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公开(公告)号：CN114203379A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111414965.1
申请日：2021-11-25
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种稀土永磁体、烧结磁铁类材料、制备方法、应用。其中，烧结磁铁用材料包括第一组分和第二组分，第一组分包括：R：29mas％～33mas％，R为稀土元素；B：0.86mas％～1mas％；Cu：0～0.5mas％、且不为0；Ga：0～0.5mas％、且不为0；Fe：64mas％～70mas％；第二组分包括抗氧化剂与高熔点碳化物，高熔点碳化物包括碳化钛、碳化锆、碳化铬、碳化铌、碳化钽、碳化钼、碳化钨、碳化钒和碳化铪中的一种或者多种；高熔点碳化物的含量为0.1～0.5mas％，mas％为各组分占烧结磁铁用材料的质量百分比。本发明的烧结磁铁的剩磁和矫顽力能够同时保持在较高的水平。
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公开(公告)号：CN111081444B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010016222.8
申请日：2020-01-08
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: H01F1/057 , H01F41/02 , C22C38/10 , C22C38/06 , C22C38/16 , C22C38/14 , B22F3/10 , B22F3/24 , B22F9/02 , B22F9/04
Abstract: 本发明公开了R‑T‑B系烧结磁体及其制备方法。该R‑T‑B系烧结磁体包含：R、B、Ti、Ga、Al、Cu和T，其含量如下：R的含量为29.0～33％；B的含量为0.86～0.93％；Ti的含量为0.05～0.25％；Ga的含量为0.3～0.5％，但不为0.5％；Al的含量为0.6～1％，但不为0.6％；Cu的含量为0.36～0.55％；所述百分比为质量百分比。本发明通过采用低B技术，在不添加或少量添加重稀土的情况下，既提高了R‑T‑B系烧结磁体的剩磁性能，也保证了磁体的矫顽力和方形度。
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公开(公告)号：CN111091945B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201911425263.6
申请日：2019-12-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R‑T‑B系永磁材料包括以下组分：R、B、Ti、Cu和Ga；R：29.0～31.5wt％；B：0.87‑0.91wt％；所述R为稀土元素；所述R中包括轻稀土元素RL，所述RL中包括Nd；所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式：(1)0＜Ti/(Cu+Ga)≤0.8；(2)0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5；wt％是指在所述R‑T‑B系永磁材料中的重量百分比；余量为Fe和Co及不可避免的杂质。本发明中的R‑T‑B系永磁材料性能优异：非晶界扩散品Br≥14.50kGs，Hcj≥15kOe，晶界扩散品：Br≥14.50kGs，Hcj≥25.5kOe实现了Br和Hcj的同步提升。
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公开(公告)号：CN111243807B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010121472.8
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物包括如下质量含量的组分：R：28～33％；R为稀土元素，R包括R1和R2，R1为熔炼时添加的稀土元素，R1包括Nd和Dy；R2为晶界扩散时添加的稀土元素，R2包括Tb，R2的含量为0.2～1％；M：≤0.4％、但不为0，所述M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；Cu：≤0.15％、但不为0；B：0.9～1.1％；Fe：60～70％，且不含Co。本发明的钕铁硼磁体材料可在添加少量的重稀土元素、且不添加钴元素的条件下，仍然具有较高的矫顽力、剩磁，且热稳定性佳。
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公开(公告)号：CN110571007B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910829486.2
申请日：2019-09-03
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种稀土永磁材料、原料组合物、制备方法、应用、电机。以重量百分比计，该稀土永磁材料包括下述组分：R 28.5‑33.0wt％；RH＞1.5wt％；Cu 0‑0.08wt％，但不为0wt％；Co 0.5‑2.0wt％；Ga 0.05‑0.30wt％；B 0.95‑1.05wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。本发明中的R‑T‑B系永磁材料性能优异，在永磁材料中重稀土元素含量为3.0‑4.5wt％的条件下，Br≥12.78kGs，Hcj≥29.55kOe；在永磁材料中重稀土元素含量为1.5‑2.5wt％的条件下，Br≥13.06kGs，Hcj≥26.31kOe。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111048273B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911418433.8
申请日：2019-12-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R‑T‑B系永磁材料包括以下组分：R：29‑31.0wt％；RH大于1wt％；B：0.905‑0.945wt％；C：0.04‑0.15wt％；N：0.1‑0.4wt％；Fe：67‑69wt％；N包括Cu和/或Ga；R包括RL和RH；所述RL为轻稀土元素，所述RL包括Nd；RH为重稀土元素；R‑T‑B系永磁材料的晶界处存在(RL1‑yRHy)2T17Cx相，x：2‑3，y：0.15‑0.35；T必须包括Fe，还包括Co、Ti和N中的一种或多种。本发明中的永磁材料在不同的热处理温度下，均保持较高的Br和Hcj。
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公开(公告)号：CN111739705A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010691594.0
申请日：2020-07-17
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R-T-B磁体材料、R-T-B材料及其制备方法。该R-T-B磁体材料的制备方法包括将R-T-B磁体在稀释气体和氧气的混合气体中进行加热处理；R-T-B磁体包括重稀土元素；稀释气体为惰性气体和/或氮气；混合气体中氧气的摩尔浓度为50～10000ppm；加热处理的温度为250～750℃。本发明R-T-B磁体材料为在R-T-B磁体经加热处理之后在R-T-B磁体的表面形成的耐腐蚀层，显著提升了耐腐蚀性、而且不会降低R-T-B磁体本身的磁性能，还提升了方形度。
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公开(公告)号：CN111243807A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010121472.8
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物包括如下质量含量的组分：R：28～33％；R为稀土元素，R包括R1和R2，R1为熔炼时添加的稀土元素，R1包括Nd和Dy；R2为晶界扩散时添加的稀土元素，R2包括Tb，R2的含量为0.2～1％；M：≤0.4％、但不为0，所述M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；Cu：≤0.15％、但不为0；B：0.9～1.1％；Fe：60～70％，且不含Co。本发明的钕铁硼磁体材料可在添加少量的重稀土元素、且不添加钴元素的条件下，仍然具有较高的矫顽力、剩磁，且热稳定性佳。
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公开(公告)号：CN111223626A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010121477.0
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用，原料组合物包含如下组分：R：28～33wt％；R为稀土元素、且包括熔炼用稀土金属R1和晶界扩散用稀土金属R2，R2的含量为0.2～1wt％；R1包括Nd、且不含RH；R2包括Tb；B：0.9～1.1wt％；Cu：0.15wt％以下、且不为0wt％；M：0.4wt％以下、且不为0wt％；M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；Fe：60～70.65wt％；RH为重稀土元素；原料组合物中不含有Co；wt％为各元素占原料组合物的质量百分比。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号：CN111091945A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911425263.6
申请日：2019-12-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R-T-B系永磁材料包括以下组分：R、B、Ti、Cu和Ga；R：29.0～31.5wt％；B：0.87-0.91wt％；所述R为稀土元素；所述R中包括轻稀土元素RL，所述RL中包括Nd；所述Ti、所述Cu和所述Ga满足以下关系式：(1)0＜Ti/(Cu+Ga)≤0.8；(2)0.3≤(Ti+Cu+Ga)≤0.5；wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中的重量百分比；余量为Fe和Co及不可避免的杂质。本发明中的R-T-B系永磁材料性能优异：非晶界扩散品Br≥14.50kGs，Hcj≥15kOe，晶界扩散品：Br≥14.50kGs，Hcj≥25.5kOe实现了Br和Hcj的同步提升。
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