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公开(公告)号：CN115863183B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310052799.8
申请日：2023-02-03
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种用于三维集成晶圆系统散热的流量可测的微流道制造方法，包括：压阻式流量计制造步骤：在绝缘体上硅晶圆的上表面构造第一力敏应变结构并构造力敏电阻和测温电阻；埋氧层二氧化硅释放步骤：在所述绝缘体上硅晶圆的上表面刻蚀释放孔，并用湿法腐蚀所述释放孔下方的埋氧层二氧化硅，形成微流道；释放孔电镀铜封闭步骤：在所述绝缘体上硅晶圆的上表面和所述释放孔的侧壁沉积种子层金属，基于所述种子层电镀铜形成铜柱封闭所述微流道的上表面；微流道内壁无机镀铜步骤：使用化学法在所述微流道的内壁上下表面镀上铜散热层。
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公开(公告)号：CN116153860A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310397169.4
申请日：2023-04-10
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级铜铜凸点互连结构及其键合方法。所述键合方法包括如下步骤：于背景气体下，在晶圆的铜凸点表面，采用能量功率为100mJ‑300mJ的脉冲激光溅射沉积纳米铜层，得到结构晶圆；将纳米铜浆料涂覆于所述结构晶圆中的纳米铜层表面，得到预处理晶圆，其中，所述纳米铜浆料包括纳米铜粉、还原剂、固化剂以及有机溶剂；在还原性气氛中，将另一所述结构晶圆与所述预处理晶圆倒装热压贴合，经热处理固化后冷却静置，完成晶圆级铜铜凸点互连结构的键合。所述键合方法无需引入除铜之外的其他金属就可以实现铜凸点之间的稳定键合，显著提高键合的可靠性，保证良好的导电效果。
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公开(公告)号：CN115799194B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310052789.4
申请日：2023-02-03
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了晶圆散热微流道、制备方法及三维集成方法，其中基于绝缘体上硅的晶圆散热微流道制备方法直接在绝缘体上硅晶圆背部就可以制作微流体通路，无需用额外的硅片制备微流道，具有工艺简单可靠性高的优点；而且使用电镀或化学气相沉积或沉积有机聚合物的方式进行密封，无需额外的键合工艺；此外，本发明是晶圆级工艺，且与硅基微电子工艺完全兼容。本发明既可以用于制备硅晶圆转接板，也可以用于多集成电路芯片或晶圆的三维堆叠集成。
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公开(公告)号：CN115799194A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310052789.4
申请日：2023-02-03
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了晶圆散热微流道、制备方法及三维集成方法，其中基于绝缘体上硅的晶圆散热微流道制备方法直接在绝缘体上硅晶圆背部就可以制作微流体通路，无需用额外的硅片制备微流道，具有工艺简单可靠性高的优点；而且使用电镀或化学气相沉积或沉积有机聚合物的方式进行密封，无需额外的键合工艺；此外，本发明是晶圆级工艺，且与硅基微电子工艺完全兼容。本发明既可以用于制备硅晶圆转接板，也可以用于多集成电路芯片或晶圆的三维堆叠集成。
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公开(公告)号：CN114843250B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210785368.8
申请日：2022-07-06
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/544 , B07C5/344 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级集成系统的测试结构及测试方法，该测试结构是由晶圆衬底和键合在晶圆上的芯粒，以及在晶圆上从芯粒周围引出的芯粒测试电路和通过晶圆互连引出到晶圆外围的系统测试电路组成；其测试方法是利用一次扎针实现对集成芯粒的测试和集成系统的测试。首先，对同质的芯粒进行相应的晶圆级芯片测试，测试结束标记失效的芯粒后，进入下一种类型的同质芯粒测试，完成所有芯粒测试后，根据通过测试的芯粒构建系统链路，对晶圆级集成系统进行系统级测试。利用本发明可以一次扎针就完成对键合芯粒的测试以及晶上集成系统的测试，利用芯粒测试可以筛除失效的芯粒，系统级测试可以确保系统链路的正确性以及整个晶上系统的可靠运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114896940B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210817940.4
