半导体装置
    41.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108428685B

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201810072185.5

    申请日:2018-01-25

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,抑制从树脂封装体露出的散热板因接头间的焊料的收缩凝固而倾斜。在本说明书公开的半导体装置中,在第一散热板与第二散热板之间通过第一焊料来接合第一晶体管元件,在第二散热板与第四散热板之间通过第二焊料来接合第二晶体管元件。第一散热板的接头与第四散热板的接头通过第三焊料来接合。第一散热板与第二散热板之间的第一焊料的总厚度和接头之间的第三焊料的厚度不同,厚度小的一方的焊料的凝固点比厚度大的一方的焊料的凝固点高。而且,第三散热板与第四散热板之间的第二焊料的总厚度和第三焊料的厚度不同,厚度小的一方的焊料的凝固点比厚度大的一方的焊料的凝固点高。

    半导体装置
    42.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110120371A

    公开(公告)日:2019-08-13

    申请号:CN201910082742.6

    申请日:2019-01-29

    Abstract: 一种半导体装置,包括:第一半导体元件,第一信号端子组,以及与所述第一信号端子组间隔设置的第二信号端子组。所述第一半导体元件包括:控制信号电极,向其输入用于所述第一半导体元件的控制信号;以及温度信号电极,其输出与所述第一半导体元件的温度对应的信号。所述温度信号电极与所述第一信号端子组中包括的温度信号端子连接;以及所述控制信号电极与所述第二信号端子组中包括的第一控制信号端子连接。

    半导体装置
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108428685A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810072185.5

    申请日:2018-01-25

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,抑制从树脂封装体露出的散热板因接头间的焊料的收缩凝固而倾斜。在本说明书公开的半导体装置中,在第一散热板与第二散热板之间通过第一焊料来接合第一晶体管元件,在第二散热板与第四散热板之间通过第二焊料来接合第二晶体管元件。第一散热板的接头与第四散热板的接头通过第三焊料来接合。第一散热板与第二散热板之间的第一焊料的总厚度和接头之间的第三焊料的厚度不同,厚度小的一方的焊料的凝固点比厚度大的一方的焊料的凝固点高。而且,第三散热板与第四散热板之间的第二焊料的总厚度和第三焊料的厚度不同,厚度小的一方的焊料的凝固点比厚度大的一方的焊料的凝固点高。

    半导体装置
    44.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111952259B

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202010408964.5

    申请日:2020-05-14

    Inventor: 川岛崇功

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其具有:层叠配置的上侧导电板、中间导电板及下侧导电板;第1半导体元件,其位于上侧导电板与中间导电板之间,分别与上侧导电板和中间导电板电连接;以及第2半导体元件,其位于中间导电板与下侧导电板之间,分别与中间导电板和下侧导电板电连接。上侧导电板的面积和下侧导电板的面积的其中一个小于中间导电板的面积,上侧导电板的面积和下侧导电板的面积的其中另一个大于中间导电板的面积。

    半导体装置
    45.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110491848B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN201910392609.0

    申请日:2019-05-13

    Inventor: 川岛崇功

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,具备第一半导体模块和第二半导体模块。第一半导体元件具有第一半导体元件、将第一半导体元件密封的第一密封体及在第一密封体的内部连接于第一半导体元件并且向第一密封体的外部延伸的第一电力端子及第二电力端子。第二半导体模块具有第二半导体元件、将第二半导体元件密封的第二密封体及在第二密封体的内部连接于第二半导体元件并且向第二密封体的外部延伸的第三电力端子及第四电力端子。在第一密封体及第二密封体的外部,第一电力端子和第四电力端子以互相对向的状态延伸,第二电力端子和第三电力端子以互相对向的状态延伸。

    半导体器件
    46.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110164858B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN201910105959.4

    申请日:2019-02-02

    Inventor: 川岛崇功

    Abstract: 本申请涉及半导体器件。一种半导体器件包括:第一半导体元件,该第一半导体元件包括第一信号电极;第二半导体元件,该第二半导体元件层叠在第一半导体元件上,包括第二信号电极;密封体;第一信号端子,该第一信号端子连接到第一信号电极;以及第二信号端子,该第二信号端子连接到第二信号电极,其中:第一信号端子和第二信号端子从密封体伸出并且在第一方向上延伸;第一信号端子和第二信号端子在第二方向上彼此远离;第一信号电极和第二信号电极在第二方向上被布置在不同位置处;第一信号电极被设置成距离第一信号端子比距离第二信号端子更近;以及第二信号电极被设置成距离第二信号端子比距离第一信号端子更近。

    半导体装置
    47.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110943062B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN201910858340.0

    申请日:2019-09-11

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,具备第一导体板、配置在第一导体板上的第一半导体元件、第二半导体元件、第一电路基板及多个第一信号端子。第二半导体元件的元件尺寸比第一半导体元件的元件尺寸小。在与第一导体板垂直的俯视观察下,多个第一信号端子相对于第一半导体元件而位于第一方向。第二半导体元件及第一电路基板位于多个第一信号端子与第一半导体元件之间,并沿着与第一方向垂直的第二方向排列。并且,第一半导体元件的信号焊盘经由第一电路基板的信号传送路而连接于多个第一信号端子中的对应的一个第一信号端子。

    半导体装置
    48.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110120377B

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN201910106738.9

    申请日:2019-02-02

    Inventor: 川岛崇功

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置具备:第一导体板;多个半导体元件,其被配置于第一导体板上;第一外部连接端子,其与第一导体板连接。多个半导体元件包括第一半导体元件、第二半导体元件以及第三半导体元件。第二半导体元件被配置于第一半导体元件与第三半导体元件之间。在第一导体板中连接有第一外部连接端子的范围在第一半导体元件、第二半导体元件以及第三半导体元件中最接近于第二半导体元件。而且,在第一导体板中,在连接有第一外部连接端子的范围与连接有第二半导体元件的范围之间设置有孔。

    半导体装置
    49.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108573937B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201810182489.7

    申请日:2018-03-06

    Abstract: 本说明书公开一种半导体装置,具备:第一及第二半导体元件,在两个面具备电极;第一及第二金属板,夹着第一半导体元件,通过第一焊料与第一半导体元件的各电极接合;及第三及第四金属板,夹着第二半导体元件,通过第二焊料与第二半导体元件的各电极接合。该半导体装置中,从第一金属板延伸出第一接头并且从第四金属板延伸出第二接头,这些接头由第三焊料接合,第一焊料的凝固点比第三焊料的凝固点高,且第二焊料的凝固点比第三焊料的凝固点高。

    半导体装置及其制造方法
    50.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117941059A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202280062218.2

    申请日:2022-08-25

    Abstract: 基板(50)的表面金属体(52)与设在半导体元件(40)的一面上的漏极电极(40D)电连接。基板(60)的表面金属体(62)与设在半导体元件(40)的背面上的源极电极(40S)电连接。信号端子(93)经由接合线(110)而与设在与源极电极相同的面上的焊盘(40P)电连接。在半导体元件(40)和信号端子(93)的排列方向上,表面金属体(62)的端部(64e)位于导电间隔件(70)的端部(70e)与半导体元件(40L)的端部(40Le)之间。

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