公开(公告)号：CN109427877A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810765977.0

申请日：2018-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡惠铭 ,  叶凌彦

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在制造负电容结构的方法中，在设置在衬底上方的第一导电层上方形成铁电介电层，并且在铁电介电层上方形成第二导电层。铁电介电层包括非晶层和晶体。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN104733529B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410387026.6

申请日：2014-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦友 ,  陈弘耀 ,  施启元 ,  叶凌彦 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的鳍结构。本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。示例性FinFET包括具有主要表面的衬底和从主要表面突出的鳍结构。鳍结构包括：上部，上部包括具有第一晶格常数的第一半导体材料，其中，上部包括具有第一宽度的第一基本垂直部分和位于第一基本垂直部分上方的具有小于第一宽度的第二宽度的第二基本垂直部分；以及下部，下部包括具有小于第一晶格常数的第二晶格常数的第二半导体材料，其中，下部的顶面具有小于第一宽度的第三宽度；FinFET还包括覆盖第二基本垂直部分的栅极结构。

公开(公告)号：CN103107196B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210041249.8

申请日：2012-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万幸仁 ,  叶凌彦 ,  施启元 ,  林以唐 ,  张智胜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66818 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211

Abstract: 本发明涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET的一个示例性结构包括：具有顶面的衬底；在衬底顶面上方延伸的第一鳍片和第二鳍片，其中，每个鳍片均具有顶面和侧壁；位于第一鳍片和第二鳍片之间的绝缘层，该绝缘层从衬底顶面沿着鳍片的一部分向上延伸；覆盖第一鳍片的顶面和侧壁且具有第一厚度的第一栅极电介质和覆盖第二鳍片的顶面和侧壁且具有小于第一厚度的第二厚度的第二栅极电介质；以及跨过第一栅极电介质和第二栅极电介质两者的导电栅极带。本发明提供了鳍式场效应晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN104733529A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410387026.6

申请日：2014-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦友 ,  陈弘耀 ,  施启元 ,  叶凌彦 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的鳍结构。本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。示例性FinFET包括具有主要表面的衬底和从主要表面突出的鳍结构。鳍结构包括：上部，上部包括具有第一晶格常数的第一半导体材料，其中，上部包括具有第一宽度的第一基本垂直部分和位于第一基本垂直部分上方的具有小于第一宽度的第二宽度的第二基本垂直部分；以及下部，下部包括具有小于第一晶格常数的第二晶格常数的第二半导体材料，其中，下部的顶面具有小于第一宽度的第三宽度；FinFET还包括覆盖第二基本垂直部分的栅极结构。

公开(公告)号：CN103050533A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210293400.7

申请日：2012-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万幸仁 ,  叶凌彦 ,  施启元 ,  林以唐 ,  张智胜 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

Abstract: 一种半导体装置，包括：具有成型鳍和规则鳍的鳍式场效晶体管(FinFET)。成型鳍的顶部可以小于、大于、薄于、或短于规则鳍的顶部。成型鳍的底部和规则鳍的底部相同。FinFET可以具有仅一个或多个成型鳍、一个或多个规则鳍、或成型鳍和规则鳍的混合。将一个鳍成型的半导体制造工艺包括：形成一个鳍的光刻开口，可选地掺杂鳍的一部分，以及蚀刻鳍的一部分。本发明还提供了一种用于三维晶体管应用的采用等离子体掺杂和蚀刻的选择性鳍成形工艺。

公开(公告)号：CN101419979A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810084525.2

申请日：2008-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游明华 ,  叶凌彦 ,  李资良

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包含P型沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极及源极区，位于衬底上，该P型沟道金属氧化物半导体晶体管包含第一应变层，位于该P型沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极及源极区内，以及第一覆盖层，与该应变层接触；N型沟道金属氧化物半导体晶体管(NMOS)的漏极及源极区，位于该衬底上，该N型沟道金属氧化物半导体晶体管包含第二应变层，位于该P型沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极及源极区内，以及第二覆盖层，与该应变层接触。