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公开(公告)号：CN111579957A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010299625.8
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种纳米MOSFET器件的总剂量辐射试验方法、装置和设备。其中，纳米MOSFET器件的总剂量辐射试验方法以多个总剂量试验点对同批器件中的多个器件进行总剂量辐射试验，得到各器件的试验数据；对各试验数据进行处理，得到各总剂量试验点的参数标准差和参数均值；根据各总剂量试验点的参数标准差和参数均值，得到各总剂量试验点上的单个器件栅氧化层的缺陷平均个数；根据泊松分布以及各缺陷平均个数，确定同批器件的缺陷分布情况。基于此，可针对存在涨落效应的纳米MOSFET器件进行辐射后离散数据的统计分布分析，确定单个器件栅氧化层中的缺陷平均个数，最终确定同批器件中栅氧化层内部的缺陷分布情况，为同批器件的总剂量辐射评估和考核提供有效数据。
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公开(公告)号：CN111060794A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911134386.4
申请日：2019-11-19
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种热载流子注入效应的寿命评估方法、装置和计算机设备，其中一种热载流子注入效应的寿命评估方法，可针对SOI器件的自热效应，降低环境温度来进行热载流子注入试验，使得SOI器件在进行热载流子注入试验时的工作温度可以保持在目标温度，进而在进行寿命评估时能够消除自热效应对待测SOI器件热载流子注入效应的影响，提高了输出的寿命时间的可靠性和准确性，对SOI器件的可靠性寿命时间评估方法进行修正与应用，有助于提高工艺加工过程中的SOI器件的热载流子可靠性。
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公开(公告)号：CN110988969A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911080572.4
申请日：2019-11-07
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01T3/00
Abstract: 本申请涉及一种大气中子辐射试验方法、系统和装置，其中一种大气中子辐射试验方法，通过采用待测电子系统整体辐射与辐射敏感部件辐射相结合的方法来确定待测电子系统的辐射效应试验结果，使得辐射效应试验结果能够准确地评估大气中子辐射对待测电子系统的影响，为电子系统大气中子辐射试验提供了试验方法；同时还可根据辐射效应试验结果确定大气中子辐射分别对辐射敏感部件和整个待测电子系统的影响程度，以便于对待测电子系统进行评估，并提供大气中子辐射加固方向。
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公开(公告)号：CN110045204A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910341865.7
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种单粒子闩锁维持电流测试方法、装置及系统。所述方法包括：当监测到处于当前离子束辐照中的待测器件出现单粒子闩锁效应时，采集待测器件的电流，并将采集到的电流确认为效应电流；以效应电流作为待测器件的输入电流的初始值，逐次减小输入电流，直至监测到处于当前离子束辐照中的待测器件、退出单粒子闩锁效应时，将当前的输入电流确认为待测器件对应的退出电流；获取处于下一种离子束辐照中的待测器件对应的退出电流；将各退出电流中的最小值确认为待测器件的单粒子闩锁维持电流，从而，本申请能够获得待测器件在辐射环境下的单粒子闩锁维持电流，提高了测试单粒子闩锁维持电流的准确度，进而为改进器件抗闩锁设计提供数据支持。
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公开(公告)号：CN109696590A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811357663.3
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/001
Abstract: 本发明公开了一种电子器件软错误率评估方法和装置，所述方法通过根据10B同位素的含量判断所述电子器件对热中子是否敏感后，在不同的海拔高度处多次测试同一电子器件的总软错误率，达到分离高能中子、热中子和α粒子软错误率的目的。所有的软错误率都是根据真实大气环境下测试得到的软错误率计算出来的，结果更加可信。另外本发明避免了高能中子、热中子和α粒子软错误率的单独测量，从而规避了热中子和α粒子软错误率不易测量的缺点，大大降低了电子器件软错误率评估的复杂度和成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109669803A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811442640.2
