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公开(公告)号：CN117766632A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311807582.X
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种长波、甚长波红外探测器的侧壁胶保护刻蚀方法，包括如下方法步骤：S1、取一已形成台面硬掩膜的红外材料；S2、采用电感耦合等离子体法刻蚀红外材料，使红外材料形成台面结构；S3、采用光刻工艺，在台面结构侧壁形成光刻胶；S4、采用干法刻蚀去除台面结构上方的台面硬掩膜；S5、采用去胶工艺去除台面结构侧壁形成的光刻胶，形成带有台面结构的红外材料。本发明通过对台面侧壁旋涂光刻胶来避免去除残余硬掩膜时干法刻蚀对台面侧壁刻蚀的损伤，保护台面侧壁免受刻蚀影响，从而降低由刻蚀损伤形成的表面漏电流，最大限度降低表面漏电流，提升阻抗性能。
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公开(公告)号：CN117760472A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311581812.5
申请日：2023-11-23
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于阵列波导光栅的变温解调系统，包括宽谱光源、环形器、FBG阵列、集成有阵列波导光栅的温度控制电路、PD阵列、放大滤波电路、A/D信号处理单元、FPGA和上位机。该系统的核心器件为阵列波导光栅，它用于解复用从FBG反射回来的光；上位机则用于采集经FPGA反馈的阵列波导光栅各个通道的输出光功率，以及控制温度控制电路改变阵列波导光栅的温度。本发明在不降低解调精度的前提下，提升解调的动态范围及波长分辨率。
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公开(公告)号：CN117748299A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311571423.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种复合阶梯阱和嵌套高势垒的量子级联激光器的有源层，量子级联激光器包括InP衬底，以及在InP衬底上制备的有源层，有源层的一个级联周期包括势垒层、第一GaInAs深势阱层、第二GaInAs深势阱层，以及制备在第一GaInAs深势阱层和第二GaInAs深势阱层之间的六个复合阶梯阱层；势垒层包括第一Al0.63In0.37As层和0.4nm厚的AlAs层；第一GaInAs深势阱层和第二GaInAs深势阱层为GaInAs深势阱层，六个复合阶梯阱层为复合阶梯阱层。本发明的能带结构具有宽而平坦且具有高增益的增益谱，可应用于制备宽波段可调谐量子级联激光器。
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公开(公告)号：CN117747692A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311563565.6
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供了一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，包括衬底，以及在衬底上外延生长的缓冲层；双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，短波通道层包括：在缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，第一M型结构和第二M型结构为InAs/GaSb/AlSb/GaSb结构。本发明结合了NBN型探测器与M结构探测器的优点，使得探测器具有良好的探测性能，降低器件的暗电流密度以及提高器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN117742056A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311835911.1
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于铌酸锂薄膜的微环谐振腔，包括衬底，在所述衬底上制备二氧化硅层；二氧化硅层上制备铌酸锂薄膜，铌酸锂薄膜刻蚀脊型环形波导和脊型直波导。本发明利用铌酸锂薄膜材料，采取微环谐振腔，结合非线性效应搭建光频梳激发系统，提高泵浦‑光孤子的能量转换效率，提高耦合效率，减少光损耗，增强光梳相干性，实现高品质因子、高平坦度微腔光梳。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117350346A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311331808.3
申请日：2023-10-16
IPC: G06N3/067 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明提供了一种实现非线性激活的光子芯片计算单元，包括：泵浦激光器、激活模块、卷积模块和光电转换模块；激活模块为全通型微环谐振器，泵浦激光器连接激活模块；卷积模块为分叉复用微环谐振器，全通型微环谐振器的直通端连接分叉复用微环谐振器的输入端；光电模块包括平衡探测器和跨阻放大器，分叉复用微环谐振器的直通端和下载端分别连接平衡探测器；平衡探测器连接跨阻放大器；跨阻放大器输出的电压信号反馈至全通型微环谐振器，对全通型微环谐振器施加电压，对激活模块进行调制。本发明利用了等离子色散效应，实现数据的高速调制，可以同时实现多个波长的非线性操作，以完成并行计算，提高推理速度，减少推理时间，减少光子芯片的尺寸。
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公开(公告)号：CN116859518A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310763258.6
申请日：2023-06-27
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明提供了一种实现负值权重的Fano共振微环谐振腔，包括，微环，以及布置在所述微环两侧的第一直线波导和第二直线波导，其中，所述第一直线波导、所述第二直线波导的耦合区域向外延伸形成第一三角形结构和第二三角形结构。本发明微环谐振腔的第一直线波导和第二直线波导由于存在三角形结构的存在，当光在耦合点传输时，光程变长，传输速度变慢，导致第一直线波导和第二直波导中传输光的相位因子降低为负值，实现微环卷积池中的微环谐振腔的输出端口输出负值权重。
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公开(公告)号：CN116518863A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310323904.7
申请日：2023-03-29
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种集成芯片式平面光波导应变传感器，包括衬底和上包层，以及在所述衬底和所述上包层之间的波导层，其中，波导层通过光刻的方式在晶片表面制备，包括光波导温度传感器、第一光波导应变传感器、第二光波导应变传感器、第三光波导应变传感器和光波导分束器；光波导温度传感器与第一光波导应变传感器、第二光波导应变传感器和第三光波导应变传感器中的任一光波导应变传感器串联，第一光波导应变传感器与第三光波导应变传感器垂直，第二光波导应变传感器间于第一光波导应变传感器和第三光波导应变传感器之间。本发明尺寸将被大幅度缩小，分辨率更高；体积更小，局部测量更精确；引线更少，质量更轻，组成应变花的优势更加明显。
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公开(公告)号：CN115857099A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211340279.9
申请日：2022-10-28
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯混合硅基Fano共振调制器，包括：绝缘体上硅基层，以及在所述绝缘体上硅基层上形成的微环谐振器结构，其中，所述微环谐振器结构包括直波导和环形波导，在所述直波导的耦合区域开设一个或多个空气洞；在所述绝缘体上硅基层上铺设单层石墨烯，其中，所述单层石墨烯覆盖所述微环谐振器结构。与现有的硅基光学调制器相比，本发明结构简单，占用空间少，易于生产，能够实现更高的开关速率和调制速率。
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公开(公告)号：CN115642192A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211300907.0
申请日：2022-10-24
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于InAs/GaSb的长红外超晶格的制备方法包括：在465℃的温度下，在脱氧处理后的GaSb衬底生长GaSb缓冲层，其中，Sb与Ga的五三束流比为5；在420℃的温度下，在GaSb缓冲层上生长100个周期的InAs/GaSb超晶格，其中，包括：在GaSb缓冲层上生长GaSb超晶格，其中，Sb与Ga的五三束流比为2；间隔一段时间后，在GaSb超晶格上生长第一InSb层；间隔一段时间后，在第一InSb层上生长InAs超晶格，其中，As与In的五三束流比为7；间隔一端时间后，在InAs超晶格上生长第二InSb层。本发明通过在InAs/GaSb超晶格中主动插入InSb层用以平衡InAs层和GaSb层晶格失配带来的影响。同时在不同层间生长时加入中断时间，使得原子在材料表面有足够时间进行迁移，使表面形貌更好。
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