公开(公告)号：CN106664074A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580040419.2

申请日：2015-07-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 岸野哲也

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H9/02685 ,  H03H9/02866 ,  H03H9/14582 ,  H03H9/64 ,  H03H9/6483

Abstract: 提供能够提高通带的特性的弹性波元件、滤波器元件及通信装置。本发明的弹性波元件具备：压电基板(2)；被配置在压电基板(2)上且具有多个电极指(32)的激励电极(3)；和被配置在压电基板(2)上且具有多个反射电极指(42)，并且在弹性波的传播方向上夹持激励电极(3)的2个反射器(4)，激励电极(3)在多个电极指(32)的排列的中心附近(3a)具有主区域，在该主区域中多个电极指(32)的中心间的间隔相同且为第1间隔，反射器(4)从主区域的电极指(32)起，相对于以第1间隔反复设定的虚设电极指位置，至少1根反射电极指(42)向激励电极(3)侧移位。

公开(公告)号：CN104205630B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201380019145.X

申请日：2013-04-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 岸野哲也 ,  仲井刚

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H03H9/02992 ,  H01L41/047 ,  H03H9/0009 ,  H03H9/0038 ,  H03H9/02818 ,  H03H9/0542 ,  H03H9/0576 ,  H03H9/1452 ,  H03H9/14544 ,  H03H9/14573 ,  H03H9/725

Abstract: SAW元件(51)具备：基板(53)；具备位于基板(53)的上表面(53a)的第1梳齿电极(59A)以及第2梳齿电极(59B)的IDT(55)；以及位于基板(53)的上表面(53a)的电容元件(69)。电容元件(69)具备：与第1梳齿电极(59A)连接的第1对置电极(71A)；以及与第2梳齿电极(59B)连接、且隔着第3间隙(73)与第1对置电极(71A)对置的第2对置电极(71B)。从第1对置电极(71A)经由第3间隙(73)朝向第2对置电极(71B)的方向与从第1梳齿电极(59A)经由间隙(67)朝向第2梳齿电极(59B)的方向是相反方向。在将间隙(67)的间隔设为di、将宽度设为wi、将第3间隙(73)的间隔设为Dj、并将宽度设为Wj时，0＜∑(Wj/Dj2)＜2∑(wi/di2)成立。

公开(公告)号：CN103119847B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180046302.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 西井润弥 ,  岸野哲也 ,  田中宏行 ,  小林京平 ,  山本显嗣 ,  下园雅久 ,  生田贵纪 ,  西村道明

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H03H9/25 ,  H03H9/14541 ,  H03H9/6406

Abstract: SAW元件(1)具有：基板(3)；IDT电极(5)，其由Al或以Al为主要成分的合金构成，且配置在基板(3)的上表面(3a)上；第一膜(9)，其配置在IDT电极(5)的上表面上；保护层(11)，其以氧化硅为主要成分，覆盖配置有第一膜(9)的IDT电极(5)及基板(3)中从IDT电极(5)露出的部分，且距离基板(3)的上表面(3a)的厚度(t)比IDT电极(5)及第一膜(9)的合计的厚度(e)大。第一膜(9)以声阻抗比IDT电极(5)的材料(Al或以Al为主要成分的合金)及氧化硅大且弹性波的传播速度比IDT电极(5)的材料及氧化硅慢的材料为主要成分。

公开(公告)号：CN104205630A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380019145.X

申请日：2013-04-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 岸野哲也 ,  仲井刚

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H03H9/02992 ,  H01L41/047 ,  H03H9/0009 ,  H03H9/0038 ,  H03H9/02818 ,  H03H9/0542 ,  H03H9/0576 ,  H03H9/1452 ,  H03H9/14544 ,  H03H9/14573 ,  H03H9/725

Abstract: SAW元件(51)具备：基板(53)；具备位于基板(53)的上表面(53a)的第1梳齿电极(59A)以及第2梳齿电极(59B)的IDT(55)；以及位于基板(53)的上表面(53a)的电容元件(69)。电容元件(69)具备：与第1梳齿电极(59A)连接的第1对置电极(71A)；以及与第2梳齿电极(59B)连接、且隔着第3间隙(73)与第1对置电极(71A)对置的第2对置电极(71B)。从第1对置电极(71A)经由第3间隙(73)朝向第2对置电极(71B)的方向与从第1梳齿电极(59A)经由间隙(67)朝向第2梳齿电极(59B)的方向是相反方向。在将间隙(67)的间隔设为di、将宽度设为wi、将第3间隙(73)的间隔设为Dj、并将宽度设为Wj时，0＜∑(Wj/Dj2)＜2∑(wi/di2)成立。

公开(公告)号：CN101411024B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN200780011241.4

申请日：2007-03-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 平松信树 ,  尤里亚迪·阿里费恩·萨加拉 ,  岸野哲也

IPC: H01P1/18 ,  H01P3/16 ,  G01S7/02

Abstract: 本发明涉及小型且以低电压工作的电介质波导设备。第1以及第2电极埋设于电介质部，且被形成为比与电介质部所包含的第1电介质部所传播的电磁波的频率对应的趋肤深度薄。由此，即使接触第1电介质部来设置第1以及第2电极，由于传播的电磁波可以透过第1以及第2电极，所以可以不截止地传播电磁波，不会对波导模式带来影响。另外，在抑制埋设第1以及第2电极所引起的传送损失的状态下，可以由第1以及第2电极在第1电介质部施加电场强度大的电场，可以实现小型且能以低电压工作的电介质波导设备。