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公开(公告)号：CN100343491C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200410020652.8
申请日：2004-06-02
Applicant: 中国科学院金属研究所
CPC classification number: Y02A50/2322 , Y02T10/22
Abstract: 本发明公开一种电直热汽车尾气净化装置，包括电源、电直热尾气净化器、蜂窝陶瓷主催化剂，电直热尾气净化器、蜂窝陶瓷主催化剂安装于与排气管相连的净化器封装外壳内，电直热尾气净化器由泡沫陶瓷电直热催化剂单元构成，泡沫陶瓷电直热催化剂单元为以导电碳化硅泡沫陶瓷为载体的三效尾气净化催化剂、安装于导电碳化硅泡沫陶瓷载体两端的石墨电极基座、与二个石墨电极基座分别相连的金属电极构成，电源通过金属电极为导电碳化硅泡沫陶瓷载体供电。本发明催化剂具有良好、可控的导电性能，在车载电源供电的情况下，实现对汽车冷启动阶段排放污染物的提前净化，使排放结果达到更严格的净化标准，具有效果好、汽车改造简单、成本低的特点。
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公开(公告)号：CN101000077A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610045647.1
申请日：2006-01-13
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: F16D69/02
Abstract: 本发明涉及摩擦材料制备技术，具体地说是一种泡沫碳化硅陶瓷、铜合金两相复合的泡沫碳化硅陶瓷骨架整体增强铜基复合材料摩擦片及其制备方法。按体积分数计，泡沫碳化硅陶瓷骨架整体增强铜基复合材料摩擦片成份由15％～50％的泡沫碳化硅陶瓷和85％～50％的铜合金组成。制备方法由高强度致密泡沫碳化硅陶瓷制备、与铜合金复合两个关键工艺步骤组成。先制备高强度致密泡沫碳化硅陶瓷，然后通过挤压铸造的方法使液态铜合金进入泡沫碳化硅陶瓷的三维连通孔空隙中并凝固而实现的。用本发明方法制备的泡沫碳化硅陶瓷骨架整体增强铜基复合材料摩擦片具有耐热性能好、摩擦性能优良、机械强度高、工艺性能好的特点。本发明摩擦片可以作为新型高性能摩擦制动和传动材料。
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公开(公告)号：CN1986490A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200510130842.X
申请日：2005-12-23
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C04B38/00 , C04B38/08 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷/金属复相泡沫材料的制备技术，具体地说是一种由碳化硅和金属铝组成的高强高韧泡沫材料(简称SiC/Al泡沫材料)及其制备方法。所述SiC/Al泡沫材料以多边型封闭环为基本单元，各基本单元相互连接形成三维连通网络结构；构成多边形封闭环单元的复相泡沫筋由碳化硅和金属Al组成，且组成可以调控，按体积百分数计，碳化硅可在95～50％变化，Al金属相可在5～50％变化；复相泡沫筋的相对密度≥99％；所述制备方法采用有机泡沫浸渍工艺，同时将热压致密固化、压注填充中心孔、高分子热解有机结合制备泡沫碳骨架，在此基础上，进行反应烧结熔渗得到SiC/Al泡沫材料。该方法工艺简单、操作方便、无需复杂设备，制造成本低。
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公开(公告)号：CN1865388A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200510046449.2
申请日：2005-05-18
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C09K3/14
Abstract: 本发明涉及一种湿式铜基摩擦材料及其制备方法。该材料由三维连通网络状碳化硅陶瓷骨架、铜合金及其他无机填料组成。其中铜合金相所占的体积百分比为60vol.％～70vol.％，网络状碳化硅陶瓷骨架及无机填料所占的体积百分比为40vol.％～30vol.％。制备方法采用挤压铸造法，即将熔炼的高温液态合金在压力作用下直接挤压进加有无机填料的三维网络状碳化硅陶瓷骨架中。该材料具有力学强度高、热物理性能好、摩擦系数高而稳定等特点，可用于大功率、高速湿式摩擦传动和制动装置中。
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公开(公告)号：CN1273383C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200310119099.9
申请日：2003-12-15