申请日：2018-11-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F11/10
CPC classification number: G06F11/1044 , G06F11/1012
Abstract: 本发明涉及用于降低ECC存储器的软错误率的方法和装置。提供了一种用于降低ECC存储器的软错误率的方法，该方法包括：获取ECC存储器的软错误率的函数关系；根据函数关系确定ECC存储器的软错误率的初始值；判断ECC存储器的软错误率的初始值是否大于预设目标软错误率；当ECC存储器的软错误率的初始值大于预设目标软错误率时，对ECC存储器的外围电路进行加固，以使得加固后的ECC存储器的软错误率小于或等于预设目标软错误率。上述方法可指导ECC存储器的外围电路抗软错误优化设计，将外围电路加固设计程度定量化，实现既降低总体软错误率又不过度加固的目的，保证ECC存储器的软错误率达到实际工程要求。
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公开(公告)号：CN119652316A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411685661.2
申请日：2024-11-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开提供了一种大气中子辐射试验软错误率确定方法、系统、设备及介质，涉及电子器件辐射效应技术领域，包括配置对数模转换电路DAC器件进行大气中子辐射试验的试验参数，试验参数包括至少一类大气中子的能量值、DAC器件参数和测试设备参数；获取DAC器件在试验过程中的数字输入信号、数字输出信号和模拟输出波形；根据数字输入信号、数字输出信号和模拟输出波形，判定DAC器件在试验过程中是否发生单粒子效应并根据单粒子效应的发生次数确定DAC器件的软错误率。本公开通过设置ADC器件，规避模拟信号远距离传输的衰减和畸变，从而更准确的进行软错误率的评估。
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公开(公告)号：CN117991328A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410214788.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明提供了一种宽能谱中子位移损伤强度的确定装置及方法，该装置包括：测量电路、控制模块；测量电路包括硅三极管、源表；硅三极管和源表连接；源表与控制模块连接；通过宽能谱中子源向硅三极管进行宽能谱中子辐照；在达到各预设宽能谱中子注量时向源表发送测量指令；以使源表向硅三极管的发射极和集电极施加偏置电压、基极施加预设电流；在施加完成后测量硅三极管的集电极电流；根据各集电极电流、预设电流，确定宽能谱中子注量与硅三极管的放大系数的倒数变化量之间的系数；根据该系数，计算待确定半导体器件的宽能谱中子位移损伤强度。能够避免通过测量中子能谱数据来计算此种宽能谱中子的位移损伤。
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公开(公告)号：CN113132521B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110238546.0
申请日：2021-03-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H04M1/24
Abstract: 本发明涉及辐射效应评估技术领域，公开了一种移动终端软故障测试方法和系统，包括使得待测移动终端处于测试模式之下；使用中子束流对所述待测移动终端进行辐照测试；控制所述待测移动终端运行不同的应用功能；对所述待测移动终端进行监测，观察并统计所述待测移动终端在运行不同的应用功能时的错误情况；根据所述错误情况区分不同的软故障类型。使用中子束流模拟真实环境中大气中子对待测移动终端的辐照。观察并统计待测移动终端在不同运行模式下的错误情况，并基于待测移动终端的错误情况区分不同的软故障类型。通过高通量的中子源对待测移动终端进行辐照试验，快速激发待测移动终端中可能存在的软故障类型，向产品研发人员提供有效数据支撑。
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公开(公告)号：CN117423686A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311239312.3
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L23/556
Abstract: 本申请涉及一种阿尔法粒子的屏蔽方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：根据电子器件的材料类型和制作工艺，确定屏蔽层的目标材料；根据所述电子器件中阿尔法粒子的来源材料、所述电子器件的有源区，以及所述目标材料，确定所述屏蔽层的目标尺寸参数，以及所述屏蔽层在所述来源材料和所述有源区之间的目标位置；控制器件运维端根据所述目标尺寸参数和所述目标材料，制作所述屏蔽层，并将所述屏蔽层放置于所述目标位置处，以对所述来源材料向所述有源区发射的阿尔法粒子进行屏蔽。采用本方法能够更加准确、有效的降低集成电路中出现软错误的概率。
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