弧氧化/喷涂复合膜。方法简单,成本低,空气喷涂利用微弧氧化陶瓷膜的多孔结构,使无机涂料层与陶瓷膜结合牢固;复合膜厚度在20~40μm,自腐蚀电位正移至-1.02V,腐蚀电流密度比镁合金降低5个数量级,盐雾实验72~144h后完好无损,耐蚀性好。

    一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法

    公开(公告)号:CN101837289A

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN201010213904.4

    申请日:2010-06-30

    CPC classification number: Y02E60/364

    Abstract: 一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法,涉及一种纳米二氧化钛薄膜光催化剂的表面改性方法。本发明解决了现有固定化二氧化钛光催化剂的催化活性低的问题。本发明的方法:首先利用阳极氧化方法在TC4钛合金上制备纳米二氧化钛薄膜;然后把纳米二氧化钛薄膜放入管式炉中,加热至300~600℃,保温1~3h,再随炉冷却即可。本发明的方法成功地制备了Ti和V复合氧化物,得到的改性纳米二氧化钛光催化剂的光催化制氢的产氢速率是没有进行热处理的二氧化钛薄膜的产氢速率的1.18倍,光催化制氢性能提高。

    一种钛合金基体上耐高温高发射率涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN101748465A

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200910312880.5

    申请日:2009-12-31

    Abstract: 一种钛合金基体上耐高温高发射率涂层的制备方法,它涉及钛合金基体上涂层的制备方法,解决现有钛合金表面高发射率涂层结合力低、热震性能差的问题。方法如下:一、将钛合金打磨、清洗;二、将主盐、分散剂和添加剂配成胶体电解液;三、将钛合金置于装有电解液的不锈钢槽体中,以钛合金做阳极、槽体为阴极,在脉冲微弧氧化电源的作用下,在钛合金基体上制得耐高温高发射率涂层。本发明制得的涂层在700℃条件下的发射率为0.8~1.0,涂层与基体结合力好,其拉伸强度≥30MPa,剪切强度为15MPa~25MPa,在测试条件为700℃到室温的热震循环100次涂层不脱落,可以应用于高超声速飞行器的外蒙皮的热防护层。

    钛合金表面氧化锆涂层制备方法

    公开(公告)号:CN1598072A

    公开(公告)日:2005-03-23

    申请号:CN200410043763.0

    申请日:2004-07-30

    Abstract: 钛合金表面氧化锆涂层制备方法,它涉及一种钛合金表面氧化锆涂层的制备工艺。本发明按照下述步骤进行:a.量取1~11ml/L磷酸溶于蒸馏水,然后边搅拌边加入5~10g/L六氟合锆酸钾,得到电解液;b.将去氧化膜的钛合金置于电解液中作为正极,不锈钢板为负极,控温电解液的温度为10~40℃;c.接通双向脉冲电源,调节峰值电压为-200~600V、正相或正负相平均电流密度为700~900A/M2、频率为50~60Hz,恒流下通电反应10~90分钟;d.取出水洗后自然干燥或在80~100℃下烘干。本发明在利用钛合金基体成分参与反应,在表面直接形成钛酸锆过渡层,提高氧化锆涂层与基体结合强度,可达到结构材料功能化的目的。

    一种钛合金表面抗菌纳米酶涂层的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN120041815A

    公开(公告)日:2025-05-27

    申请号:CN202510195653.8

    申请日:2025-02-21

    Abstract: 一种钛合金表面抗菌纳米酶涂层的制备方法和应用,它涉及一种钛合金表面的改性方法和应用。本发明的目的是要解决传统纳米酶固定化方法中树脂底漆对纳米酶活性位点的屏蔽效应造成的纳米酶活性降低的问题。本发明通过等离子体电解氧化技术在钛合金表面制备一层多孔陶瓷涂层,通过碱热处理使多孔陶瓷涂层表面产生活性基团和纳米结构,在钛合金多孔陶瓷涂层表面原位生长构筑具有高HPO活性和高结合力的铈基纳米酶UiO‑66(Ce);原位生长方式制备的PEO/UiO‑66(Ce)整体式涂层由于UiO‑66(Ce)纳米酶直接在表面原位生长,活性位点可充分暴露于水环境中,Br‑和H2O2可轻松进入活性位点触发催化反应产生HOBr。

    一种高硬度高熵合金涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN117488161B

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202311275907.4

    申请日:2023-09-28

    Abstract: 本发明公开了一种高硬度高熵合金涂层及其制备方法,属于表面改性与激光熔覆制备高熵合金涂层技术领域。本发明选用激光熔覆技术制备质量优异的高熵合金涂层,该涂层为体心立方BCC和B2相双相固溶体结构,通过在Fe、Cr和Al中添加Ti元素生成B2第二相,细化晶粒,增强晶界,降低了涂层的脆性断裂的风险,提高韧性,同时通过固溶强化提高了涂层的抗拉强度和硬度,其硬度达到1000HV以上。此外,本发明通过细晶强化和固溶强化的协同作用,使得合金在高温和腐蚀环境下具备更好的性能,同时克服了传统高熵合金的强韧平衡问题和晶界腐蚀问题,使其更适用于腐蚀性气体或液体环境。

    一种耐铅铋腐蚀的高熵合金涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN117385252B

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202311275905.5

    申请日:2023-09-28

    Abstract: 本发明公开了一种耐铅铋腐蚀的高熵合金涂层及其制备方法,属于表面改性与激光熔覆制备高熵合金涂层技术领域。本发明选用激光熔覆和激光重熔技术协同制备FeCrMnVY高熵合金涂层,该涂层为体心立方BCC相固溶体结构,该涂层具有较好的耐铅铋高温腐蚀性能。此外,本发明制备的的高熵合金涂层实验重复性和可行性高,流程简单,易操作,粉末成本较低,易形成高熵合金,为激光熔覆技术制备高熵合金涂层在表面改性领域拓宽应用方向。

    一种利用氢离子辅助制备碳化钛水凝胶的方法

    公开(公告)号:CN113943002B

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202111181931.2

    申请日:2021-10-11

    Abstract: 一种利用氢离子辅助制备碳化钛水凝胶的方法,它涉及一种制备Ti3C2Tx水凝胶的方法。本发明的目的是要解决现有方法无法制备纯三维Ti3C2Tx水凝胶的问题。方法:一、将少层Ti3C2Tx纳米片溶液倒入盐酸中,上下摇晃,再静置,得到水凝胶;二、透析、冷冻干燥,得到三维Ti3C2Tx水凝胶。本发明制备的三维Ti3C2Tx水凝胶在1V/s的扫速下拥有206F/g的高比电容。本发明可获得一种利用H+辅助制备Ti3C2Tx水凝胶的方法。

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