申请日：2022-07-13
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/392 , G06F30/18
Abstract: 本发明提供了一种软件定义的晶圆级交换系统设计方法及装置，包括：确定晶圆级交换系统布局约束；构建目标晶圆级交换系统并确定参数，设计交换网络逻辑拓扑结构；设计交换芯粒在晶圆基板上的布局；分别设计对外芯粒和内部芯粒接口结构；配置交换芯粒各端口交换模式与使能状态；当晶圆级交换系统可实现目标逻辑拓扑结构，则结束流程；否则，重新构造交换网络逻辑拓扑结构并将其映射到基板上。本发明基于集成电路制造工艺约束所能提供的物理拓扑结构固定的晶圆基板，通过软件定义混合交换机制的方式构建面向不同应用场景的高性能、大规模、拓扑结构灵活的晶圆级交换系统。
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公开(公告)号：CN117246976A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311533163.1
申请日：2023-11-17
Applicant: 之江实验室
IPC: B81C3/00 , B81C1/00 , H01L23/473
Abstract: 本公开涉及晶上集成结构及其形成方法。该用于形成晶上集成结构的方法包括：在第一基板形成锁孔结构，形成锁孔结构的步骤包括：形成从基板的键合面延伸入基板的键合槽；形成多个从键合槽延伸入基板的键合孔；形成低陷在键合槽内的金属层结构；在第二基板形成凸闩结构，形成凸闩结构的步骤包括：形成层叠于基板的金属焊盘，其中，金属焊盘的外周与对应的键合槽的槽壁匹配；形成多个层叠于金属焊盘的金属凸点，金属焊盘处金属凸点的位置与对应的键合槽内键合孔的位置匹配；形成延伸入基板的流道结构；将金属焊盘对接于键合槽内；以及将凸闩结构键合于锁孔结构。该方法执行简单。此外，该方法能够将两个基板牢固可靠地连接。
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公开(公告)号：CN116429300B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310685836.9
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于单晶硅和微流道冷却的超高温压力传感芯片及系统，使用底部各向异性腐蚀并氧化和在压阻式的半导体电阻的周围刻蚀电阻分隔结构并填充和覆盖绝缘层相结合的方法，将组成惠斯登电桥的半导体电阻用二氧化硅层绝缘隔离包裹起来，避免了传统单晶硅pn结隔离高温漏电流失效的问题。本发明还提出了使用微流道环绕高温压力传感芯片的微组装方法，隔离了外界高温并降低了芯片周围温度，使得系统可以在高于硅基压力传感芯片最高工作温度的1000℃以上的超高温环境中工作。同时这种微流道环绕芯片进行冷却的方法也适用于其他材质和原理的工作在极端高温环境中的传感器、集成电路、大功率器件等。
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公开(公告)号：CN116429299B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310686488.7
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种可晶圆系统集成的压力传感芯片制造方法，包括深槽隔离步骤，深刻蚀间隙步骤，电极生长步骤，深刻蚀进气孔步骤，气密封装步骤。本发明在绝缘体上硅晶圆的垂直方向制造深槽平行板电容结构，与传统的在晶圆上下表面水平方向制造压力敏感膜片的方法相比，占用的芯片面积较小；深槽平行板电容结构的真空参考腔需要密封的面积小，并不一定依赖复杂的硅‑硅、硅‑玻璃键合工艺；且垂直方向的压力敏感膜片可以与梳齿式平行板电容结构相结合，形成类似差分式的结构，具有放大压力信号的功能，有利于与信号处理部分在晶圆上实现单片集成。
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公开(公告)号：CN116425110B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310686427.0
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种具有差分结构的高温光电压力传感芯片的晶圆级制造方法，采用微电子深刻蚀方法，直接在单晶硅晶圆上制造垂直方向的法珀腔，同时在硅晶圆上制造水平方向的光束传输的硅基条形波导，形成硅基法珀式压力传感器，器件具有单侧结构，具有进一步放大压力信号的功能。制造方法与微电子工艺完全兼容，可以满足大规模批量化生产的需求，且可以实现电‑光‑传感的晶上系统集成。此外，本发明的器件结构和制造工艺中没有易受温度影响的硅基掺杂工艺和金属化工艺，可以在接近硅基材料弹性形变极限温度的高温环境中工作。
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