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公开(公告)号:CN111474905B
公开(公告)日:2021-07-06
申请号:CN202010297279.X
申请日:2020-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G05B19/418
Abstract: 一种机电产品制造过程参数漂移故障诊断方法,属于机电产品质量形成过程建模与诊断技术领域,包括如下步骤:基于制造过程调研分析得到制造过程中关键输入、输出参数;基于试验设计技术和虚拟样机技术,建立制造过程参数‑产品性能参数快速计算模型;结合具体制造过程参数均值和方差可能出现故障模式和故障漂移范围,均匀选取足够多均值‑方差样本组,基于蒙特卡洛方法和替代模型得到机电产品制造过程故障特征库;基于智能诊断算法和故障特征库,对故障诊断模型进行训练,并对模型精度进行验证。本发明解决了机电产品制造过程复杂,模型输入输出参数映射关系难以获得从而对制造过程参数均值或方差漂移故障难以诊断的问题,具有良好推广应用前景。
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公开(公告)号:CN112668265A
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN202110007279.6
申请日:2021-01-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 一种基于Saber软件的SiC MOSFET SPICE模型图形化修正方法,属于新型器件的建模与仿真领域。所述方法通过Saber仿真软件的Model Architect工具中Scanned Data Utility功能、Optimizer Utility自动拟合功能建立初步模型。通过选取Saber软件中Model Architect工具提供的Toggle Anchor Objects锚点工具对所建模型进行图形化修正,并通过理论分析和实测数据指导并检验所建模型的准确性。本发明建立的模型经过理论验证和与实际测试数据的对比,显示出比较好的准确性和严谨性,可以为包含SiC MOSFET的复杂电路仿真方法提供依据。
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公开(公告)号:CN111506998A
公开(公告)日:2020-08-07
申请号:CN202010297290.6
申请日:2020-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/18
Abstract: 一种构建机电产品制造过程参数漂移故障特征样本库的方法,属于制造过程建模与诊断技术领域,包括如下步骤:结合制造过程建立机电产品虚拟样机模型,并将关键制造过程参数注入虚拟样机模型;基于试验设计技术和虚拟样机模型,建立制造过程参数-产品性能参数快速计算模型;针对具体制造过程参数确定其均值或方差可能出现故障,通过蒙特卡洛方法虚拟出对应批次制造过程参数数据,并带入快速计算模型得到对应批次产品性能参数数据,对数据进行统计和特征提取,存入数据库中,建立制造过程参数均值或方差漂移故障特征样本库。本发明的故障特征样本库应用于机电产品制造过程故障诊断中,极大降低了故障诊断方法的复杂度,具有良好的推广应用前景。
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公开(公告)号:CN111046555A
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201911267915.8
申请日:2019-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/04 , G06F119/02
Abstract: 时变退化质量特征补偿的全寿命周期质量稳健性优化方法,属于电磁继电器质量优化设计领域。分析确定电磁继电器关键设计参数,进行线性度分析,基于K-L展开方法将电磁继电器全寿命周期进行展开,分为若干个子寿命区间,使用克里金方法将子寿命区间的质量稳健性特征参数建模,并进行统一化表达,建立电磁继电器全寿命周期质量稳健性模型,质量稳健性特征要求水平选取合适的质量特征水平,计算时变退化参数作用下的电磁继电器质量稳健性特征偏移度,将质量偏移补偿到全寿命周期质量稳健性的需求,使用蒙特卡洛生成批量样本,计算输出特征,验证优化效果。为解决电磁继电器产品全寿命周期质量稳健性设计优化提出了一种新方法。
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公开(公告)号:CN110941927A
公开(公告)日:2020-03-31
申请号:CN201911359431.6
申请日:2019-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种永磁同步电机转子动偏心位移计算方法,属于永磁同步电机检测技术领域。方法是:根据永磁同步电机的组成特点、结构参数以及电磁方案确定其本体结构仿真模型;根据永磁同步电机的实际制造工艺参数,通过有限元仿真得到永磁同步电机的三相自感互感波形;基于Simulink建立永磁同步电机SVPWM双闭环控制电路,仿真得到永磁同步电机的空载电流。建立转子动偏心位移仿真模型,根据步骤二仿真输出永磁同步电机的空载电流,根据最小二乘法拟合,得到不同转子动偏心位移对应的特征频率含量。根据电机实际结构参数尺寸建立电机仿真模型,得到批量空载电流特征频率含量,根据步骤五计算批量转子动偏心位移。本发明解决了目前永磁同步电机转子动偏心位移计算的问题。
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公开(公告)号:CN110941912A
公开(公告)日:2020-03-31
申请号:CN201911267935.5
