公开(公告)号：CN106548840B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201510598234.5

申请日：2015-09-18

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  陈涛 ,  周东祥 ,  胡云香 ,  郑志平 ,  罗为

IPC: H01C7/112 ,  H01C17/00

Abstract: 本发明公开了一种叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法。压敏电阻器由瓷片和Ni电极交替层压生成，两端涂有端电极；所述瓷片由ZnO，Bi2O3，Mn和Co的氧化物，以及BN构成，其中，ZnO的摩尔分数为93％～98.7％，Bi2O3的摩尔分数为0.2％～5％，Mn和Co的氧化物的摩尔分数均为0.01％～5％，BN的摩尔分数为0.1％～6％。本发明采用贱金属Ni作为内电极，同时能防止Ni电极氧化，并有效抑制ZnO及其他添加物在还原气氛中被还原，促进ZnO在烧结过程中成瓷，压敏电阻器具备良好的非线性，制作成本低，适于大规模生产。

公开(公告)号：CN104658727B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201310594610.4

申请日：2013-11-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  周东祥 ,  胡云香 ,  郑志平 ,  罗为 ,  陈涛

IPC: H01C7/112

CPC classification number: H01C7/1006 ,  H01C7/112 ,  H01C7/18 ,  H01C17/06546 ,  Y10T29/49082

Abstract: 本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明具有以下有益效果：（1）本发明所使用的ZnO压敏电阻材料配方适用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属Ni为内电极，可以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性完成，适用于大规模生产；（4）本发明方法所制备出的多层片式压敏电阻器非线性系数可达到30以上，压敏电压小于20V，尺寸可以是英制片式电阻封装尺寸0805、0603、0402和0201。

公开(公告)号：CN104609850B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201510032492.7

申请日：2015-01-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  胡云香 ,  周东祥 ,  郑志平 ,  赵俊 ,  罗为 ,  金泽

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低温共烧微波介质陶瓷基板材料及其制备方法。该基板材料由5ZnO·2B2O3粉料和Pb1.5Nb2O6.5粉料混合烧结而成，其中，Pb1.5Nb2O6.5的摩尔百分比含量为4.5～7.0mol％，基板材料的主晶相为3ZnO·B2O3，次晶相为Pb1.5Nb2O6.5，介电常数εr＝7.7～8.6，品质因数Q×f＝9974～16674GHz，谐振频率温度系数τf＝‑14～+21ppm/℃，满足电路对基板材料的微波介电性能要求，满足与银共烧的烧结温度要求和化学兼容性要求，能很好地实现与银电极的低温共烧，且原料价格低廉，工艺简单，生产成本低。

公开(公告)号：CN105304159A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201410326754.6

申请日：2014-07-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  王文化 ,  周东祥 ,  刘欢 ,  胡云香 ,  郑志平 ,  罗为

IPC: H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明公开了一种多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制备方法和应用。该浆料包括Ni-ZnO复合粉体和有机粘合剂，其中，Ni-ZnO复合粉体的质量百分比为70～80％，有机粘合剂的质量百分比为20～30％；Ni-ZnO复合粉体为ZnO包裹的Ni粉。该方法包括如下步骤：制备Ni-ZnO复合粉体；将质量百分比为70～80％的Ni-ZnO复合粉体和质量百分比为20～30％的有机粘合剂混合后球磨，得到导电浆料。本发明以Ni-ZnO复合粉体为导电相，采用溶液法合成Ni-ZnO复合粉体，提高了内电极的抗氧化性能，改善了电极与陶瓷的共烧匹配性，且工艺简单，成本低，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN104658727A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201310594610.4

申请日：2013-11-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  周东祥 ,  胡云香 ,  郑志平 ,  罗为 ,  陈涛

IPC: H01C7/112

CPC classification number: H01C7/1006 ,  H01C7/112 ,  H01C7/18 ,  H01C17/06546 ,  Y10T29/49082

Abstract: 本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明具有以下有益效果：（1）本发明所使用的ZnO压敏电阻材料配方适用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属Ni为内电极，可以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性完成，适用于大规模生产；（4）本发明方法所制备出的多层片式压敏电阻器非线性系数可达到30以上，压敏电压小于20V，尺寸可以是英制片式电阻封装尺寸0805、0603、0402和0201。

公开(公告)号：CN102896007B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210381369.2

申请日：2012-10-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  周东祥 ,  罗为 ,  龚树萍 ,  胡云香 ,  郑志平 ,  刘欢 ,  赵俊

