公开(公告)号：CN103782391B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280043216.5

申请日：2012-09-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透 ,  增田健良 ,  和田圭司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 当在平面图中观察时，终端区（TM）围绕元件区（CL）。热蚀刻碳化硅衬底（SB）的第一侧以在终端区（TM）处的碳化硅衬底（SB）中形成侧壁（ST）和底表面（BT）。侧壁（ST）具有{0?33?8}和{0?11?4}中的一种面取向。底表面（BT）具有{000?1}的面取向。在侧壁（ST）和底表面（BT）上，形成绝缘膜（8T）。第一电极（12）形成在元件区（CL）处的碳化硅衬底（SB）的第一侧上。第二电极（14）形成在碳化硅衬底（SB）的第二侧上。

公开(公告)号：CN103718298B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201280037159.X

申请日：2012-08-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透 ,  增田健良 ,  和田圭司

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  Y10S438/931

Abstract: 衬底（1）具备相对于参考面具有5°以下的偏离角的主表面（MS）。参考面在六方晶系的情况下是{000-1}面且在立方晶系的情况下是{111}面。碳化硅层外延形成在衬底的主表面（MS）上。碳化硅层具备沟槽（6），沟槽（6）具有彼此相对的第一和第二侧壁（20a，20b）。第一和第二侧壁（20a，20b）中的每一个都包括沟道区。而且，第一和第二侧壁（20a，20b）中的每一个在六方晶系的情况下基本上都包括{0-33-8}面和{01-1-4}面之一，在立方晶系的情况下基本上包括{100}面。

公开(公告)号：CN105405765A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510450842.1

申请日：2015-07-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/047 ,  H01L21/048 ,  H01L21/265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明涉及制造碳化硅半导体器件(1)的方法，包括以下步骤。当在垂直于主表面(10a)的方向上看时，碳化硅衬底(10)具有设置为包括一个边的端部(C0)、第一体区(13a1)的最靠近该端部的顶点(C1)和第二体区(13b1)的最靠近该端部的顶点(C2)的连接区(17)，连接区被电连接到第一体区和第二体区两者，连接区具有第二导电类型。当在平行于主表面的方向上看时，第一漂移区(12a1)和第二漂移区(12b1)设置在栅极绝缘膜(15)和连接区之间。连接区、第一体区和第二体区通过离子注入形成。因此，提供了通过简单的工艺制造碳化硅半导体器件以实现缓和栅极绝缘膜中的电场集中的方法。

公开(公告)号：CN105304702A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510434978.3

申请日：2015-07-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 内田光亮 ,  日吉透

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7727

Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体器件。提供了一种可用于在负载短路时抑制元件损坏的碳化硅半导体器件。MOSFET包括碳化硅层、栅极绝缘膜、栅电极、源电极和漏电极。碳化硅层包括漂移区、体区和源极区。MOSFET被配置成使得在碳化硅层的厚度方向和体区中载流子的迁移方向上的横截面中、在源极区和源电极的接触宽度用n(μm)表示的情况下，并且在沟道区中形成反型层的导通状态下的MOSFET的导通电阻用RonA(mΩcm2)表示的情况下，关系表达式n＜-0.02RonA+0.7成立。

公开(公告)号：CN104885199A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380069381.2

申请日：2013-12-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山本裕史 ,  日吉透 ,  松川真治

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28 ,  H01L29/045 ,  H01L29/08 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 一种MOSFET包括：包括主表面(10A)的碳化硅衬底(10)，该主表面(10A)相对于{0001}面具有偏离角；和形成为与主表面(10A)接触的源电极(40)。在碳化硅衬底(10)与源电极(40)的接触界面的至少一部分处暴露基底表面(10C)。这种构造使得在MOSFET中抑制阈值电压变化。

公开(公告)号：CN102859697B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201280001187.6

申请日：2012-01-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  日吉透 ,  和田圭司

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 碳化硅层外延形成在衬底（1）的主表面上。该碳化硅层设置有沟槽，该沟槽具有相对于主表面倾斜的侧壁（6）。侧壁（6）相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角。栅极绝缘膜（8）设置在碳化硅层的侧壁（6）上。碳化硅层包括：体区（3），其具有第一导电类型，并且面对栅电极（9）且其间插入栅极绝缘膜（8）；以及一对区域（2、4），其通过体区（3）彼此分开并具有第二导电类型。体区（3）具有5×1016cm-3或更大的杂质密度。这使得在设定阈值电压时具有更大的自由度，同时能够抑制沟道迁移率的降低。

公开(公告)号：CN104871316A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380065816.6

申请日：2013-11-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  增田健良 ,  日吉透

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872

Abstract: 一种碳化硅半导体器件(1)提供有碳化硅衬底(10)。碳化硅衬底(10)由提供有半导体元件部(7)的元件区(IR)以及在平面图中观察时围绕元件区(IR)的终端区(OR)构成。半导体元件部(7)包括具有第一导电类型的漂移区(12)。终端区(OR)包括接触元件区(IR)并具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第一电场缓和区(2)，以及从平面图中观察时布置在第一电场缓和区(2)更外侧、具有第二导电类型并与第一电场缓和区(2)隔开的第二电场缓和区(3)。通过第一电场缓和区(2)的宽度(W1)除以漂移区(12)的厚度(T)计算的比值为0.5-1.83。由此，可提供在不使元件区太窄的情况下能提高击穿电压的碳化硅半导体器件(1)。

公开(公告)号：CN102652362B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201180004823.6

申请日：2011-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  原田真 ,  穗永美纱子 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/868

Abstract: 提供了一种能够稳定地展示其性质并且具有高质量半导体器件以及用于生产该半导体器件的工艺。半导体器件包括具有主表面的衬底（1）以及形成在衬底（1）的主表面上并且每一个均具有相对于主表面倾斜的侧表面的碳化硅层（2-5）。侧表面基本上包含面[03-3-8]。该侧表面包含沟槽区域。

公开(公告)号：CN104541376A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201380042640.2

申请日：2013-07-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  斋藤雄 ,  林秀树 ,  日吉透 ,  和田圭司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 栅绝缘膜(201)设置在沟槽(TR)上。栅绝缘膜(201)具有沟槽绝缘膜(201A)和底部绝缘膜(201B)。沟槽绝缘膜(201A)覆盖侧壁(SW)和底部(BT)中的每个。底部绝缘膜(201B)设置在底部(BT)上，使沟槽绝缘膜(201A)夹在其间。底部绝缘膜(201B)的碳原子浓度低于沟槽绝缘膜(201A)的碳原子浓度。栅电极(202)接触沟槽绝缘膜(201A)在侧壁(SW)上的一部分。因此，可实现低阈值电压和大击穿电压。

公开(公告)号：CN104520999A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380041445.8

申请日：2013-09-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 久保田良辅 ,  日吉透 ,  木村炼

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395

Abstract: 具有第一导电类型的杂质的碳化硅衬底(39)的第一部分(31a)布置得比第一深度位置深。第二部分(31b)布置为从第一深度位置延伸到比第一深度位置浅的第二深度位置。第三部分(31c)布置为从第二深度位置延伸到主表面(P2)。第二部分(31b)具有比第一部分(31a)的第一杂质浓度高的第二杂质浓度。第三部分(31c)具有不小于第一杂质浓度且小于第二杂质浓度的第三杂质浓度。具有第二导电类型的杂质的体区(32)在比第一深度位置浅的且比第二深度位置深的深度位置处具有杂质浓度峰值。