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公开(公告)号：CN102963859A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210451765.8
申请日：2012-11-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构，包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层；所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。该测试结构使用双材料梁作为敏感原件，测试单元优选按照阵列方式排列，以提高整个在线测试结果的可靠性。利用该结构制备MEMS器件的方法可与常用的牺牲层工艺兼容，可同时完成，实现工艺的在线监控。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率，并大大缩短工艺时间。
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公开(公告)号：CN101922008B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010232641.1
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法，属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀，所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽，位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面，和位于腐蚀凹槽侧面的监控面，所述腐蚀面和监控面的晶向相同，所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液，腐蚀液浸没所述腐蚀面，所述监控面，以及所述监控面和所述表面相交的监控线，在腐蚀过程中或腐蚀过程后，通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。
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公开(公告)号：CN101540292B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910081512.4
申请日：2009-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66 , G01L1/06 , H01L29/772
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管侧墙的应力测试方法，属于场效应晶体管制备技术领域。该方法包括：在衬底上制备台阶，形成栅结构；在栅结构上制备氮化硅或氧化硅，各向异性刻蚀形成侧墙结构；定义释放区域，释放侧墙，形成纳米梁结构；利用纳米梁结构的材料杨氏模量、材料波松比和厚度，通过测得纳米梁的弯曲曲率半径、弯曲前的长度和弯曲后的长度，分别得到释放前纳米梁中轴应力和纳米梁释放前沿厚度方向的应力梯度，从而得到侧墙的应力。本发明解决了应变硅器件研究中侧墙结构应力无法测到的问题，有利于提高集成电路设计能力。
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公开(公告)号：CN101922008A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010232641.1
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法，属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀，所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽，位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面，和位于腐蚀凹槽侧面的监控面，所述腐蚀面和监控面的晶向相同，所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液，腐蚀液浸没所述腐蚀面，所述监控面，以及所述监控面和所述表面相交的监控线，在腐蚀过程中或腐蚀过程后，通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。
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公开(公告)号：CN101540292A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910081512.4
申请日：2009-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66 , G01L1/06 , H01L29/772
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管侧墙应力的测试方法，属于场效应晶体管制备技术领域。该方法包括：在衬底上制备台阶，形成栅结构；在栅结构上制备氮化硅或氧化硅，各向异性刻蚀形成侧墙结构；定义释放区域，释放侧墙，形成纳米梁结构；利用纳米梁结构的材料杨氏模量、材料波松比和厚度，通过测得纳米梁的弯曲曲率半径、弯曲前的长度和弯曲后的长度，分别得到释放前纳米梁中轴应力和纳米梁释放前沿厚度方向的应力梯度，从而得到侧墙的应力。本发明解决了应变硅器件研究中侧墙结构应力无法测到的问题，有利于提高集成电路设计能力。
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公开(公告)号：CN100447467C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200510086322.3
申请日：2005-08-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种由微鳞片结构组成的微型阀，属于微流体控制输运领域。该微型阀包括微流道及连接于流道侧壁上的微型鳞片阵列结构，微鳞片彼此平行排布，并与流道侧壁成一定的倾角，顺着鳞片排布方向的流动为正向流动，反之为逆向流动。由于正向流动时鳞片对流体产生的阻力小，而逆向时鳞片对流体产生较大的阻力，因此正向与逆向产生流量差，结构实现了单向阀的功能。本发明利用MEMS微加工工艺或化学合成技术制备，可广泛应用于微流体芯片系统内的流体控制。
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公开(公告)号：CN1891617A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510012079.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种在感应耦合等离子体(ICP)刻蚀中保护刻蚀结构的方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法在感应耦合等离子体ICP干法刻蚀硅结构时，不将硅片刻蚀穿通，在硅结构上PECVD淀积氧化硅，各项同性刻蚀硅结构上表面的氧化硅，再ICP刻蚀剩余未穿通部分的硅，释放硅结构，使硅结构的侧壁形成保护层。本发明保证了刻蚀结构的完整性，使MEMS或NEMS器件具有实际提高工艺结果质量的作用。
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公开(公告)号：CN1684546A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200410033638.1
申请日：2004-04-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种微硅麦克风及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域，该微硅麦克风包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜，多晶硅薄膜为可动极板，单晶硅薄膜上设有若干个释放孔，在多晶硅薄膜上形成加强筋结构，该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应，且镶嵌在释放孔中。本发明的制备方法是利用ICP技术进行深槽刻蚀的制造工艺，该工艺既可以得到释放孔，又可实现带有加强筋结构的多晶硅薄膜，工艺流程简单，工艺兼容好，所制备的麦克风成本低、结构应力小、稳定性好且可靠性高。
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