IPC: B01L3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种微流控器件及其制备方法；微流控器件包括衬底、涂覆于衬底上的缓冲层、附着于缓冲层上的压电层、光刻于压电层上的电极层、涂覆于电极层上的介质层以及涂覆于介质层上的疏水层；电极层中的电极包括网状电极以及多个均匀排列分布于所述网状电极的四周的叉指换能器；网状电极由互相连接的电极块组成。叉指换能器的电极结构可以是单叉指、双叉指或SPUDT结构。本发明提供的微流控器件集成了声波驱动和EWOD两种驱动方式，可降低液滴驱动电压和声波驱动功率，更有效简化芯片制作工艺，降低制造成本。

公开(公告)号：CN103288438B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201310200524.0

申请日：2013-05-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  胡云香 ,  周东祥 ,  刘欢 ,  郑志平 ,  赵俊 ,  罗为 ,  刘婷

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/453 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明公开了一种用作基板材料的低温共烧陶瓷。该陶瓷基板材料的原料配方组成为ZnO、H3BO3、CaCO3和TiO2，烧结后陶瓷基板材料的主晶相为3ZnO·B2O3，次晶相为CaB2O4和Zn2TiO4。该陶瓷基板材料的制备方法为：先由H3BO3与ZnO预烧合成3ZnO·B2O3粉体，再由CaCO3与TiO2预烧合成CaTiO3粉体。然后将合成好的3ZnO·B2O3粉体和CaTiO3粉体混合，其中CaTiO3质量占总质量的百分比为3％～12％，即得到低温共烧陶瓷基板材料粉料。该粉料经加入去离子水进行球磨、烘干、造粒和烧结可得到性能优异的陶瓷基板材料。该材料体系的优选烧结温度为840～880℃，优选烧结温度范围内的微波介电性能为：介电常数εr＝7～8.1；Q×f＝11000～22600GHz，且能与Ag共烧，满足低温共烧陶瓷基板材料的性能要求。

公开(公告)号：CN102946236A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210405161.X

申请日：2012-10-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  周东祥 ,  罗为 ,  龚树萍 ,  胡云香 ,  郑志平 ,  刘欢 ,  赵俊

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明公开了一种可调薄膜体声波谐振器及其制备方法，该制备方法包括步骤S1：在洁净的Si衬底上制备阻挡层；S2：在阻挡层上制备布拉格反射栅，布拉格反射栅由不同声波阻抗薄膜构成；S3：在布拉格反射栅上依次制备粘附层和底电极；S4：在底电极上制备多层异质结构，并作为体声波谐振器的压电层；多层异质结构由BST薄膜、BZT薄膜或BZN薄膜构成；S5：将多层异质结构进行退火处理后形成晶化薄膜；S6：在晶化薄膜上制备顶电极后获得可调薄膜体声波谐振器。本发明采用多层异质结构作为压电层使得体声波谐振器具有相对较低的介电损耗和漏电流，具有相对适中的介电常数和相对较高的可调性；室温下具有较大的优值。

公开(公告)号：CN119312831A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411840862.5

申请日：2024-12-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 罗为 ,  陈发 ,  陈诗雨 ,  曾文苑

IPC: G06K19/067 ,  G06K19/07

Abstract: 本发明提出了一种可磁控的声波射频识别标签，属于无线射频识别技术领域，具体包括：压电衬底表面形成声波传输通道；叉指换能器，设置在所述压电衬底的表面；若干反射栅，设置在所述压电衬底的表面，并与叉指换能器间隔设置；至少一个磁性薄膜，设置在反射栅与叉指换能器之间的压电衬底的表面，并与叉指换能器和若干反射栅间隔设置，用于通过铁磁共振吸收声波的能量，对标签的编码进行动态调控。通过在传统声波射频识别标签的基础上引入了磁性薄膜，由于铁磁共振作用，经过磁性薄膜的声波会被吸收，磁性薄膜对声波能量的吸收程度可以被外磁场控制。

公开(公告)号：CN116332226B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202211489280.8

申请日：2022-11-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 罗为 ,  皮文博 ,  陈曦 ,  侯笑笑 ,  傅邱云 ,  董文 ,  张光祖

IPC: C01G19/02 ,  C01B21/082 ,  G01N33/00

Abstract: 本发明属于半导体氧化物技术领域，更具体地，涉及用于低温下检测H2S气体的复合材料及其制备和应用。本发明首先制备Sb掺杂SnO2微球的前驱体，然后与具有网状结构的g‑C3N4混合研磨后煅烧，得到本发明用于低温检测硫化氢气体的复合材料。其中g‑C3N4的网状结构具有较大的表面积，容易将疏松多孔ATO微球包裹住，在煅烧过程中二者紧密接触，生成的ATO@n‑CN复合材料可以形成异质结，在紫外光的照射下，可以显著提高光生载流子的分离和转移效率，因此可以生成更多的光生电子与复合材料表面的物理吸附氧分子结合，形成更多的高活性化学吸附氧离子，从而可以与更多的H2S气体发生反应，使气敏性能提升。