一种耐高温磨损的AlCoCrFeNiNbx高熵合金

    公开(公告)号:CN115821143A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211403550.9

    申请日:2022-11-10

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种耐高温磨损的AlCoCrFeNiNbx高熵合金,其以高纯(99.99%)Al、Co、Fe、Cr、Ni、Nb金属块体为初始原料,去除氧化皮后按照所设计的原子比例对其进行清洗、干燥、称量,然后将处理后的原料按照熔点由低到高依次放入高真空电弧熔炼炉的铜模坩埚中,进行重复熔炼,得到高温耐磨高熵合金。本发明通过在AlCoCrFeNi中加入高熔点、高强度、低密度的Nb元素,通过Nb与其他元素的结合,提升了高熵合金的硬度同时促进了以Al、Cr、Nb元素为主的氧化膜的生成,起到润滑和屏障的作用从而使得所制高熵合金在高温下具有了良好的耐磨性,有望成为航空、航天薄片轴承等零件所需求新的高温下耐磨损的材料。

    一种屏蔽太赫兹波的多孔薄膜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN112939478B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202110046492.8

    申请日:2021-01-14

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种能够屏蔽太赫兹波的多孔薄膜材料的制备方法。以氧化石墨烯水溶液为原料,首先通过转移浸润干燥形成氧化石墨烯薄膜;接着进行切割剪裁并进行固定封装处理;然后在密闭容器内利用水合肼蒸汽对石墨烯薄膜进行还原发泡处理;最后对化学还原处理得到的石墨烯多孔薄膜进行热处理。该方法能够制备出具有表面平整、导电性好、质量轻、厚度薄、疏水等特点的石墨烯多孔薄膜材料。除了导电表面对太赫兹波的反射,该石墨烯多孔薄膜材料因内部孔洞分布均匀、数量多,还能够对入射进入材料内部的太赫兹波形成多次的内部反射增加对电磁波能量的损耗,因此该石墨烯多孔薄膜材料具备成为具有“轻、薄、宽、强”特点的太赫兹波屏蔽材料的潜力。

    一种聚苯乙烯微球制备可用于屏蔽太赫兹波的石墨烯泡沫薄膜的方法

    公开(公告)号:CN113651317A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110864961.7

    申请日:2021-07-29

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种能够屏蔽太赫兹波的轻薄型石墨烯泡沫薄膜的制备方法。该材料以聚苯乙烯微球为硬模板,以高浓度的氧化石墨烯水溶液为基体原料,制备工艺简单,经过简单的物理混合、模具成型、自然干燥和热处理即可制备得到目标材料石墨烯泡沫薄膜。本发明的制备方法制备的石墨烯泡沫薄膜具质量轻(74.66mg/cm3)、厚度薄(220μm)、内部孔隙一致,孔隙率可控等特点。在屏蔽太赫兹波方面,除了导电表面对太赫兹波的反射作用,石墨烯泡沫薄膜内部丰富且一致的圆形空隙能够对太赫兹波形成多次内部反射,经测试该石墨烯泡沫薄膜具有良好的太赫兹波屏蔽性能。

    一种应用于含氧高温氯腐蚀环境的AlFeNiMoNb改性904L合金的制备方法

    公开(公告)号:CN113088783A

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202110275233.2

    申请日:2021-03-15

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种应用于含氧高温氯腐蚀环境的AlFeNiMoNb改性904L合金的制备方法:以高纯(99.99%)Al、Fe、Ni、Mo、Nb金属粉末以及高纯(99.99%)商品化904L超级奥氏体合金为初始原料,采用热压工艺结合真空电弧熔炼技术,制备AlFeNiMoNb改性904L合金(AlFeNiMoNb:904L)。金相分析表明,所得合金获得了与原料完全不同的组织形貌,在结构上更加均匀,904L的单一奥氏体结构转变为枝晶结构。在HCl含量2660ppm、O2含量12%、CO2含量24%、氮气余量气氛中,分别经600℃、700℃、800℃,55小时的高温氯腐蚀实验,结果分析表明,AlFeNiMoNb:904L合金在三个温度下的腐蚀动力学稳定,重量变化小,耐高温氯腐蚀性能均优于904L合金及AlFeNiMoNb合金,且与AlFeNiMoNb合金相比,AlFeNiMoNb:904L成本较低,在性价比上具有明显优势。

    一种屏蔽太赫兹波的多孔薄膜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN112939478A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110046492.8

    申请日:2021-01-14

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种能够屏蔽太赫兹波的多孔薄膜材料的制备方法。以氧化石墨烯水溶液为原料,首先通过转移浸润干燥形成氧化石墨烯薄膜;接着进行切割剪裁并进行固定封装处理;然后在密闭容器内利用水合肼蒸汽对石墨烯薄膜进行还原发泡处理;最后对化学还原处理得到的石墨烯多孔薄膜进行热处理。该方法能够制备出具有表面平整、导电性好、质量轻、厚度薄、疏水等特点的石墨烯多孔薄膜材料。除了导电表面对太赫兹波的反射,该石墨烯多孔薄膜材料因内部孔洞分布均匀、数量多,还能够对入射进入材料内部的太赫兹波形成多次的内部反射增加对电磁波能量的损耗,因此该石墨烯多孔薄膜材料具备成为具有“轻、薄、宽、强”特点的太赫兹波屏蔽材料的潜力。

    一种含硼高熵合金涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN110273153A

    公开(公告)日:2019-09-24

    申请号:CN201910681861.3

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 本发明提供了一种含硼高熵合金涂层及其制备方法,属于合金涂层领域。本发明部分B原子作为间自熔性原子,固溶在面心立方结构的固溶体中,提高涂层的硬度,涂层基体中析出颗粒状和短棒状M2B硬质相,硬质相的析出一方面起到了弥散强化的效果,另一方面,固溶强化效果降低,会降低涂层硬度,但弥散强化对硬度的提高作用会大大地抵消固溶强化降低地涂层硬度的影响,最终,涂层的硬度依然得到提高,且以硼元素为次元素,添加到高熵合金中,通过非金属元素的间隙作用,使合金的堆朵层错能提高,晶格畸变增大,起到固溶强化作用,非金属元素还能与主元素形成硼化物,弥散在合金组织中,产生弥散强化作用,从而使高熵合金硬度和耐磨性提高。

    一种镁系磁性形状记忆合金及其获得方法

    公开(公告)号:CN108563920A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201810318579.4

    申请日:2018-04-10

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种镁系磁性形状记忆合金,通式为Mg2YZ,其中Y=Ti或V,Z=Al、Ga或In。本发明还公开了一种镁系磁性形状记忆合金结构和性质预测方法,基本过程包括:A.计算化学计量比体系的结合能,预判材料存在的可能性,确定初始立方奥氏体结构及磁性配置;B.通过四方变形研究可能的马氏体相变;C.计算弹性常数及声子谱,判断稳定性。本发明采用第一性原理计算法从原子尺度研究镁系合金材料的结构和性质,在深入理解所述合金的微观本质基础上,找到一种磁性形状记忆效应的轻质合金,具有成本低、周期短、重复性好、准确性高的优点。

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