公开(公告)号：CN102150288A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201080002596.9

申请日：2010-06-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  足立真宽 ,  德山慎司

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3404

Abstract: 本发明的氮化物系半导体发光器件(LE1、LD1)的特征在于，具备：氮化镓衬底(11)，其具有主面(11a)，主面(11a)与基准平面(Sc)所成的角度α在40度以上且50度以下以及大于90度且在130度以下的范围内，其中，上述基准平面(Sc)与向c轴方向延伸的基准轴(Cx)正交；n型氮化镓系半导体层(13)；第2氮化镓系半导体区域(17)；及发光层(15)，其包括阱层(21)和势垒层(23)，其中，上述阱层(21)包括多个InGaN，上述势垒层(23)包括多个GaN系半导体；并且，多个阱层(21)的压电极化的方向为从n型氮化镓系半导体层(13)朝向第2氮化镓系半导体区域(17)的方向。

公开(公告)号：CN102124578A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201080001340.6

申请日：2010-02-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  秋田胜史 ,  住友隆道 ,  足立真宽 ,  德山慎司

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01S5/3202

Abstract: 一种III族氮化物半导体光元件(11a)，包括：III族氮化物半导体基板(13)，具有与基准平面(Sc)成有限的角度的主面(13a)，基准平面(Sc)与c轴方向上延伸的基准轴(Cx)正交；和量子阱结构的活性层(17)，被设置于III族氮化物半导体基板(13)的主面(13a)上，并包含由III族氮化物半导体构成的阱层(28)及由III族氮化物半导体构成的多个势垒层(29)，主面(13a)显示半极性，活性层(17)具有1×1017cm-3以上且8×1017cm-3以下的氧浓度，多个势垒层(29)在与阱层(28)的III族氮化物半导体基板一侧的下部界面(28Sd)接触的上部界面附近区域(29u)含有浓度为1×1017cm-3以上且1×1019cm-3以下的氧以外的n型杂质。

公开(公告)号：CN101958511A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010228912.6

申请日：2010-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  德山慎司 ,  善积祐介 ,  住友隆道 ,  上野昌纪

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/20

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202

Abstract: 一种形成于半极性的主面上的长波长的III族氮化物半导体激光二极管，抑制活性层的结晶质量下降，并获得稳定的振荡模式。III族氮化物半导体激光二极管(11)具有：III族氮化物基板(13)，其具有半极性的主面(13a)；n型包层(15)，由含Al的III族氮化物构成；活性层(17)；p型包层(19)，由含Al的III族氮化物构成；第1导光层(21)，设置于n型包层和活性层之间；第2导光层(23)，设置于p型包层和活性层之间。导光层(21、23)包括由GaN构成的第1层(31、35)和由InGaN构成的第2层(33、37)，各导光层中的第1及第2层的总厚度大于0.1μm。

公开(公告)号：CN101661986A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910170459.5

申请日：2009-08-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及制造氮化物半导体光学器件和外延晶片的方法。其中，在步骤S106中，在将生长炉内的温度保持为T W 的同时，在时刻t4和t5之间在半极性主面上生长In X Ga 1-X N阱层。在步骤S107中，在所述阱层的生长完成之后，立即在温度T W 下开始生长保护层以覆盖所述阱层的主面。所述保护层由氮化镓基半导体构成，所述氮化镓基半导体的带隙能量大于所述阱层的带隙能量且等于或小于阻挡层的带隙能量。在步骤S108中，在生长所述阻挡层之前，将所述炉子的温度由温度T W 变化至T B 。在将所述炉子的温度保持为温度T B 的同时，在时刻t8和t9之间在所述保护层上生长由氮化镓基半导体构成的阻挡层。

公开(公告)号：CN101626058A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910140218.6

