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公开(公告)号：CN101312165B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810130625.4
申请日：2005-07-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/306 , C30B33/00
Abstract: AlxGayIn1-x-yN衬底及其清洗方法，AlN衬底及其清洗方法提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
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公开(公告)号：CN101644871A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910164134.6
申请日：2009-08-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02F1/365
CPC classification number: G02F1/3558 , G02F1/353 , G02F2001/3548
Abstract: 本发明提供一种制造波长变换器的方法和由此能够提高透射率的波长变换器。制造波长变换器(10a)的方法包括下列步骤。首先，生长晶体。然后，以使畴彼此相反的方式将所述晶体分割成两个以上的部分，从而形成第一晶体(11)和第二晶体(12)。接着，以形成畴相反结构且所述畴相反结构对于所述入射光束(101)满足准相位匹配条件的方式对所述第一晶体(11)和第二晶体(12)进行嵌合，在所述畴相反结构中所述第一晶体(11)和第二晶体(12)的极向沿光波导(13)周期性反转。
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公开(公告)号：CN101501822A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029411.1
申请日：2007-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C30B29/38 , B08B3/08 , H01L33/00 , B08B3/12
CPC classification number: C30B29/403 , B08B3/12 , C30B33/00 , C30B33/10 , H01L21/02052 , Y10T428/25
Abstract: 提供一种能够实现高质量外延膜的稳定生长的GaxIn1－xN衬底和用于获得GaxIn1－xN衬底的清洗方法。当GaxIn1－xN衬底具有2英寸直径时，存在于GaxIn1－xN衬底上且颗粒尺寸不小于0.2μm的颗粒数目不大于20。而且，在通过X射线光电子能谱法以10度的检测角获得的GaxIn1－xN衬底表面上的光电子能谱中，C1s电子和N1s电子峰面积之比(C1s电子的峰面积/N1s电子的峰面积)不大于3。
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公开(公告)号：CN101469452A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188586.3
申请日：2008-12-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B23/005 , C30B29/403 , Y10T117/10
Abstract: 本发明涉及一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料(13)的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料(13)设置在腔中的热屏蔽部的一侧。接下来，通过加热要被升华的材料，将材料气体沉积在腔中热屏蔽部的另一侧，使得生长III族氮化物半导体晶体。
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公开(公告)号：CN101466878A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200680055009.6
申请日：2006-06-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B23/005 , C30B29/403 , C30B35/002 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供了生长结晶度良好的第III族氮化物单晶的方法，所述方法具有优良的再现性，并提供了通过所述生长方法形成的第III族氮化物晶体。本发明的一个方面是在晶体生长容器(11)内生长第III族氮化物单晶(3)的方法，所述方法的特征在于，由金属碳化物形成的孔隙率为0.1％～70％的多孔体被用作所述晶体生长容器(11)的至少一部分。使用晶体生长容器(11)，可将晶体生长容器(11)内1％～50％的原料气体(4)经由多孔体中的孔而排放至晶体生长容器(11)的外部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100413102C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510066894.5
申请日：2005-04-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置(1)装备有n-类型包层(3)；安置在n-类型包层(3)上的p-类型包层(7)；以及由氮化物构成并安置在n-类型包层(3)与p-类型包层(7)之间的活性层(5)，其中其特征在于通过正交于n-类型包层(3)和活性层(5)之间的界面的轴与活性层(5)的c-轴形成角度，以及通过正交于活性层(5)和p-类型包层(7)之间的界面的轴与活性层(5)的c-轴形成的角度，每个所述角度都大于零。
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公开(公告)号：CN1929090A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610110151.8
申请日：2006-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/7813 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L29/34 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/872 , H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体器件的制作方法，在芯片分离通过晶片工艺在基板上制造的元件单元时，能够减少研磨、切断等工序，能够重复使用基板。采用预先确定形成封闭曲线的集合晶体生长速度慢的缺陷的缺陷集合区域(H)和晶体生长速度快的低缺陷区域(ZY)的位置的氮化物半导体缺陷位置控制基板(S)，在低缺陷区域(ZY)上器件的内部，以边界线到达缺陷集合区域(H)的方式，使氮化物半导体层(上层部(B))外延生长在氮化镓基板上，用激光照射或机械方法在上下方向横向同时分离缺陷位置控制基板(S)和生长层(上层部(B))，重复使用基板。
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公开(公告)号：CN1694272A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510066894.5
申请日：2005-04-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置(1)装备有n－类型包层(3)；安置在n－类型包层(3)上的p－类型包层(7)；以及由氮化物构成并安置在n－类型包层(3)与p－类型包层(7)之间的活性层(5)，其中其特征在于通过正交于n－类型包层(3)和活性层(5)之间的界面的轴与活性层(5)的c－轴形成角度，以及通过正交于活性层(5)和p－类型包层(7)之间的界面的轴与活性层(5)的c－轴形成的角度，每个所述角度都大于零。
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公开(公告)号：CN104426382B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201410433065.5
申请日：2014-08-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
IPC: H02M5/06
Abstract: 本发明涉及变压器。一种分布常数型变压器，其被设置在具有频率f的AC电源和具有电阻值R的负载之间，并且包括：第一转换器，其连接到AC电源，并且具有长度λ/4；以及，第二转换器，其被设置在第一转换器的终端和负载之间，并且具有长度λ/4，其中，在频率f处的波长是λ。这样的变压器具有小尺寸和轻重量，并且不需要在传统变压器中使用的线圈和铁芯等。
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