公开(公告)号：CN106653673B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201510741733.5

申请日：2015-11-03

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 张宝辉 ,  张伟涛 ,  王伟

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明提供一种承载装置及半导体加工设备，包括托盘和盖板，在该托盘的上表面设置有第一凸台，且在该第一凸台的上表面设置有第二凸台，该第二凸台的上表面用于承载晶片；在盖板上，且与第二凸台相对应的位置处设置有通孔，第一凸台和第二凸台位于该通孔中，并且在通孔内设置有压爪，该压爪的下表面与晶片上表面的边缘区域相贴合；第二凸台的直径小于晶片的直径，以在晶片底部的边缘区域形成空隙；在第一凸台的上表面设置有密封圈，该密封圈环绕在第二凸台的周围，且顶端高于第二凸台的上表面。本发明提供的承载装置，其不仅可以避免出现晶片碎片的问题，而且还可以提高晶片的温度均匀性和刻蚀均匀性。

公开(公告)号：CN109659213B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201710934610.2

申请日：2017-10-10

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王伟 ,  李一成

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括腔体、介质窗、用于将介质窗固定在腔体顶部的支撑件，以及用于向腔体内部输送气体的进气机构，该进气机构包括设置在支撑件中的进气通道；该进气机构还包括第一管路和第二管路，其中，第一管路设置在腔体上，且与进气通道一端可拆卸的密封连接，该第一管路用于通过进气通道向第二管路输送气体；第二管路设置在支撑件上，且与进气通道另一端固定密封连接，该第二管路用于将气体输送至腔体内。本发明提供的反应腔室，其不仅可以简化开腔维护流程，降低维护成本，而且可以减少反应副产物在进气管路中的沉积，减少金属污染，从而可以保证工艺结果和产品良率。

公开(公告)号：CN110473814A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910826132.2

申请日：2019-09-03

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 茅兴飞 ,  王伟 ,  楼丰瑞 ,  石锗元 ,  廉串海 ,  吕增富

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种内衬结构、反应腔室和半导体加工设备，该内衬结构包括：内衬主体，包括构成阶梯结构的上环部和下环部，且下环部的外径小于上环部的内径；并且，在上环部上设置有用于供被加工工件出入的内衬开口，该内衬开口延伸至上环部的下端；内门，设置在上环部的下方，且内门的内径与上环部的内径相同，并且内门是可升降的，以能够开启或关闭内衬开口。本发明所提供的内衬结构、反应腔室和半导体加工设备的技术方案，不仅可以避免内门与内衬发生刮擦，而且可以保证腔体内壁和内衬内壁的完整性，从而可以提高气流场的均匀性。

公开(公告)号：CN110416110A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201810401251.9

申请日：2018-04-28

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王伟

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/324 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供一种SOG片预处理方法、SOG片传输方法、翘曲度检测装置及SOG片传输系统，通过确定待预热SOG片的翘曲度，并根据翘曲度、预设的翘曲度阈值和预设的预热时间阈值之间的关系式确定待预热SOG片的预热时间。本发明通过在每个SOG片预处理之前计算每个SOG片的翘曲度，由此计算其预热时间，不同SOG片的翘曲程度不同，相应的预热时间也不同，而不是为多个SOG片设置统一的预热时间，使得预处理工艺更为灵活，也更有针对性，能够提高系统的工作效率和设备产能。

公开(公告)号：CN107086186B

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201610086068.5

申请日：2016-02-15

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王伟

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种反应腔室和基片加工设备，属于微电子技术领域，其可解决现有的反应腔室中，由于用于向晶片底部通入气体的气体引入单元位于基座内部，在基座维护时容易损坏，而且重新确认其位置也比较困难的问题。本发明的反应腔室，包括基座，基座用于支撑晶片，基座内设有向晶片底部通入气体的第一气体通道和气体转接单元，所述反应腔室设置有贯穿其侧壁的第二气体通道，所述反应腔室外设置有气体接入单元；所述气体依次通过所述气体接入单元、第二气体通道、气体转接单元和第一气体通道，到达晶片底部，以使晶片的温度均匀。

公开(公告)号：CN108461441A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201710086745.8

