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公开(公告)号：CN119742433A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411792371.8
申请日：2024-12-07
Applicant: 南昌大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种固态电解质及其制备方法与应用，涉及新材料储能技术领域。本发明提供的制备方法包括将羧甲基纤维素锂、聚氧化乙烯、聚乙烯吡咯烷酮和陶瓷粉末混合并凝胶化后涂布成膜，在锂盐溶液内浸泡后干燥制得固态电解质。本发明预先将聚乙烯吡咯烷酮嵌入在固态薄膜内，并通过在锂盐溶液中浸泡能够促使聚乙烯吡咯烷酮部分溶胀，进而锂盐溶液中的锂溶质进入并固化在固态薄膜内，同时聚乙烯吡咯烷酮的加入能够降低聚氧化乙烯的结晶度，增大离子电导率，如此能够综合提高固态电解质的容量保持率。此外，本发明提供的制备方法操作简单，无需使用特殊设备，容易实现规划化生产。
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公开(公告)号：CN117510430A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410023553.2
申请日：2024-01-08
Applicant: 南昌大学
IPC: C07D263/32 , C07D413/04
Abstract: 本发明涉及芳基及异噁唑基取代的噁唑类化合物的合成技术领域，具体为一种噁唑类化合物及其合成方法与应用。本发明首次利用N‑碘代丁二酰亚胺(NIS)与双三氟甲烷磺酰亚胺(HNTf2)作为新型的共促进剂，促进炔烃以及C4‑炔基取代的异噁唑类化合物与乙腈发生分子间的反应构建芳基及异噁唑基取代的噁唑类化合物。该反应无需贵重金属催化剂，无需额外的溶剂，反应8h就可以生成目标产物，最高产率可达93%。因此，本发明的合成方法可在环境友好及温和的反应条件下实现目标噁唑类化合物的高效合成，对开发新型药物及工业生产具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN117253966A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311250923.8
申请日：2023-09-26
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于化学电源碱金属二次电池技术领域，涉及一种利用中子辐照在碱金属表面构建稳定界面膜的方法。通过以不同盐及溶剂为辐照介质，采用中子辐照处理激发辐照介质产生自由基、电子和离子等与碱金属负极发生反应，得到良好离子电导率及机械强度的SEI膜。通过改变辐照介质的组分，浓度，辐照剂量，获得不同性质的富无机组分的SEI膜，提高碱金属负极在碱金属电池中的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN117144456A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311018688.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 南昌大学
IPC: C25F3/02 , H01M4/80 , H01M4/66 , H01M10/0525
Abstract: 本发明属于锂离子电池技术领域，主要涉及一种多孔锂电铜箔及其制备方法。该多孔锂电铜箔表面分布着大小均匀、深浅一致的圆孔，具有高比表面积和多活性位点的特点，能够提高铜箔与活性负极材料的接触面积和附着力，并增加负极材料的负载量，起到提高锂电池能量密度和循环寿命的作用。本发明的制备方法包括如下步骤：首先将一种聚酰亚胺多孔薄膜覆盖于成品铜箔表面，再将其置于阳极板上，然后一并放入硫酸‑硫酸铜溶液中，利用电解的方法将与溶液直接接触的铜溶解，从而在铜箔表面形成圆孔。本发明涉及的方法工艺简单、生产效率高、成本低廉、产品稳定性好、成品率高，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109545656B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201811187633.2
申请日：2018-10-12
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种氢化非晶硅薄膜制备方法，包括：S1将单晶硅片清洗并制绒；S2在硅片表面预沉积氢等离子；S3在硅片表面进一步沉积SiHx等离子体基团得到氢化非晶硅薄膜，其中，x=1或2或3；S4对氢化非晶硅薄膜进行退火处理，得到高钝化的氢化非晶硅薄膜。其结合对硅片进行H等离子沉积前期处理和对a‑Si:H薄膜进行退火处理，有效降低了界面区域缺陷密度，优化a‑Si/c‑Si界面质量，进而提高HIT电池的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114669318B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210396178.7
申请日：2022-04-15
