一种导电浆料及其制备方法与在高温多孔背电极中的应用

    公开(公告)号:CN116031015A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202310156507.5

    申请日:2023-02-23

    Abstract: 本发明涉及一种导电浆料及其制备方法与在高温多孔背电极中的应用,属于光电/电子器件的电极制备领域。本发明导电浆料包括导电介质颗粒、高温粘结剂、低温粘结剂、造孔剂、溶剂;其中,高温粘结剂在高温下会熔化,但不会分解挥发,从而起到粘结电极中导电介质颗粒的作用。本发明通过在所述导电浆料中添加高温粘结剂,可以在多孔电极高温退火的过程中经历升温熔化渗透到电极底层,再降温凝固的过程,从而粘结电极中导电介质颗粒,起到增强高温多孔电极的机械性能以及与基底接触的作用。这种导电浆料用于制备可印刷介观钙钛矿太阳能电池中的多孔电极,可以使器件性能得到优化。

    一种可印刷的多孔光学薄膜及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115117179A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202210659508.7

    申请日:2022-06-10

    Abstract: 本发明公开了一种可印刷的多孔光学薄膜及其制备方法与应用,其中制备方法包括:将纳米颗粒、纤维素和松油醇混合,得到浆料,通过丝网印刷将在浆料刷在基底上;对印刷浆料的基底加热去除其中的纤维素,得到多孔光学薄膜;通过调节浆料中纤维素的含量,改变多孔光学薄膜的孔隙率,进而调节多孔光学薄膜的折射率。浆料中纤维素的含量增加,多孔光学薄膜的孔隙率增大,多孔光学薄膜的折射率减小;浆料中纤维素的含量减少,多孔光学薄膜的孔隙率减小,多孔光学薄膜的折射率增大。本发明采用丝网印刷的方法制备光学薄膜,薄膜稳定性和光学性能都较好,制备工艺简单,成本较低,且易于大规模生产,薄膜折射率在大范围内可连续调节,使用范围极广。

    一种P型掺杂卤化物钙钛矿半导体及其制备方法

    公开(公告)号:CN112909174B

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN202110079755.5

    申请日:2021-01-21

    Inventor: 韩宏伟 梅安意

    Abstract: 本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域,具体涉及一种P型掺杂卤化物钙钛矿半导体及其制备方法,该半导体由ABX3型卤化物钙钛矿或其衍生物与P型掺杂剂构成;其中P型掺杂剂由正一价阳离子DA、正一价阳离子DDB、负一价阴离子DX、卤素或拟卤素原子DDX组成;DA生长于钙钛矿或其衍生物的A位,DDB作为掺杂元素生长于钙钛矿或其衍生物的B位,并导致钙钛矿或其衍生物生成X位空位,DX占据钙钛矿或其衍生物的X位,DDX作为掺杂元素占据掺杂元素DDB导致的X位空位,并导致ABX3型卤化物钙钛矿或其衍生物生成空穴,形成P型掺杂卤化物钙钛矿半导体。本发明突破了P型晶格掺杂卤化物钙钛矿半导体的短板,助力卤化物钙钛矿半导体电子/光电子器件的进一步发展。

    单一载流子多孔膜支架及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112919404A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110273910.7

    申请日:2021-03-15

    Abstract: 本发明属于半导体领域,具体涉及单一载流子多孔膜支架及其制备方法和应用,单一载流子多孔膜支架包括单一空穴多孔膜支架与单一电子多孔膜支架。单一空穴多孔膜支架结构依次为第一电极、第一空穴传输层、多孔绝缘支架层和多孔电极层,多孔用于填充半导体,以测试半导体材料中的空穴迁移率、空穴浓度与缺陷态密度。单一电子多孔膜支架结构依次为第一电极、第一电子传输层、多孔绝缘支架层、多孔第二电子传输层和多孔电极层,同样多孔用于填充半导体,用以测试半导体材料中的电子迁移率、电子浓度与缺陷态密度。本发明提出的支架,制备工艺简单,成本低廉,便于灵活调控,适用于宏观化批量生产与高通量SCLC分析测试,是一种行之有效的SCLC器件设计思路。

    一种钙钛矿太阳能电池、其界面修饰层及修饰层制备方法

    公开(公告)号:CN112786790A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202110030628.6

    申请日:2021-01-11

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池、其界面修饰层及修饰层制备方法,其中,界面修饰层的材料包括纳米碳材料和高分子聚合物,纳米碳材料所占质量百分比大于5%、且小于40%。该界面修饰层应用于钙钛矿太阳能电池时,该钙钛矿太阳能电池包括依次堆叠的负极、电子传输层、吸光层、界面修饰层和正极,此时界面修饰层中的纳米碳材料承担空穴提取的作用,高分子承担阻挡钙钛矿吸光层与正极界面载流子复合的作用,可以实现钙钛矿太阳能电池中钙钛矿吸光层/正极界面处空穴的提取与电子的阻挡,从而避免了常规空穴传输层的使用;与此同时,该材料成本较低,可以以较低的成本解决当前空穴传输层对器件性能的制约问题,大大提高了电池的光电转换效率。

    一种基于羟基胺阳离子的卤化物钙钛矿材料及其应用

    公开(公告)号:CN110229070B

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201910539721.2

    申请日:2019-06-21

    Inventor: 韩宏伟 梅安意

    Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域,更具体地,涉及一种基于羟基胺阳离子的卤化物钙钛矿材料及应用。本发明公开的新型的可用于卤化物钙钛矿材料A位的如式(一)所示的羟基胺阳离子以及基于这类材料的卤化物钙钛矿材料:其中,R1和R2各自独立地为氢‑H、甲基‑CH3,氨基‑NH2,羟基‑OH,卤代基‑F、‑Cl、‑Br、‑I或氰基‑CN,且R1和R2不同时为氢‑H。拓展了卤化物钙钛矿材组分与性能设计调控的灵活性,同时羟基胺阳离子中羟基的存在可以赋予卤化物钙钛矿材料更多的有机材料特性。

    一种基于羟基胺阳离子的卤化物钙钛矿材料及其应用

    公开(公告)号:CN110229070A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910539721.2

    申请日:2019-06-21

    Inventor: 韩宏伟 梅安意

    Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域,更具体地,涉及一种基于羟基胺阳离子的卤化物钙钛矿材料及应用。本发明公开的新型的可用于卤化物钙钛矿材料A位的如式(一)所示的羟基胺阳离子以及基于这类材料的卤化物钙钛矿材料: 其中,R1和R2各自独立地为氢-H、甲基-CH3,氨基-NH2,羟基-OH,卤代基-F、-Cl、-Br、-I或氰基-CN,且R1和R2不同时为氢-H。拓展了卤化物钙钛矿材组分与性能设计调控的灵活性,同时羟基胺阳离子中羟基的存在可以赋予卤化物钙钛矿材料更多的有机材料特性。

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