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公开(公告)号：CN105118690A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510582389.X
申请日：2015-09-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86
Abstract: 一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，本发明涉及石墨烯基电极材料的制备方法。本发明要解决现有对垂直生长石墨烯片润湿性进行改善，其中多种合成方法制备具有不同微观结构的石墨烯材料，涉及较多参数的调节，难以准确把握改善的程度及表面改性的机理，而化学修饰的方法涉及化学药品的选取，制备和化学反应，过程相对复杂的问题。方法：一、沉积；二、刻蚀；三、关闭射频电源和加热电源，以Ar为保护气体，冷却到室温，即完成缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法。本发明用于缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN104475898A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410828181.7
申请日：2014-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多孔中间层结构钎缝的异种材料钎焊方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有异种材料钎焊的过程中接头极易产生较大残余应力，进而严重削弱接头的力学性能，甚至导致已经连接好的接头发生破坏的问题。方法：打磨去除陶瓷基复合材料和金属材料表面杂质，然后将纳米氧化铝模板和钎料混合均匀，得到复合多孔中间层钎料，将陶瓷基复合材料与金属材料依次叠放，然后将复合多孔中间层钎料置于陶瓷基复合材料与金属材料待焊接面之间，得到待焊件；将待焊件置于真空钎焊炉中，抽真空，并在高温下保温，最后冷却至室温，即完成多孔中间层结构钎缝的异种材料钎焊过程。本发明用于多孔中间层结构钎缝的异种材料钎焊。
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公开(公告)号：CN104445443A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410815723.7
申请日：2014-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备纳米片结构氧化钴电极的方法，本发明涉及制备电极的方法。本发明要解决现有氧化钴赝电容存在比电容较低的问题。本发明的方法：在Si基底上制备Co镀层，然后将其置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节气体流量、压强，升温到一定温度后，再通入氧气，调节氩气及氧气气体流量，调节温度、射频功率、压强，进行沉积，沉积结束后，即得到纳米片结构氧化钴电极。本发明用于制备纳米片结构氧化钴电极。
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公开(公告)号：CN104096939A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410353044.2
申请日：2014-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B23K1/008 , B23K1/19 , B23K1/20 , B23K1/206 , B23K2103/16 , C23C16/272 , C23C16/44
Abstract: 一种新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有陶瓷基复合材料表面钎料难润湿性而导致钎焊接头力学性能差的问题。方法：去除陶瓷基复合材料表面杂质，然后将陶瓷基复合材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节温度及压强，再通入甲烷气体进行沉积，沉积结束后，得到表面形成渗碳层的陶瓷基复合材料，将钛基钎料置于表面形成渗碳层的陶瓷基复合材料和金属材料的待焊接面之间，并放置于真空钎焊炉中，抽真空并在高温下保温，冷却，即完成新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊过程。本发明用于一种新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法。
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公开(公告)号：CN109369210B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811487901.2
申请日：2018-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: 一种低膨胀柔性中间层辅助钎焊的方法，它涉及一种中间层辅助钎焊的方法。本发明要解决现有陶瓷与金属热膨胀系数差异较大造成钎焊接头残余应力过大、陶瓷增强相的引入量小，且使得焊缝脆性加剧的问题。方法：一、将称取的负热膨胀系数粉末与偶联剂粉末进行球磨混合，然后真空退火，得到退火后的混合粉末，将退火后的混合粉末与称取的金属基体粉末混合，热压烧结，得到低膨胀柔性中间层；二、按待焊陶瓷、钎料箔片、低膨胀柔性中间层、钎料箔片及待焊金属的顺序依次叠放，将陶瓷/钎料箔片/低膨胀柔性中间层/钎料箔片/金属置于真空炉中进行钎焊，最后随炉降温。本发明用于低膨胀柔性中间层辅助钎焊。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109369209B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811487865.X
