公开(公告)号：CN111235633A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010050175.9

申请日：2020-01-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘兴昉 ,  闫果果 ,  申占伟 ,  汪久龙 ,  赵万顺 ,  王雷 ,  孙国胜 ,  曾一平

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02

Abstract: 一种在硅熔体表面通过CVD制备自支撑碳化硅晶圆的方法，包括在一图形衬底上制备硅膜；在生长炉中升高温度使硅膜熔化形成硅熔体；保持温度不变，向生长炉中通入碳氢化合物气体，一段时间后形成悬浮于硅熔体表层的碳化硅籽晶层；向生长炉中通入碳氢化合物气体和硅氢化合物气体，在碳化硅籽晶层上同质外延生长，形成碳化硅自支撑层；将含有碳化硅自支撑层的图形衬底降温后去除所述硅膜，得到剥离的碳化硅自支撑层，将之研磨抛光并整形后，即得到所述碳化硅晶圆。本方法避免了传统方法的劣势，具有简便易行，容易推广等优点；本发明可以使用价格低廉的蓝宝石衬底，衬底还可以重复使用，进一步降低成本。

公开(公告)号：CN111118475A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN202010044551.3

申请日：2020-01-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘兴昉 ,  闫果果 ,  申占伟 ,  汪久龙 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  孙国胜 ,  曾一平

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/32

Abstract: 一种用于碳化硅材料生长和后处理的高温装置及方法，用于碳化硅材料生长和后处理的高温装置包括射频感应加热炉和碳化硅桶；射频感应加热炉包括炉腔、由内到外依序位于炉腔内的感应发热体和保温毡；碳化硅桶位于感应发热体内，碳化硅桶的两端分别设置桶盖和相对应的导气管，形成整体件；整体件内部设置为供碳化硅材料生长和后处理区域，用于流通生长性气体或氧化性气体；其中，整体件、感应发热体、保温毡和炉腔内壁之间均存在间隙，形成气体流通通道，用于流通惰性气体以进行气体隔离。本发明既能延长感应发热体和保温毡的使用寿命，也能防止感应发热体和保温毡在高温下析出杂质影响碳化硅材料的制备。

公开(公告)号：CN109518277A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811309945.6

申请日：2018-11-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘兴昉 ,  闫果果 ,  申占伟 ,  温正欣 ,  陈俊 ,  何亚伟 ,  赵万顺 ,  王雷 ,  张峰 ,  孙国胜 ,  曾一平

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/10 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明提供了一种采用熔融碱液对碳化硅表面进行区域腐蚀的方法，包括：步骤A：取一碳化硅晶片并清洗干净；步骤B：将碱涂布在碳化硅晶片指定区域；步骤C：在热板上将碳化硅晶片加热至第一温度并保温至指定时间，清洗残碱和反应物；步骤D：完成碳化硅晶片区域腐蚀。本发明避免了传统方法设备庞大，操作繁杂的劣势，并可以针对指定区域进行腐蚀观测，具有简便易行，容易推广等优点。

公开(公告)号：CN108962977A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810762721.4

申请日：2018-07-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 申占伟 ,  张峰 ,  温正欣 ,  赵万顺 ,  王雷 ,  闫果果 ,  刘兴昉 ,  孙国胜 ,  曾一平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法。所述MOSFETs的侧墙栅电极接触位于主沟槽侧壁，沟槽底部形成源电极金属接触，并集成肖特基金属接触，第一象限正向导通时，电子自下而上流经沟槽侧壁反型层，形成与传统沟槽型MOSFETs不同的逆向导通沟道；第三象限正向导通时，肖特基二极管率先导通，有效抑制体内寄生PN二极管的导通；反向阻断时，沟槽底部的p型屏蔽层有效屏蔽器件体区的高电场，使得器件栅介质电场和肖特基接触电场大大降低，雪崩发生在器件体区的PN结处。该种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs具有较低的总芯片面积，同时满足良好的第一、三象限导通特性及反向阻断能力，且器件的静态、动态工作可靠性均得到提高。

公开(公告)号：CN107749393A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201710913890.9

申请日：2017-09-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘兴昉 ,  申占伟 ,  闫果果 ,  温正欣 ,  陈俊 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  张峰 ,  孙国胜 ,  曾一平

IPC: H01L21/02

Abstract: 本公开提供了一种侧向异质掺杂碳化硅结构的生长方法，包括：利用第一石墨烯模板与硅源反应生成第一掺杂类型的第一碳化硅结构；在第一碳化硅结构的横向相邻部位，利用第二石墨烯模板与硅源反应生成第二掺杂类型的第二碳化硅结构；其中，第一石墨烯模板和第二石墨烯模板在同一平面的至少在部分区域上互补。本公开可以制备具有侧向pn结构的原子层厚度低维碳化硅半导体材料，且具有简便易行，容易推广等优点，具有较好的推广应用前景。