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公开(公告)号：CN106129204B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610627269.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。
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公开(公告)号：CN104538523B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510012923.3
申请日：2015-01-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明公开了一种改善电流扩展的半导体器件，其包括衬底以及形成于所述衬底上的电流扩展层和外延层，所述电流扩展层的材质为导电材料，且所述导电材料与形成所述外延层的半导体材料不相同，其电导率比外延层材料高，因而电流扩展的距离也要高。本发明的器件可以做到较大尺寸和功率，并不需要采用额外的用于电流扩展的电极延长或多个电极并联，从而改善电流扩展，提高了器件的均匀性、功率和效率。
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公开(公告)号：CN103966621B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201410026998.2
申请日：2014-01-21
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明涉及一种分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，在衬底从下至上依次包括GaN层、厚度50nm?5um，InGaN层、10nm?1um，从InGaN层暴露出的部分GaN层上设有n电极；衬底另一面为DBR层；所述DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合构成。GaN层厚度1?5μm、InGaN层厚度100?500nm；DBR层为8?16周期，高折射率与低折射率的材料两者厚度分别为40?70nm和60?90nm。利用生长DBR布拉格反射镜在InGaN电极背面来增强光催化分解水效率的方法，实现了较低的暗电流和低开启电压。
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公开(公告)号：CN102912315A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210344800.6
申请日：2012-09-17
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02
Abstract: 制备InN基薄膜的方法，其利用氢化物气相外延（HVPE）设备生长InN薄膜。蓝宝石或者GaN/蓝宝石复合衬底清洗后，放入HVPE生长系统中，开始生长I nN薄膜；生长区温度：500-650℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；铟源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化铟，金属源区温度700-900℃；HCl流量：1-20sccm，HCl的氮气载气流量10-1000sccm。高纯氨气作为氮源，NH3流量：50-500sccm；生长时间10-120分钟。制备InxGa1-xN合金薄膜时，在上述条件的基础上，镓源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化镓，金属源区温度700-900℃。
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公开(公告)号：CN102856172A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210320301.3
申请日：2012-08-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/30617
Abstract: 一种制备低应力GaN薄膜的方法，通过光助法腐蚀溶剂腐蚀GaN/蓝宝石复合衬底，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底；光助法腐蚀采用紫外光辅助腐蚀，腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合溶液，即NaOH或KOH摩尔浓度范围为0.5-1.5M与K2S2O8的混和物摩尔浓度范围为0.05-0.15M，在室温或50℃以下的温度，反应时间为0.5-10小时；得到纳米结构GaN/蓝宝石复合衬底。本发明用于降低氢化物气相外延（HVPE）生长半导体材料GaN薄膜材料中应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102828240A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210316953.X
申请日：2012-08-31
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/406 , H01L21/30621 , H01L21/3081
Abstract: 制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延（HVPE）生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
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公开(公告)号：CN102465333A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010549729.6
申请日：2010-11-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种立式氢化物气相外延生长系统，包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区内，反应腔体为立式结构，多片外延生长衬底设置在石墨支托上方或倒置在石墨支托下方，尾气出口位于反应腔体下部，其中反应腔体为轴向套管结构，由腔体管和气体导管套接组成，气体导管位于腔体管的入口部份，气体导管的入口部分内部为多路分隔气路结构，多路分隔气路轴向均匀分布，用于将反应气体送至生长区的外延生长衬底处，气体导管的外导管壁延伸超过石墨支托的位置。本发明可以有效的防止预反应和反应尾气造成的沉积、堵塞，提高HVPE系统的持续生长时间，获得目前无法自然不存在、常规方法无法生长的GaN体单晶材料。
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公开(公告)号：CN101355127B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810124467.1
申请日：2008-07-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种提高III族氮化物LED发光效率的量子阱结构，包括蓝宝石衬底层(6)，缓冲层(5)，过渡层(4)，N型导电层(3)，量子阱结构层(2)，P型导电层(1)以及电极层(7)；衬底层(6)上依次为GaN构成的缓冲层(5)，GaN构成的过渡层(4)，N型GaN构成的N型导电层(3)，InGaN/AlGaInN交替构成的量子阱结构层(2)，P型GaN构成的P型导电层(1)以及电极层(7)。量子阱结构层(2)是5-10个周期且层厚分别为5-20nm/15-40nm的InGaN/AlGaInN量子阱结构层。
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公开(公告)号：CN101475150B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810235278.1
申请日：2008-12-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 改进HVPE传输气流均匀性的装置，在立式HVPE生长系统中，生长室反应腔上方设有一个匀气环，匀气环设有连通的气路进口和气路出口构成，其中气路出口设有4-30个，在圆环上均匀分布，匀气环气路进口接有源气体输气终端。尤其是匀气环气路进口至每个气路出口的气体传输管路路径相同。
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公开(公告)号：CN101281864B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810019104.1
申请日：2008-01-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/38
Abstract: 改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法，在HVPE生长过程中，将GaCl或者NH3源气体通过石英喷淋头均匀喷洒在生长衬底的表面上。喷淋头由均匀分布的小孔组成石英板喷淋头，石英板喷淋头与生长衬底平行。本发明通过特别的设计控制源气体GaCl或者NH3在衬底表面的均匀分布，从而改善衬底上方发生反应的源气体的分布更加均匀合适。矩形(方形)结构的喷淋头设计，可以使得气流分布的更加均匀，样品无需旋转。
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