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公开(公告)号：CN114497375A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011163890.X
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院 , 深圳市惠能材料科技研发中心(有限合伙)
Abstract: 本申请公开了一种钙钛矿基X射线探测器及其制备方法。本申请的钙钛矿基X射线探测器包括依序层叠的导电基底、低维钙钛矿层、三维钙钛矿层和顶电极。本申请的钙钛矿基X射线探测器中，低维钙钛矿层的层状结构可有效地抑制直接型钙钛矿基X射线探测器中钙钛矿离子的迁移，而垂直连续生长的三维钙钛矿层则有利于载流子的高效传输，使得所制备的探测器具有高达19530μC Gy‑1cm‑2的灵敏度，在能稳定读取信号的同时仍保持较高灵敏度。
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公开(公告)号：CN113774423A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111016347.1
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C25B11/091 , C25B9/00 , C25B3/07
Abstract: 本发明公开了一种铜基复合纳米材料及其制备方法和应用，该铜基复合纳米材料包括卤素修饰的二维纳米铜氧化物和分散在二维铜氧化物上的铜纳米片，铜纳米片具有高能晶面。根据本申请实施例的铜基复合纳米材料，至少具有如下有益效果：本申请所提供的铜基复合纳米材料中卤素的修饰不仅有助于金属暴露晶面的改性，而且有助于在二维纳米铜氧化物上形成具有高能晶面的纳米片，从而使得最终形成的材料具有丰富活性位点，具有在低电位下产乙酸的高度选择性以及各电位下抑制产氢及提高二氧化碳还原的法拉第效率的效果。
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公开(公告)号：CN113769668A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111014188.1
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: B01J13/00 , C25B11/091 , C25B1/23 , C25B11/052 , C25B9/00
Abstract: 本发明公开了一种铜基凝胶材料及其制备方法和应用，该铜基凝胶材料的制备方法包括以下步骤：取金属无机盐与硼氢化物在水溶液条件下混匀，静置得到金属水凝胶；金属水凝胶洗涤后用无水乙醇浸泡除水，静置干燥后得到金属氧化物气凝胶；其中，金属无机盐的金属元素包括Zn、Ni、Fe、Mn、Co中的至少一种以及Cu。本申请实施例所提供的制备方法可以有效地实现金属元素的种类和比例的调节与控制，制备出的多金属铜基凝胶材料在二氧化碳还原催化中表现出随化学成分规律变化的产物选择性，这为研究二氧化碳还原催化剂的催化性能与其化学成分的关系提供了有效方法，且为高选择性二氧化碳还原催化剂的制备提供了依据。
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公开(公告)号：CN113620311A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110737528.7
申请日：2021-06-30
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种ZSM‑5沸石及其制备方法，并提供了ZSM‑5沸石用作化学反应催化剂或催化剂载体的用途。本发明使用的原料简单，廉价易得，与沸石结晶兼容性好，不会破坏沸石的结晶，可以对沸石结晶过程进行灵活的调控，改变沸石的结晶行为，提高沸石结晶度，提高骨架硅铝比，减少骨架缺陷，提高了催化剂的活性和稳定性，有利于催化反应，制备工艺简单，利于工业化规模生产。另外，本发明制备的ZSM‑5沸石还可作为半导体复合材料催化剂的载体材料，具有极高的兼容性，提高了其光催化反应效率。
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公开(公告)号：CN113502483A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110643142.X
申请日：2021-06-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C25B1/04 , C25B11/095 , C25B11/065 , C25B11/061
Abstract: 本发明公开了一种改性过渡金属基层状双羟基化合物及其制备方法和应用，该改性过渡金属基层状双羟基化合物包括过渡金属基层状双羟基化合物和插接在过渡金属基层状双羟基化合物的层间的导电聚合物；过渡金属基层状双羟基化合物中包含至少一种三价以上过渡金属离子。以上改性过渡金属基层状双羟基化合物中由于在过渡金属基层状双羟基化合物(TMLDH)的层间插接导电聚合物，可提高TM LDH的导电性能，增强其本征催化活性，相比于无插层的TM LDH，表现出更低的分解水过电位和更快的产氧速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112490369A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011292188.3