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种含有吡啶结构MXene高效催化剂的合成方法及其应用，包括以下步骤：1）将壳聚糖去质子化，然后与MXene进行搅拌，将产物进行离心和洗涤；2）将洗涤后的步骤1最后的产物复溶于乙醇，加入吡啶－4－甲醛溶液冷凝回流，冷却后离心，复溶于甲醇，依次加入FeCl3和4,4－联吡啶，进行反应，冷却后使用去离子水和乙醇洗涤、离心，然后干燥；3）干燥完成的步骤2最后的产物在氮气环境下高温处理一定时间后即得到目标产物。与现有技术相比，本发明中芬顿反应所需pH条件范围更宽、游离态Fe2+不容易氧化失效且不易造成二次污染，铁离子以配合物的形式固定到MXene二维材料表面，利用二维层状结构MXene大的比表面积，增大催化剂的活性位点，提高催化降解效率。
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公开(公告)号：CN114669318A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210396178.7
申请日：2022-04-15
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种含有吡啶结构MXene高效催化剂的合成方法及其应用，包括以下步骤：1）将壳聚糖去质子化，然后与MXene进行搅拌，将产物进行离心和洗涤；2）将洗涤后的步骤1最后的产物复溶于乙醇，加入吡啶－4－甲醛溶液冷凝回流，冷却后离心，复溶于甲醇，依次加入FeCl3和4,4－联吡啶，进行反应，冷却后使用去离子水和乙醇洗涤、离心，然后干燥；3）干燥完成的步骤2最后的产物在氮气环境下高温处理一定时间后即得到目标产物。与现有技术相比，本发明中芬顿反应所需pH条件范围更宽、游离态Fe2+不容易氧化失效且不易造成二次污染，铁离子以配合物的形式固定到MXene二维材料表面，利用二维层状结构MXene大的比表面积，增大催化剂的活性位点，提高催化降解效率。
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公开(公告)号：CN112458530B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202011107174.X
申请日：2020-10-16
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法，包括以下步骤：将直拉单晶硅棒去除头尾、边皮、线切割得到铸造单晶籽晶，对其表面进行喷砂处理，增加其表面粗糙度；从多晶硅块或单晶硅块上切割得到厚片，对厚片表面进行喷砂，增加其表面粗糙度；在坩埚底部铺设第一厚片层；在第一厚片层上铺设铸造单晶籽晶，相邻铸造单晶籽晶之间侧面留有间隙；在每块铸造单晶籽晶上表面正中心位置铺设第二厚片层；第二厚片层上铺设厚片，厚片侧壁紧密贴合，形成第三厚片层，在第三厚片层上放置原生硅料、回收硅料等，当硅料熔化至铸造单晶籽晶层1/2位置时，制造一个垂直方向的温度梯度，从底部向上逐渐凝固得到铸造单晶硅锭。
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公开(公告)号：CN111349964B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010218885.8
申请日：2020-03-25
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶面积占比大、位错密度低的铸造单晶硅制备方法，籽晶拼接缝理想状态下，位错源产生的概率较小；实际操作中存在一定的误差，籽晶的拼接缝放大后观察无法形成绝对的“十字型”，相同籽晶连接在一起无法形成晶界，从而产生位错源；方法包括以下步骤：S1，直拉单晶棒截掉头尾后得到直拉单晶圆棒，沿不同旋转角度去除边皮得到无圆角的单晶方棒，加工得到0°籽晶、11.5°籽晶、23°籽晶、34.5°籽晶；S2，将四种籽晶依次铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层，每块籽晶的八个方向不与同种籽晶相连；S3，在所述籽晶层上放置原生多晶硅料和头尾边等循环料；S4，将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭。
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公开(公告)号：CN112458530A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011107174.X
申请日：2020-10-16
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法，包括以下步骤：将直拉单晶硅棒去除头尾、边皮、线切割得到铸造单晶籽晶，对其表面进行喷砂处理，增加其表面粗糙度；从多晶硅块或单晶硅块上切割得到厚片，对厚片表面进行喷砂，增加其表面粗糙度；在坩埚底部铺设第一厚片层；在第一厚片层上铺设铸造单晶籽晶，相邻铸造单晶籽晶之间侧面留有间隙；在每块铸造单晶籽晶上表面正中心位置铺设第二厚片层；第二厚片层上铺设厚片，厚片侧壁紧密贴合，形成第三厚片层，在第三厚片层上放置原生硅料、回收硅料等，当硅料熔化至铸造单晶籽晶层1/2位置时，制造一个垂直方向的温度梯度，从底部向上逐渐凝固得到铸造单晶硅锭。
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