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公开(公告)号：CN103560068A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310536719.2
申请日：2013-11-04
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开一种均匀改变等离子体分布的等离子处理装置，该装置包含：处理室，用于容纳处理气体；绝缘窗，其设置于所述处理室顶部；线圈，其设置在所述处理室外部，并对应设置于绝缘窗处；该装置还包含：导板条，其靠近线圈设置；该导板条中产生与线圈的电流方向相反的感生电流；机械驱动装置，其通过连杆机械连接导板条，带动导板条远离或靠近线圈运动；导板条与线圈之间距离越近感生电流越强，导板条与线圈之间距离越远感生电流越弱，从而控制处理室内的电磁场分布。本发明采用机械驱动装置控制导板条与线圈之间的距离，以机械方式实现对等离子处理室内电磁场分布连续改变控制，设备结构简单，操作便捷，成本低。
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公开(公告)号：CN103400800A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310354670.9
申请日：2013-08-14
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种Bosch刻蚀方法，包括：固定基片到反应腔内的基座，在所述基片上形成有具有开口的掩膜层；进行刻蚀步骤，通入刻蚀气体，施加源射频功率源到反应腔以维持反应腔内的等离子浓度，同时施加第一偏置功率源到所述基座，沿开口刻蚀部分所述基片形成刻蚀孔；进行沉积步骤，通入沉积气体，施加第二偏置功率源到所述基座，在刻蚀孔的侧壁表面和掩膜层表面沉积形成聚合物，第二偏置功率源的频率大于第一偏置功率源的频率；重复刻蚀步骤和沉积步骤，直至在所述基片中形成通孔。本发明的Bosch刻蚀方法，在保证刻蚀速率的同时，稳定性较高。
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公开(公告)号：CN102738074A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210232400.6
申请日：2012-07-05
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括步骤：提供基底，在所述基底上形成氮化硅层和氧化硅层交替分布的多层堆叠结构；对所述堆叠结构进行等离子体刻蚀，偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率，当偏置功率源打开时，刻蚀部分所述堆叠结构，形成刻蚀孔，当偏置功率源关闭时，在已形成的刻蚀孔的侧壁和底部形成聚合物，重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程，直至形成通孔。刻蚀步骤和聚合物形成步骤交替进行，刻蚀形成部分深度的刻蚀孔后，会相应的在刻蚀孔的侧壁形成聚合物，后续沿刻蚀孔继续刻蚀堆叠结构时，保护已形成的刻蚀孔不会被过刻蚀，从而使最终形成的通孔保持垂直的侧壁形貌。
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公开(公告)号：CN102737984A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210234307.9
申请日：2012-07-06
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在基底上形成介质层；在介质层上形成第一掩膜层，第一掩膜层具有暴露介质层表面的开口；以第一掩膜层为掩膜，对介质层进行等离子体刻蚀，偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率，当偏置功率源打开时，刻蚀部分介质层，当偏置功率源关闭时，在第一掩膜层表面形成聚合物，重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程，直至形成具有凹槽和通孔的双大马士革结构。采用等离子体刻蚀，重复刻蚀步骤和聚合物的形成步骤，使得聚合物能保持一定的厚度，保护第一掩膜层的不会损伤或损伤的速率减小，提高介质层相对于第一掩膜层的刻蚀选择比。
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公开(公告)号：CN104752256B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201310728956.9
申请日：2013-12-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种等离子体刻蚀方法和系统，所述刻蚀方法包括若干个刻蚀周期，每个刻蚀周期包括等离子刻蚀阶段和中和电荷阶段，在刻蚀过程中，部分电荷附着在基底表面和/或刻蚀图形的内部；在中和电荷阶段，停止等离子体刻蚀，至少在所述停止等离子体刻蚀过程的部分时间段内，向反应腔室内通入带预定导电类型电荷的离子，所述带预定导电类型电荷的离子用于中和附着在基底表面和/或刻蚀图形内部的电荷；通过电荷中和消除了由于沉积电荷产生的内建电场对等离子体的影响，保证了等离子体刻蚀的准确性，保证了刻蚀图形的准直。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105717337B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201410726706.6
申请日：2014-12-04
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: G01R19/00 , H01J37/32 , H01J37/20 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种直流偏压测量系统及方法与吸着力调整系统及方法，先获取静电夹盘的射频电源的电压，并根据经验公式求取晶圆上存在的第一直流偏压值；直流电源根据第一直流偏压值反馈，产生顺利吸着晶圆的直流电压时，测得稳定状态下所述直流电源的漏电流，并获取所述直流电压及系统电阻值，基于欧姆定律来求取晶圆上精确的第二直流偏压值。将所述第二直流偏压值反馈给直流电源，能够进一步调整直流电压的数值，实现对晶圆的吸着力的调整。本发明能够基于直流电源的漏电流来获得实时的直流偏压，实现对晶圆的吸着力的精确控制。
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公开(公告)号：CN103898613B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201210567790.2
申请日：2012-12-24
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种等离子体刻蚀方法，用于对放置在等离子体反应腔室中的晶片进行加工处理，包括如下步骤：向反应腔室通入制程气体，制程气体至少包括刻蚀气体和侧壁保护气体；在反应腔室中产生一功率呈脉冲式变化的射频电场，以使反应腔室中交替进行刻蚀制程与侧壁保护制程。其减少了刻蚀过程中侧壁上出现波浪形的形貌，结构简单，实施便利。
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公开(公告)号：CN106548914A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510592306.5
申请日：2015-09-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/34 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32394 , H01J37/3438 , H01J2237/06375 , H01J2237/334 , H01J2237/335 , H01L21/02082 , H01L21/3065 , H01L21/67011
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理设备及其清洗系统和方法，在反应腔室的腔壁内侧布置移动环，并在所述移动环内设置电极；所述电极通过切换开关与射频电源连通，从而在由移动环限定的等离子体扩散范围的边缘区域形成边缘等离子体；或者，所述电极通过切换开关与接地电路连通，从而对反应腔室的腔壁屏蔽形成在反应腔室内的射频电场。本发明能够增强腔室边缘部件的清洗效果，或者实现对腔壁的射频屏蔽以改善刻蚀偏心的效果。
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公开(公告)号：CN104733277B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201310718975.3
申请日：2013-12-23
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体刻蚀系统，包括，射频源、终点检测系统以及反应腔，所述终点检测系统包括光谱仪，所述光谱仪包括光栅，其中，所述射频源和所述光谱仪分别与所述反应腔连接，所述射频源和所述光谱仪并联连接；所述射频源由第一脉冲信号控制，所述光谱仪光栅的开关由第二脉冲信号控制，所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号同步。通过本发明提供的等离子体刻蚀系统能够检测脉冲等离子体刻蚀工艺的终点。
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公开(公告)号：CN103811261B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210453203.7
申请日：2012-11-13
Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种降低晶圆漏电流的结构，其设置在等离子体处理室，该等离子体处理室包含基座，设置在所述基座表面上的ESC，埋设在该ESC中的直流电极，以及与所述ESC连接的直流供电电源；在该ESC上安装待蚀刻的晶圆；所述降低晶圆漏电流的结构是一个串联连接在所述直流供电电源的输出端和ESC之间的限流阻抗，其阻值大于1MΩ。本发明还提供一种设置有上述降低晶圆漏电流的结构的等离子体处理室。本发明能有效降低等离子体处理室上电时通过晶圆的漏电流尖峰值和上电结束后通过晶圆的漏电流稳态值，使得晶圆在蚀刻过程中受损伤的概率得到明显的减少，从而能够有效提升制成后半导体器件的质量和性能，增加其使用寿命。
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