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公开(公告)号：CN205809461U
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201620538643.6
申请日：2016-06-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本实用新型公开了一种双路电控纳线簇电极的电调光透射薄膜，其包括：由纳米尺度间隔的纳线簇高密度排布构成的图案化公共电极以及分布在其上端和下端的顶面阴极和底面金属纳膜阴极，顶面阴极和图案化公共电极均由透光的纳米厚度的同材质膜制成，底面金属纳膜阴极由纳米厚度的金属膜制成；顶面阴极和图案化公共电极以及图案化公共电极与底面金属纳膜阴极间均填充有纳米厚度的同材质光学介质材料。本实用新型双路电控纳线簇电极的电调光透射薄膜，可对入射光波的透射行为执行精细电控调变，具有适用于宽谱域及较强光束、偏振不敏感、调光响应快的特点。
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公开(公告)号：CN205621733U
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201620197159.1
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146 , G01J5/20
Abstract: 本实用新型公开了一种广谱成像探测芯片。包括热辐射结构和光敏阵列。广谱入射光波进入热辐射结构后，在纳米尖表面激励产生等离激元，驱动图形化金属膜中的自由电子向纳米尖产生振荡性集聚，纳米尖收集的自由电子与等离激元驱控下涌入的自由电子相叠合，产生压缩性脉动，使电子急剧升温并向周围空域发射主要成分为可见光的热电磁辐射，光敏阵列将热电磁辐射转换为电信号，经预处理后得到电子图像数据并输出。本实用新型能将广谱入射光波基于压缩在纳空间中的高温电子运动实现二次可见光辐射进而执行光电转换与成图操作，具有波谱适用范围宽、光电灵敏度高、光电响应快以及成本相对低廉的特点。
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公开(公告)号：CN205407995U
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201620197205.8
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种电调平面与三维光场双模成像探测芯片。包括电控液晶微光学结构和面阵光敏探测器；在电控液晶微光学结构上加载的信号电压的均方幅值高于某一阈值时，电控液晶微光学结构等效为面阵电控液晶微透镜，双模成像探测芯片呈现三维光场成像模式，在电控液晶微光学结构上加载的信号电压的均方幅值低于所述阈值或不加载信号电压时，电控液晶微光学结构等效为对入射光波具有延迟作用的液晶相移板，双模成像探测芯片被调变或切换为具有高空间分辨率的常规平面成像模式。本实用新型具有成像模式切换灵活，调光响应快，以及目标的高空间分辨率平面图像与其局域三维形态/姿态特征兼容获取的特点。
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公开(公告)号：CN205262610U
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201521010652.X
申请日：2015-12-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种液晶基图像与波前双模电调成像探测芯片，包括液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块；液晶微光学结构在时序加电态下为面阵电控液晶微透镜；面阵可见光探测器被面阵电控液晶微透镜依其阵列规模划分成多个子面阵可见光探测器，每单元电控液晶微透镜与一个子面阵可见光探测器对应，构成测量波前模态；液晶微光学结构在时序断电态下为延迟入射波束的液晶相位板，它与面阵可见光探测器构成成像模态。本实用新型的一种液晶基图像与波前双模电调成像探测芯片基于时序电信号捕获目标的出射波前与高像质平面图像，探测效能高，使用方便，易与常规成像光学系统耦合。
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公开(公告)号：CN205787445U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620533115.1
申请日：2016-06-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本实用新型公开了一种基于金属平面微纳线尖电极的电调透光率薄膜，其包括：由金属平面微纳线尖有序密集排布构成的一层图案化阴极和一层平面阳极，它们被分别制作在一层纳米厚度的透光基膜/电绝缘膜的上下表面；在加电态下，阴极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的电场驱控，向金属平面微纳线尖簇其各纳线尖顶聚集，纳线尖金属电连接线上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数电子被纳线尖顶抽走而减少甚至急剧降低。本实用新型基于金属平面微纳线尖电极的电调透光率薄膜可对较宽谱域内的入射波束的光透过率执行电控调变，具有偏振不敏感、驱控灵活以及调光响应快等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205537984U