申请日:2019-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/04
Abstract: 多退化机理耦合的电磁继电器全寿命周期可靠性评估方法,涉及电磁继电器评估方法。分析确定退化参数;对温度场分布工作剖面进行剖析;实验获取退化参数数据,建立电磁继电器单参数退化模型;形成多元退化字典库;建立温度场分布耦合计算模型;展开虚拟实验过程,得到多退化耦合作用下的电磁继电器关键零部件和制造工序过程参数退化数据;建立耦合退化模型;将耦合退化模型代入到温度场分布耦合计算模型中,根据温度场分布的退化失效阈值计算得到伪寿命;通过拟合计算得到伪寿命分布类型的参数,进而完成可靠性的评估。补充了当前电磁继电器可靠性评估过程中多退化机理耦合作用综合考虑方法的缺失。
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公开(公告)号:CN110929448A
公开(公告)日:2020-03-27
申请号:CN201911359419.5
申请日:2019-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种永磁同步电机空载电流一致性仿真分析方法,属于永磁同步电机性能与一致性分析技术领域。步骤是:构建永磁同步电机空载电流与影响空载电流的n个底层结构参数pi(i∈1,...,n)的集合P={p1,p2,...,pn}(n<∞)之间的模型关系;构建永磁同步电机外加控制电路,形成控制系统模型;通过有限元模型仿真得到对应结构参数下永磁同步电机三相自感和互感值,计算得到DQ电感值;构建反映永磁同步电机空载电流与n个底层结构参数集合P以及m(n<∞,m≤n)个材料属性之间的模型;得到电机尺寸和电机空载电流之间的映射关系,从而建立克里金近似模型;根据近似模型计算出批量电机空载电流有效值,进而进行永磁同步电机的空载电流一致性分析。本发明解决了永磁同步电机建模方法无法考虑参数分散性对空载电流影响问题。
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公开(公告)号:CN109683118A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201811502847.4
申请日:2018-12-10
Applicant: 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 华北电力科学研究院有限责任公司 , 国家电网有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 威胜集团有限公司
Inventor: 李文文 , 袁瑞铭 , 吕言国 , 高舜安 , 易忠林 , 鲁观娜 , 丁恒春 , 巨汉基 , 叶雪荣 , 徐占河 , 刘影 , 殷庆铎 , 岳虎 , 姜振宇 , 郭磊 , 翟国富 , 汪洋 , 刘丽 , 郑小平
IPC: G01R35/04
CPC classification number: G01R35/04
Abstract: 本发明提供了一种基于变压器改进的电能表保护特性优化方法及装置。该方法包括:构建电能表电源回路的电路仿真模型及电能表热仿真模型,随机选取多个元器件参数组合代入各电路仿真模型中,确定各元器件处的多组电压值及电流值,代入电能表热仿真模型中,确定虚拟热仿真模型;选取多个牌号的硅钢片,在硅钢片的标定铁心参数对应的损耗范围内选取多个第一损耗值,根据虚拟热仿真模型,得到多个第一温度值,进行拟合确定函数关系;在硅钢片的铁心参数分布范围内选取多个铁心参数,确定对应的第二损耗值,根据函数关系确定对应的第二温度值,对第二温度值进行分布拟合,确定各硅钢片对应的概率密度函数;确定各硅钢片对应的误保护概率及最优硅钢片。
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公开(公告)号:CN109033556A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810726728.0
申请日:2018-07-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种结合工艺及可靠性框图的继电器类单机贮存可靠性评估方法,所述方法将从厂家调研的工艺数据注入到所建立的继电器有限元仿真模型中,得到其输出特性初始分布特性;通过分析继电器类单机实际出现的失效模式及失效机理,建立基于失效物理的退化模型,结合继电器初始分布特性及加速贮存退化试验实测数据,得到具有分布特性的继电器输出特性退化模型;将失效阈值带入继电器输出特性退化模型中,得到继电器贮存可靠度数据,并带入所建立的继电器类单机贮存可靠性框图中,实现对继电器类单机贮存可靠度的评估。本发明解决了小子样问题下继电器类单机贮存可靠性评估准确度低的问题。
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公开(公告)号:CN108984882A
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:CN201810726727.6
申请日:2018-07-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种结合制造工艺及仿真的滚控电子模块贮存可靠性评估方法,所述方法首先通过建立滚控电子模块功能仿真模型,结合厂家调研结果,利用灵敏度分析方法确定影响滚控电子模块输出特性的底层关键元器件;然后结合失效模式及失效机理分析、输出特性参数初始分布及加速贮存退化试验实测数据,得到具有分布特性的底层关键元器件贮存退化数据,并将其注入滚控电子模块功能仿真模型中,得到滚控电子模块输出特性参数的贮存退化数据;最后利用最小二乘方法,得到滚控电子模块分布参数的退化轨迹,结合失效阈值,实现对滚控电子模块的贮存可靠性评估。本发明为滚控电子模块的贮存可靠性评估提供了一种新的思路。
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