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公开(公告)号：CN107525871A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710911602.6
申请日：2017-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种热重-裂解气相色谱-质谱联用鉴定天然橡胶中非胶组分结构及组成的方法。该方法包括以下步骤：（1）将从天然橡胶中得到的非胶组分进行浓缩、干燥处理；（2）对步骤（1）干燥处理后所得样品进行热重检测分析；（3）依据热重检测分析的结果，采用分步裂解法对样品的组成进行分析，每步的裂解产物经色谱柱有效分离，并通过质谱检索得到裂解产物相应的分子结构信息，根据色谱总离子流图中信号峰的强弱来初步判断原样中物质的组成特征。应用本发明方法可以实现对天然橡胶中非胶组分分子结构及组成进行快速、准确地分析，丰富天然橡胶的应用基础理论，为天然橡胶的种植、加工、质量评价体系的完善及制品生产提供技术指导。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106854387A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201710005595.3
申请日：2017-01-04
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: C09C1/46 , C01P2006/22 , C08K3/04 , C08K9/04 , C08K2201/014 , C09C3/08 , C08L9/06 , C08L7/00
Abstract: 本发明公开了一种橡胶防老剂还原和改性氧化石墨烯及其制备方法与应用，该方法只用一步反应即可同时还原和改性氧化石墨烯，具体为将氧化石墨与水混合，超声剥离，得氧化石墨烯水分散液；将橡胶助剂溶液与氧化石墨烯水分散液混合，加热搅拌，得橡胶防老剂改性石墨烯。本发明中还原剂无毒环保、方法简单易行、反应条件温和，所得石墨烯含氧官能团低、共轭程度高；部分防老剂化学接枝在石墨烯表面，既可以促进石墨烯在橡胶中均匀分散、增强与橡胶基体的界面结合作用，又可以避免防老剂的迁移和挥发、提高其作用效率，从而改善橡胶/石墨烯复合材料的性能。本发明为绿色宏量制备石墨烯和获得高性能橡胶/石墨烯纳米复合材料提供新的机会和途径。
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公开(公告)号：CN106589460A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611148962.7
申请日：2016-12-13
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: C08K9/04 , C08K3/04 , C08K2201/001 , C08L9/06 , C08L7/00
Abstract: 本发明公开了一种橡胶助剂还原和改性氧化石墨烯及其制备方法与应用，该方法只用一步反应即可同时还原和改性氧化石墨烯，具体为将氧化石墨与水混合，超声剥离，得氧化石墨烯水分散液；将橡胶助剂溶液与氧化石墨烯水分散液混合，加热搅拌，得橡胶助剂改性石墨烯。本发明中还原剂无毒环保、方法简单易行、反应条件温和，所得石墨烯表面含氧官能团低、共轭程度高；部分橡胶助剂化学接枝在石墨烯表面，既可以促进石墨烯在橡胶中均匀分散、增强与橡胶基体的界面结合作用，又可以避免橡胶助剂的迁移和挥发、提高其作用效率，从而改善橡胶/石墨烯复合材料的性能。本发明为绿色宏量制备石墨烯和获得高性能橡胶/石墨烯纳米复合材料提供新的机会和途径。
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公开(公告)号：CN211998797U
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201921779152.0
申请日：2019-10-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱。该二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱包括衬底、衬底上的MXene层、生长在MXene层上的InxGa1-xN纳米柱；其中0≤x≤1。本实用新型采用二维MXene作为衬底与InxGa1-xN纳米柱之间的功能层，不仅拓宽了衬底的选择范围，降低了成本；还有效降低了衬底与纳米柱之间的界面阻抗，有利于增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；同时避免了纳米柱在衬底上容易被刻蚀的缺点，提高其光电稳定性。总之，二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱在光电解水制氢、光电探测器、太阳能电池中具有重要应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211125673U
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201921584421.8
申请日：2019-09-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/07 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型属于太阳能电池器件领域，公开了一种远程外延结构及肖特基结太阳电池器件。所述远程外延结构包括依次层叠的GaAs衬底、单层石墨烯层和InAs量子点阵列层。所述肖特基结太阳电池器件包括由上至下依次设置的Ag顶电极、单层石墨烯层、InAs量子点阵列层、单层石墨烯层、GaAs衬底层和Au背电极。本实用新型通过在砷化镓衬底与砷化铟外延层之间引入单层石墨烯层，有效阻断了界面的铟原子与镓原子的互扩散，有效地抑制了量子点结构异化、失活的现象，有效的提升了由其制备的肖特基结太阳电池器件的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210429835U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201921584414.8
申请日：2019-09-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型属于多孔太阳电池领域，公开了一种InP-石墨烯太阳电池。所述InP-石墨烯太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、InP外延层、TiO2空穴阻挡层、石墨烯层和Al2O3减反射层；围绕Al2O3减反射层设置一圈Ag接触电极，Ag接触电极与石墨烯层接触。本实用新型在磷化铟上设置二氧化钛空穴阻挡层，利用二氧化钛能带结构以增大光伏元件的载流子迁移率，从而增大少数载流子的寿命，并在二氧化钛上方附加高透光率、载流子传输速率快、功函数较高的石墨烯，利用能级梯度差进一步增大载流子的势能，从而提高磷化铟电池的转化效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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