申请日：2018-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: 一种多孔负膨胀陶瓷中间层辅助钎焊的方法，它涉及一种中间层辅助钎焊的方法。本发明要解决现有陶瓷材料与钛合金钎焊连接中，因热膨胀系数差异造成的残余应力过大，增强体添加量不足、易反应消耗活性元素降低接头性能的问题。方法：一、利用聚氨酯模板法制备多孔负膨胀陶瓷中间层，然后将多孔负膨胀陶瓷中间层浸渍于酚醛丙酮溶液中，将酚醛/多孔陶瓷中间层浸渍于钛酸丁酯，再置于水蒸气中，最后将TiO2/酚醛/多孔陶瓷中间层置于氩气炉中退火，得到TiC/C/多孔负膨胀陶瓷中间层；二、将钎料粉末涂布于TiC/C/多孔负膨胀陶瓷中间层上，然后置于预处理后的金属与预处理后的陶瓷之间，最后钎焊。
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公开(公告)号：CN111097423A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN202010031961.4
申请日：2020-01-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J23/755 , B01J35/10 , B01J35/02 , C25B11/06 , C25B1/04
Abstract: 一种镍基层状双金属氢氧化物纳米片及其室温快速绿色制备方法和应用。本发明属于电催化功能材料领域。本发明解决了传统水热或溶剂热的制备方法需要较高的温度和压力，且制备时间长，工艺复杂，同时有害副产物多的技术问题。本发明的方法将泡沫镍在金属盐溶液中浸润之后，放在空气中陈化，得到具有二维片层结构的镍基层状双金属氢氧化物纳米片。该纳米片作为电催化功能材料领域的电极片应用。本发明的方法反应时间短，工艺简单，条件可控，通用性强，可用于制备包括镍锆、镍钒、镍铁、镍钴等多种镍基层状双氢氧化物纳米片，适于工业大规模生产，所得纳米片，具有优良的电催化性能，催化活性位点多，在电解水制氢工业生产中有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109369209A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811487865.X
申请日：2018-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: 一种多孔负膨胀陶瓷中间层辅助钎焊的方法，它涉及一种中间层辅助钎焊的方法。本发明要解决现有陶瓷材料与钛合金钎焊连接中，因热膨胀系数差异造成的残余应力过大，增强体添加量不足、易反应消耗活性元素降低接头性能的问题。方法：一、利用聚氨酯模板法制备多孔负膨胀陶瓷中间层，然后将多孔负膨胀陶瓷中间层浸渍于酚醛丙酮溶液中，将酚醛/多孔陶瓷中间层浸渍于钛酸丁酯，再置于水蒸气中，最后将TiO2/酚醛/多孔陶瓷中间层置于氩气炉中退火，得到TiC/C/多孔负膨胀陶瓷中间层；二、将钎料粉末涂布于TiC/C/多孔负膨胀陶瓷中间层上，然后置于预处理后的金属与预处理后的陶瓷之间，最后钎焊。
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公开(公告)号：CN105405684B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510968802.6
申请日：2015-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种等离子处理改善Al集电极的方法，本发明涉及电极材料的制备方法。本发明要解决现有Al集电极材料中由于致密氧化层存在，导致的界面电阻较高，载流子扩散较慢的问题。本发明的方法：对铝箔进行清洗处理，将清洗后的铝箔置于等离子体化学气相沉积真空装置中，通入氢气和氩气并调节压强，在氢气和氩气气氛中升温，调节参数，刻蚀处理；最后通入氩气和甲烷，调节气体流量，压强和射频功率，沉积碳层，即可完成等离子处理。本发明用于等离子处理改善Al集电极的方法。
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公开(公告)号：CN105070526B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510566763.7
申请日：2015-09-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种四氧化三钴/石墨烯三维混合结构柔性电极的制备方法，本发明涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有化学剥离法制备石墨烯容易发生堆叠，无法发挥其巨大比表面积的优势，同时四氧化三钴存在循环稳定性差的问题。方法：一、制备预处理后的氧化石墨烯溶液；二、制备三维结构石墨烯/泡沫镍材料；三、乙酸钴、六亚甲基四胺及三维结构石墨烯/泡沫镍材料反应，清洗，即得到四氧化三钴/石墨烯三维混合结构柔性电极。本发明用于一种四氧化三钴/石墨烯三维混合结构柔性电极的制备方法。
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