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201521001838.9
申请日：2015-12-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J9/00
Abstract: 本实用新型公开了一种可寻址测量局域波前的成像探测芯片，包括可寻址加电液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块；液晶微光学结构被划分成可独立施加电驱控信号的多个液晶微光学块，各液晶微光学块具有相同的面形和结构尺寸，被加电液晶微光学块为液晶微透镜阵列块，其余未加电液晶微光学块为液晶相移板块；被液晶微光学块化的液晶微光学结构将与其对应的面阵可见光探测器划分成同等面形和规模的面阵可见光探测器块，各面阵可见光探测器块包含同等数量和排布方式的探测器。本实用新型具有执行可寻址选择及变更局域波前测量的成像探测效能，使用方便，易与常规成像光学系统耦合。
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公开(公告)号：CN205427367U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620197196.2
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/03
Abstract: 本实用新型公开了一种可寻址电调光反射率薄膜。包括阴极，阳极阵列，以及设置在阴极和阳极阵列间的介电层；阳极阵列由M×N元阵列分布的阳极单元构成，阳极单元由规则排列且相互连通的多个子电极构成，可寻址电调光反射率薄膜被划分为M×N元阵列分布的电调光反射率单元，阳极单元与电调光反射率单元一一对应，构成电调光反射率单元的阳极，所有电调光反射率单元共用阴极；通过阳极单元和阴极对电调光反射率单元执行独立加电操作，进而通过调变加载在电调光反射率单元上的电压信号，实现可寻址电调光反射率的控光操作。本实用新型具有偏振不敏感、驱控灵活、调光响应快以及反射光强变动范围大的特点。
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公开(公告)号：CN205621734U
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201620197160.4
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本实用新型公开了一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片。包括面阵电控液晶成像微透镜和面阵光敏探测器，其中，单元电控液晶成像微透镜用于对目标通过物镜形成的压缩光场执行进一步的汇聚式压缩，通过调变加载在所述面阵电控液晶成像微透镜上的信号电压的均方幅值，调变所述单元电控液晶成像微透镜的光汇聚能力，进而调变由物镜和所述单元电控液晶成像微透镜共同确定的目标对焦平面，从而在深度方向上改变能清晰成像的目标图层，执行成像视场在深度方向上的可寻址层析检录。该芯片易与其它功能性光学、光电及电子学结构耦合，易于插入常规成像光路中替换传统光敏成像芯片执行寻址层析视场式的成像探测。
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公开(公告)号：CN205282477U
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201520996058.6
申请日：2015-12-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本实用新型公开了一种复眼与高像质单眼时序电调成像探测芯片，其特征在于，包括液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块；液晶微光学结构在时序加电态下为面阵电控液晶微透镜；面阵可见光探测器被面阵电控液晶微透镜依其阵列规模划分成多个子面阵可见光探测器，每单元电控液晶微透镜与一个子面阵可见光探测器对应，构成电控复眼成像探测模态下的一个成像单眼；液晶微光学结构在时序断电态下为延迟入射波束的液晶相位板，它与面阵可见光探测器构成高像质单眼成像探测模态下的微光学/光电成像结构；在电控复眼成像探测模态下，驱控预处理模块将一个子面阵可见光探测器的各光敏元的光电信号归属到一个单眼的成像探测操作。
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公开(公告)号：CN205263447U
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201521014239.0
申请日：2015-12-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种双模一体化电控液晶光开关阵列。阵列化排布的液晶微光学结构在双路时序电信号驱控下呈现为电控液晶聚光微透镜阵列或电控液晶散光微透镜阵列，源于同一液晶微光学结构的每单元液晶聚光微透镜与每单元液晶散光微透镜有相同光轴；在聚光模式下，在一组相互匹配的双路电信号驱控下形成的液晶聚光微透镜对入射光波实施可调焦聚光操作，构成光开关的开启态；在散光模式下，在另一组相互匹配的双路电信号驱控下形成的液晶散光微透镜对入射光束实施可控光发散程度的散光操作。本实用新型通过加载相应的双路电信号，完成纤光束间的光波通断操作，开关的驱控方式灵活，适用于波谱范围宽、光强变动范围大的光纤/光缆系统。
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