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公开(公告)号：CN206282864U
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201621276431.1
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本专利公开了一种锑化铟太赫兹探测器，该探测器由高阻硅镜中心下方粘接的锑化铟探测器和背面镀金介质层，衬底两侧粘接的转接金属片，以及器件管座组成。制作方法包括：在氧化铝衬底上粘接单面抛光锑化铟材料，减薄得锑化铟薄层；使用CVD法在薄层表面生长SiOx钝化膜；通过刻蚀工艺制作敏感元，光刻镀金制作耦合天线，使用环氧胶将器件粘接到硅镜中心；在器件上设置背面镀金介质层，增强敏感元处电场强度；使用导电硅脂实现转接金属片和器件管脚的电学连接，使用树脂片实现管座对硅镜和器件的机械支撑。根据所述方法制作的太赫兹探测器结构紧凑，响应范围可覆盖0.04‑2.5THz，可在室温及适当制冷条件下实现对太赫兹波的高灵敏探测。
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公开(公告)号：CN209929316U
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201920708751.7
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/09 , H01L31/18 , G01J5/20
Abstract: 本专利公开了一种硅介质超表面的非制冷红外窄带探测器，所述探测器由氧化铝衬底，金属下电极，锰钴镍氧敏感元，硅介质超表面结构层，以及器件管座组成。通过在锰钴镍氧敏感元上，引入硅介质超表面结构层，作为耦合特定波长的光的引导层，形成导模共振条件，实现整个结构对特定波长光的完美吸收；同时反射非特定波长的光，达到器件窄带探测的效果。本专利结构中，由于硅介质结构层在红外波段具有极弱的吸收系数，吸收主要发生在敏感元部分，可以使得敏感元吸收达到85％左右，光谱曲线的品质因子(Q值)可以高达20，对于提升非制冷红外窄带探测器的探测率和目标识别准确率有着十分重要的意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206412375U
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201720067353.2
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/115
Abstract: 本专利公开一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件，该器件由半导体衬底上依次生长半导体外延层，钝化保护层和正负电极金属层构成。该器件基于电磁诱导势阱、远禁带下室温光电导机制，选用适宜参数(载流子浓度，迁移率等)的半导体材料，通过理论分析，设计合理的器件尺寸，通过前放电路对光电信号进行放大读出，实现高速光信号到电信号转换及探测。具有可室温工作，远小于半导体禁带下产生较强光电导，灵敏度高，响应迅速，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点。
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公开(公告)号：CN206283093U
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201621276323.4
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开一种种子光注入高功率太赫兹差频源系统，该系统包括1064nm脉冲激光器、光学参量振荡器、种子太赫兹激光器、光束延迟线、光学元器件(半波片、偏振分光棱镜、太赫兹合束镜)、硒化镓晶体和太赫兹透镜。该专利基于种子光注入放大原理，首先利用两束高功率近红外泵浦光源(1064nm激光器和光学参量振荡器)在硒化镓晶体中实现常规太赫兹波差频辐射，然后在此光路中注入种子太赫兹实现高功率、极窄线宽的太赫兹辐射。本专利具有结构简单，工作可靠，便于操作，相干性好，室温工作，并且能够增强辐射功率、极窄线宽、宽带、可调谐等优点。
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公开(公告)号：CN206283088U
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201621276324.9
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本专利公开一种激光上转化太赫兹差频源探测系统，该系统基于非线性光学激光上转化的原理，在非线性晶体中对目前已有的太赫兹脉冲差频信号进行上转化探测，依据高灵敏度近红外探测器以及窄带滤光片技术，实现太赫兹的近红外光探测，最终实现太赫兹波的室温高速实时探测。该系统，解决目前太赫兹差频源低温探测局限，具有测量速度快，室温探测，体积小，结构紧凑，信噪比高等优点，便于进行实时脉冲信号探测。
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公开(公告)号：CN206142814U
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201621119724.9
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器件。探测器的微桥结构为一平台，将锰钴镍氧薄膜材料沉积在该平台上制作红外探测器，其微桥结构的牺牲层采取直接加热的方式去除，而无需在锰钴镍氧探测元上再沉积一层钝化层，且牺牲层可以在内部形成拱形的支撑结构，也简化了制作流程，节约了成本，提高了器件之作的成功率，同时由于其平台结构强度较高，在红外器件的诸如涂黑漆、封装等步骤中不易受损。
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公开(公告)号：CN204680681U
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201520372503.1
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开了一种可控制硒气压的制备铜铟镓硒薄膜的硒化装置，该硒化装置由石英腔体、真空系统、气体流量控制系统、加热系统和石墨盒构成，其特征在于，石墨盒上除了常规的上盖以外，还在上盖中间开孔，并在此开孔中放置一个圆锥体型小盖子，通过改变小盖子质量和开孔面积可以调节石墨盒内的硒气压。本专利的优点在于：装置提高了铟镓硒薄膜固态源硒化过程的可控性、稳定性和重复性。
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