申请日：2017-02-17

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王伟

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供了一种承载装置，用于承载且固定被加工工件，承载装置包括导电层、和叠置于导电层上的绝缘层，绝缘层包括中心体、环形边缘体和凹槽体；在中心体的上表面上设置有凹部，凹部用于放置凹槽体；凹槽体上设置有用于与气源相连的气体凹槽；环形边缘体环绕中心体的侧壁设置；环形边缘体的导热率小于中心体的导热率，和/或，中心体的导热率小于凹槽体的导热率。本发明还提供了一种包括本发明提供的承载装置的工艺腔室。本发明的承载装置和工艺腔室可以提高被加工工件的温度均匀性，从而可以提高工艺均匀性(例如，刻蚀均匀性)。

公开(公告)号：CN222734959U

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202420525883.7

申请日：2024-03-18

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 凌祉堃 ,  司宝 ,  王伟

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本实用新型提供一种升降装置及半导体工艺设备，升降装置包括传动件、伸缩缸及传动轴，伸缩缸的伸缩杆沿竖直方向延伸，伸缩杆的传动端通过浮动接头与传动件连接；伸缩杆沿竖直方向平移时能够带动传动件上升或下降，且伸缩杆的传动端可相对于传动件沿预设水平方向移动；传动轴沿竖直方向延伸，传动轴与传动件固定连接，传动轴用于设置于工艺腔室且相对于工艺腔室沿竖直方向往复平移，传动轴用于与升降对象连接；预设水平方向为伸缩杆的中轴线水平指向传动轴的中轴线的方向。采用本实用新型的升降装置，因伸缩杆和传动轴不同轴设置，传动轴的中轴线可更靠近升降对象，减小了传动尺寸，有利于改善升降对象的运动平稳性。

公开(公告)号：CN208478281U

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201821231497.8

申请日：2018-08-01

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王伟

IPC: H01J37/32

Abstract: 本实用新型实施例公开了一种反应腔室以及等离子体设备，反应腔室包括：腔室本体、内衬、支撑组件和升降驱动装置；内衬包括：第一内衬和第二内衬；第二内衬同轴外套或内套于第一内衬上，在第一内衬与第二内衬之间具有间隙，升降驱动装置用于驱动第二内衬上升或下降；在对晶圆进行工艺处理时，第一内衬和第二内衬的重叠部分的长度为预定长度，使得晶圆位于由第一内衬和第二内衬围成的工艺区域内。本实用新型的反应腔室以及等离子体设备，可以在工艺处理过程中将等离子体限定在一定的工艺区域内，同时能够保护腔室本体的内壁不被刻蚀，提高了工艺过程中的气流均匀性，能够保证工艺长时间稳定，使晶圆中心到边缘的刻蚀结果有较好的一致性，提高产品良率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN217182157U

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202220575827.5

申请日：2022-03-16

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王岩 ,  王伟

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67

Abstract: 本实用新型公开一种半导体腔室的下电极组件及半导体腔室，所述下电极组件包括基座、接口盘、卡盘组件、吹扫件和冷却管路；所述卡盘组件、所述接口盘和所述基座依次叠置，所述接口盘与所述基座围成容纳空间，所述卡盘组件开设有冷却通道，所述冷却管路的部分位于所述容纳空间内，所述冷却管路通过所述接口盘上设置的连通接头与所述冷却通道相连通，所述吹扫件设置于所述容纳空间内，所述吹扫件用于吹扫所述接口盘和所述连通接头。上述方案能够解决下电极组件的安全性较差的问题。

公开(公告)号：CN222734924U

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202420325073.7

申请日：2024-02-21

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 沈浩 ,  李广 ,  王伟 ,  庄岩

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本实用新型提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，半导体工艺腔室包括腔室本体、介质窗、射频线圈、第一测距部件和调节组件，介质窗设置在腔室本体的顶部；射频线圈设置在腔室本体外，并位于介质窗的上方；第一测距部件与射频线圈配合并朝向介质窗设置，用于检测射频线圈与介质窗之间多个位置的第一间距；调节组件与射频线圈配合设置，用于根据第一间距，来调节射频线圈与介质窗的平行度。本实用新型提供的半导体工艺腔室及半导体工艺设备，能够对静电卡盘与射频线圈的平行度进行检测并调节，从而能够改善静电卡盘与射频线圈的平行度，进而能够改善晶圆的刻蚀均匀性。