申请日：2020-11-18
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料的制备方法、钙钛矿半导体器件及其制备方法，半导体材料的制备方法包括以下步骤：沉积羧酸盐溶液，羧酸盐溶液选自羧酸铅溶液、羧酸锡溶液中的至少一种；沉积有机胺盐/脒盐溶液；在50℃～160℃进行退火。本发明使用羧酸盐和有机胺盐/脒盐作为原料，所用的溶剂可以不含DMF、DMSO等强极性且有毒溶剂，适合在极性溶剂敏感和极性溶剂不敏感的各种衬底上生长钙钛矿，并且对环境友好。本发明还利用羧酸盐溶液和有机胺盐/脒盐溶液作为钙钛矿前驱体材料，在碳电极中进行结晶，使得与钙钛矿层直接接触的碳电极材料被钙钛矿材料包裹，造成“钙钛矿/碳”异质结的接触面积增加，以提升器件光电转换性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN112279263A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011173684.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种单分散分子筛微球及其制备方法，所述单分散分子筛微球是由分子筛晶体堆积而成的球形结构，其中，分子筛晶体中铝和硅的摩尔比为0～1:1；所述微球的制备方法包含将单分散多孔二氧化硅微球与铝源、碱以及其它合成前驱体在一定条件下发生蒸气相辅助反应，使得单分散多孔二氧化硅微球与铝源、碱有序排列成晶体骨架结构，形成孔径和尺径可控的单分散分子筛微球。本发明的单分散分子筛微球在吸附、离子交换、催化、生物医药、电子信息、能源环保等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111739677A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010557510.4
申请日：2020-06-18
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01B1/24 , H01G9/20 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种导电碳浆，按质量计，包括溶剂、15～55％碳材料、3～20％分散剂、0.3～10％添加剂，所述添加剂为正硅酸四乙酯和异丙醇铝中的至少一种。通过在碳材料中添加有正硅酸四乙酯和/或异丙醇铝，形成的导电碳浆能够钝化钙钛矿表面缺陷，减少缺陷态密度，从而提高制得的太阳能电池的光电性能。
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公开(公告)号：CN110571337A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910718971.2
申请日：2019-08-05
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种基于预成核控制法在空气中制备钙钛矿薄膜的方法及应用，该方法包括：S1：制备钙钛矿前驱液；S2：将钙钛矿前驱液铺展在基片上，对钙钛矿前驱液进行至少两次溶剂移除处理，使钙钛矿前驱液经过多次成核生成大量晶核，得到中间相液膜；通过多次的溶剂移除处理可控制液膜的浓度始终高于成核阈值，以抑制生成的晶核长大；S3：对该方法得到的中间相液膜进行退火处理，得到致密的钙钛矿膜；本发明通过预先移除溶剂控制前驱液的浓度始终高于成核阈值，在促进大量晶核生成的同时抑制中间相晶核长大，在含水气的空气中，可避免因晶核长大破坏膜的致密性和均一性，生成的钙钛矿膜具有高质量和高可重复性，可脱离手套箱实现大批量制备。
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公开(公告)号：CN110473973A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910645933.9
申请日：2019-07-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池，碳基钙钛矿太阳能电池包括基底、透明导电电极、电子传输层、钙钛矿层和碳电极，或者包括基底、透明导电电极、空穴阻挡层、多孔电子传输层、多孔绝缘间隔层和多孔碳电极，其中均填充有钙钛矿材料，包括以下步骤：取界面后处理材料进行界面后处理，界面后处理材料包括有机酸盐、有机胺、极性溶剂中的任一种，有机酸盐中阴离子包括脂肪酸或芳香酸形成的阴离子，有机胺为R-NH2或NH2-R-NH2，R＝CnH2n+1，n＝1～18；极性溶剂为1～6个碳原子的脂肪醇或者1～6个碳原子的脂肪腈。利用本发明的界面后处理方法能够提高太阳能电池的性能。
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