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明属于无机纳米材料技术领域，具体涉及一种单分散纳米Ce-MCM-41分子筛的合成方法。它以阳离子表面活性剂为模板剂，三嵌段共聚物为助剂，硝酸亚铈为铈源，在温和碱性条件下，形成溶胶反应液，进而合成出单分散纳米Ce-MCM-41分子筛。该方法合成的Ce-MCM-41分子筛具有纳米级的均匀球形颗粒，单分散，具有较好的有序介孔孔道，具有较高的比表面积和较大的孔体积，因而在催化、大分子分离、传感器、光学材料、生物芯片、有机-无机纳米复合材料以及化学机械抛光磨料等方面具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1246408C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200310105203.9
申请日：2003-11-26
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明属于微电子加工领域中的化学机械抛光技术，具体公开一种超大规模集成电路制作工艺中多层绝缘膜全局平面化加工用的化学机械抛光液。它以球形纳米介孔粉体为磨料，按重量百分比计，其成份包括3～30球形纳米介孔粉体为磨料，0.01～12分散稳定剂，0.01～12表面处理剂，同时加入pH调节剂至pH值为8.5～12.5，余量的高纯去离子水。本发明利用该磨料富含的表面羟基及其在水溶液中优异的单分散性，用于IC加工过程中对层间介质的全局平面化抛光，避免了对抛光表面的亚微米划伤，平整度高、易清洗，抛光速率高。可用于超大规模集成电路制作工艺中的CMP精抛过程以及其他光学材料的精密抛光。
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公开(公告)号：CN1224592C
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN00110479.9
申请日：2000-05-31
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C04B38/00 , C04B38/06 , C04B35/565
Abstract: 一种高强度碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法，该泡沫陶瓷筋的相对密度大于90%，平均晶粒尺寸在10nm～10μm。其是以热解后能保持高残碳率的高分子材料为原料，以聚氨酯泡沫塑料为骨架，经挂浆、固化、热解、渗硅处理制备最终得到的。用本发明方法制备的碳化硅陶瓷泡沫体密度高、强度高，孔隙体积和尺寸易于控制，并且制作成本较低。
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公开(公告)号：CN1207944C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN02144899.X
申请日：2002-11-22
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明涉及一种大功率微波等离子体炬，包括可调谐同轴谐振腔、矩形波导，所述矩形波导内设波导/同轴转换装置，所述波导/同轴转换装置为门扭块和介质单线上下扣合的门扭结构，所述波导/同轴转换装置分别与矩形波导上下表面紧密接触连接，所述可调谐同轴谐振腔由位于波导上下两侧并与波导/同轴转换装置同轴的上腔、下腔，以及波导/同轴转换装置共同构成，内导体一端插装于下腔，另一端依次贯穿介质单线、门扭块、上腔，上腔的内外导体之间沿轴线方向设有谐振腔短路活塞，所述矩形波导一端设有微波源，另一端设有波导短路活塞。本发明解决了激发维持机构复杂、调节不方便、功率水平低等问题，可应用于气相化学反应、材料的合成和加工等。
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公开(公告)号：CN1173144C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN00123259.2
申请日：2000-11-15
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 一种连续微波烧结炉，由常规电加热窑炉预热段、微波加热段、常规电加热控温冷却段组成；在微波加热段炉体底部接有一微波加热腔，微波加热腔中置有一水平旋转垂直移动的传动机构；与微波加热腔相对应炉体的上方设有一空腔，空腔内容纳介质多模谐振器；微波加热腔与常规电加热窑炉炉体之间采用微波密封门。本发明能充分发挥微波烧结陶瓷的省时、节能等特点，又能提高对微波能量的利用率，降低整套装置的成本，具有高效、低成本的特点。
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公开(公告)号：CN1101641C
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN96115436.5
申请日：1996-07-05
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: H05H1/46
Abstract: 一种陶瓷材料的微波---等离子体分步烧结方法，其特征在于：分步烧结技术，首先将样品放入带介质多模谐振器的微波加热系统中，先用微波将样品均匀加热至900～1800℃，并激励等离子体，激励场强|E|在102V/cm～3×104V/cm，而后等离子继续将样品加热到致密烧结温度，保温5～180分钟。本发明可实现陶瓷件的超高温烧结，且产品质量及成品率高，成本低。
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