申请日：2009-07-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供一种可以降低空穴从活性层的溢出而提高量子效率的III族氮化物类半导体发光元件以及用于该III族氮化物类半导体发光元件的外延晶圆。活性层(19)位于p型GaN类半导体区域(15)和空穴阻挡层(17)之间，因此空穴(H)从p型GaN类半导体区域(15)供给到活性层(19)。空穴阻挡层(17)的厚度(D17)小于GaN类半导体层(13)的厚度(D13)。空穴阻挡层(17)的带隙(G17)大于GaN类半导体区域(23)的带隙的最大值，因此空穴阻挡层(17)对要从活性层(19)溢出的空穴起到障壁(ΔG H )的作用。因此，空穴阻挡层(17)降低了从活性层(19)溢出并到达GaN类半导体区域(23)的空穴的量。

公开(公告)号：CN101548400A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200880000776.6

申请日：2008-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  京野孝史 ,  石桥惠二 ,  笠井仁

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 设置有源层以便发射具有在440到550nm范围内的发光波长的光。在预定轴(Ax)方向上布置第一导电类型氮化镓基半导体区域(13)、有源层(17)以及第二导电类型氮化镓基半导体区域(15)。有源层(17)包括由六方晶系InXGa1－XN(0.16≤X≤0.35，X：应变组分)构成的阱层，并且铟组分X由应变组分表示。六方晶系InXGa1－XN的a面在预定轴(Ax)方向被对准。阱层的厚度在大于2.5nm到10nm的范围内。当阱层的厚度被设定为2.5nm或以上时，可以形成具有440nm或以上的发光波长的发光器件。

公开(公告)号：CN100461468C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200410056340.2

申请日：2004-08-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/0075 ,  Y10S438/977

Abstract: 一种半导体发光器件的制造方法，该方法包括下列步骤：在AlGaN或GaN衬底上形成基于GaN的半导体部，基于GaN的半导体部包括一发光膜，所述发光膜的螺纹错位密度小于1.0×107cm-2，所述发光膜是由频带隙能大于衬底材料的频带隙能的材料制成，并且所述发光膜仅由AlGaN制成；在基于GaN的半导体部上形成一电极膜；使用导电粘合剂将导电衬底与电极膜的表面相粘接；在粘接导电衬底后，将AlGaN或GaN衬底和基于GaN的半导体部的其中之一与另一个分离开。

公开(公告)号：CN101350333A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810130234.2

申请日：2008-06-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 长田英树 ,  笠井仁 ,  石桥惠二 ,  中畑成二 ,  京野孝史 ,  秋田胜史 ,  三浦祥纪

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

Abstract: GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种具有两英寸或更大的大直径的GaN衬底、具有在GaN衬底上形成的外延层的衬底、半导体器件以及制造该GaN衬底的方法，通过该GaN衬底，可以在工业上以低成本得到半导体器件，如具有改进性能如发光效率、工作寿命等的发光元件。GaN衬底具有主表面，并包括低缺陷晶体区和邻近于低缺陷晶体区的缺陷集中区。低缺陷晶体区和缺陷集中区从主表面延伸到位于主表面的反向侧的后表面。面方向[0001]相对于该主表面的法线矢量在偏斜角方向上倾斜。

公开(公告)号：CN1624944A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410098298.0

申请日：2004-12-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  木山诚 ,  中村孝夫 ,  樱田隆 ,  秋田胜史 ,  上松康二 ,  池田亚矢子 ,  片山浩二 ,  吉本晋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光装置(30)，它具备电阻率 0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。

公开(公告)号：CN1581525A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410056340.2

申请日：2004-08-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/0075 ,  Y10S438/977

Abstract: 在一种半导体发光器件的制造方法中，在GaN或AlGaN衬底上形成基于GaN的半导体部。基于GaN的半导体部包括发光膜。在基于GaN的半导体部上形成电极膜。使用导电粘合剂将导电衬底与电极膜的表面相粘接。在粘接导电衬底后，将GaN或AlGaN衬底和基于GaN的半导体部的其中之一与另一个分离开，以能形成半导体发光器件。