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公开(公告)号：CN109989110A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811585112.2
申请日：2018-12-24
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、以及层叠结构体。提供一种能够增大(0001)面的曲率半径、使偏离角分布狭窄的技术。一种氮化物半导体基板，其由III族氮化物半导体的晶体形成，具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，沿着 轴的方向以及沿着与 轴垂直的 轴的方向中的任一方向的(0001)面相对于主面弯曲成凹球面状，且沿着 轴的方向以及沿着与 轴垂直的 轴的方向中的任一方向的(0001)面的曲率半径与另一方向的至少一部分(0001)面的曲率半径不同。
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公开(公告)号：CN104851972B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201410498351.X
申请日：2014-09-25
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L41/18 , H01L41/277
Abstract: 一种压电体薄膜元件的制造方法和由其得到的压电体薄膜元件，该制造方法能够以不使压电体特性劣化来精细加工出使用不含铅的铌酸碱系压电体的薄膜元件。铌酸碱系压电体薄膜元件具有如下特征：具备基板、在上述基板上形成的下部电极膜、在上述下部电极膜上形成的压电体薄膜、在上述压电体薄膜上形成的上部电极膜，该压电体薄膜由铌酸碱系压电体(组成式为(NaxKyLiz)NbO3，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z＝1)构成，在上述压电体薄膜加工有作为元件的精细图案且包含金属元素，其在所述压电体薄膜的所述上部电极膜侧的浓度比所述下部电极膜侧的浓度高，以上述压电体薄膜的厚度一半的位置为中心，在上述厚度±15％的区域，上述金属元素的平均浓度为5×1017atoms/cm3以下。
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公开(公告)号：CN104064670B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201410101620.4
申请日：2014-03-18
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L41/187 , H01L41/08 , H01L41/113
CPC classification number: H01L41/0805 , B06B1/0644 , H01L41/047 , H01L41/0477 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供可以降低压电薄膜层的相对介电常数的压电薄膜元件、压电传感器和振动发电机。压电薄膜元件（1）具备：基板、形成于基板上的下部电极层（20）、形成于下部电极层（20）上的组成式为（K1‑xNax）NbO3（0.4≤x≤0.7）的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电薄膜层（30）、以及形成于压电薄膜层（30）上的上部电极层（40），压电薄膜层（30）在将极化‑电场的磁滞回线与表示电场的x轴的交点设为Ec‑和Ec+时，（Ec‑+Ec+）/2的值为10.8kV/cm以上，并且，在将极化‑电场的磁滞回线与表示极化的y轴的交点设为Pr‑和Pr+时，（Pr‑+Pr+）/2的值为‑2.4μC/cm2以下。
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公开(公告)号：CN103579491B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201310340890.6
申请日：2013-08-07
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/35
CPC classification number: H01L41/18 , C01G33/006 , C01P2002/30 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C30B23/025 , C30B29/22 , C30B29/30 , H01G5/18 , H01L41/0805 , H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/22 , H01L41/253 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 本发明涉及压电体元件、压电体设备及其制造方法。本发明稳定地提供高精度地控制压电体层的局部结构(原子的结合状态)并且压电特性优异的压电体元件、压电体设备。一种压电体元件，其为在基板上至少层叠下部电极层、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0
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