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公开(公告)号：CN119997595A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510124534.3
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备。制备方法包括：在衬底的第一区域上形成第一极结构，并在衬底的第二区域上形成倒装堆叠晶体管中的第一晶体管；倒片并去除衬底；在第一区域上形成第二极结构，并在第二区域上形成倒装堆叠晶体管中的第二晶体管，第二极结构的离子掺杂类型与第一极结构的离子掺杂类型不同；其中，在第一极结构或第二极结构为基极结构的情况下，在基极结构的第三区域通过离子掺杂形成发射极结构，发射极结构的离子掺杂类型与基极结构的离子掺杂类型不同。通过制备与倒装堆叠晶体管工艺兼容的穿通双极结型晶体管，节省工艺步骤，增强半导体器件电路设计的灵活性。
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公开(公告)号：CN118280925B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410434413.4
申请日：2024-04-11
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体器件的制备方法、半导体器件及电子设备，该半导体器件的制备方法包括：在衬底上形成有源结构；形成第一半导体结构；将第一半导体结构与第一载片晶圆键合并翻转；去除衬底，暴露第二有源结构；形成第二半导体结构；将第二半导体结构与第二载片晶圆键合并翻转；去除第一载片晶圆，暴露第一半导体结构；在第一半导体结构中，形成第一栅极结构；在第一源漏结构上形成第一源漏金属；在第一晶体管上形成第一金属互连结构；将第一金属互连结构与第三载片晶圆键合并翻转；去除第二载片晶圆，以暴露第二半导体结构；形成第二金属互连结构。该方法避免了在形成第二源漏结构时的较高工艺温度影响第一栅极结构和第一金属互连结构。
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公开(公告)号：CN119403125A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411522195.6
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，方法包括：在衬底上沿第一方向依次堆叠形成第一材料层和第二材料层，第一材料层的掺杂浓度和第二材料层的掺杂浓度不同；在WL区域刻蚀第一材料层和第二材料层，以形成半导体结构和BL结构；在WL区域内的BL结构的两侧沉积绝缘介质，以形成介质层；倒片并去除衬底，以暴露半导体结构；在BL区域内刻蚀半导体结构，以形成有源结构；基于有源结构，形成存储器，BL结构作为存储器中的晶体管的源漏结构。本申请通过在WL区域内的BL结构的两侧形成介质层，可以降低BL结构的寄生电容，有利于器件性能的优化。
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公开(公告)号：CN119364839A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411292813.2
申请日：2024-09-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成堆叠结构，堆叠结构包括有源结构和第一牺牲层；在栅极区域内，形成覆盖堆叠结构的伪栅结构；刻蚀未被伪栅结构覆盖的堆叠结构，以形成第一深槽；基于栅极区域内的第一有源结构，在第一深槽内外延生长出第一源漏结构；去除伪栅结构和第一牺牲层，以暴露栅极区域内的有源结构；在被暴露出的有源结构上沉积栅极介质材料，以形成栅介质层；在第一栅介质层之上沉积金属材料，以形成第一栅电极层；倒片并去除半导体衬底；基于栅极区域内的第二有源结构，在第一深槽内外延生长出第二源漏结构；在第二栅介质层之上沉积金属材料，以形成第二栅电极层。
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公开(公告)号：CN119325273A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411295018.9
申请日：2024-09-14
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成鳍状结构；对鳍状结构和衬底进行热氧化处理，以形成输入/输出氧化绝缘层；在输入/输出氧化绝缘层上沉积第一绝缘材料，形成绝缘隔离层；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并减薄衬底，直至暴露第二鳍状结构的第一表面和输入/输出氧化绝缘层的一部分；刻蚀预设高度的第二鳍状结构，以形成第一凹槽；去除暴露出来的输入/输出氧化绝缘层和位于第一凹槽侧壁的输入/输出氧化绝缘层，以暴露绝缘隔离层；在第一凹槽中沉积第一绝缘材料，以形成绝缘隔离结构；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119317172A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411221468.3
申请日：2024-09-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成鳍状结构；在鳍状结构和衬底上沉积氧化物，以形成氧化隔离层；在氧化隔离层上沉积第一绝缘材料，形成绝缘隔离层；绝缘隔离层覆盖氧化隔离层的表面；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并减薄衬底，直至暴露第二鳍状结构的第一表面；刻蚀预设高度的第二鳍状结构，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积氧化物，以形成氧化隔离结构；刻蚀预设高度的氧化隔离结构，以形成第二凹槽；在第二凹槽中沉积第一绝缘材料，以形成绝缘隔离结构；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以降低制备堆叠晶体管的过程中产生的热预算。
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公开(公告)号：CN119317131A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411234319.0
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；在衬底的横向扩散区域进行离子注入，以形成P型阱区和N型漂移区；刻蚀P型阱区和衬底的核心区域，以形成鳍状结构和平面块状结构；平面块状结构基于横向扩散区域中未被刻蚀的N型漂移区形成；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管；对第一鳍状结构进行第一鳍切处理，以形成第一鳍切沟槽，和/或，对第二鳍状结构进行第二鳍切处理，以形成第二鳍切沟槽；第一鳍切沟槽的刻蚀深度为鳍状结构的高度的一半或等于鳍状结构的高度；第二鳍切沟槽的刻蚀深度为鳍状结构的高度的一半或等于鳍状结构的高度。
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公开(公告)号：CN119230410A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411321698.7
申请日：2024-09-23
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种应变沟道FinFET的制备方法，属于集成电路制造技术领域。本发明在Fin线条制作完成之后，通过注入非晶化方法产生非晶硅，采用应变介质层覆盖及高温退火后，使非晶硅再结晶，此时晶硅与应变介质之间即可形成N/PMOS所需的拉应力/压应力，再通过选择性去除应变介质材料，实现应变沟道FinFET的制备。本发明利用应变介质材料与晶体硅之间的晶格错配，进而产生FinFET器件所需的拉应力或者压应力，通过使用单一应变材料实现N/PMOS沟道应变，简化了沟道应力工程的流程，降低了工艺复杂度，具有应用到14nm及以上技术节点的的潜力。
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公开(公告)号：CN119153404A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411135779.8
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备，方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构具有第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分靠近衬底；刻蚀源漏区域内的有源结构，并在第一源漏区域内填充绝缘材料，以形成填充结构，源漏区域包括第一源漏区域和第二源漏区域，第一源漏区域与第一部分对应，第二源漏区域与第二部分对应；基于第二源漏区域，形成第一晶体管的第一源漏结构和第一源漏金属；对第一晶体管进行倒片并去除衬底；通过材料的选择性刻蚀填充结构，以暴露第一源漏区域；基于第一源漏区域，形成第二晶体管的第二源漏结构和第二源漏金属。本申请可以实现正背面晶体管的完全自对准。
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公开(公告)号：CN119133107A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411101564.4
申请日：2024-08-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分，第二部分相对于第一部分靠近半导体衬底；基于第一部分，形成正面垂直堆叠晶体管，正面垂直堆叠晶体管包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的极性不同，第一晶体管和第二晶体管在第一方向上自对准，第一方向为垂直于半导体衬底的方向；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成反面垂直堆叠晶体管，反面垂直堆叠晶体管包括：第三晶体管和第四晶体管，第三晶体管和第四晶体管的极性不同，第三晶体管和第四晶体管在第一方向上自对准。
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