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公开(公告)号：CN104752182A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310746120.1
申请日：2013-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法，至少包括以下步骤：1）提供一Si1-xGex层，于所述Si1-xGex层表面形成Ti金属薄膜，其中，0.05≤x≤0.9；2）于所述Ti掺入层表面形成Ni金属层；3）采用快速退火工艺使所述Ni金属穿过所述Ti金属薄膜与所述Si1-xGex层反应生成NiSi1-xGex层，其中，0.05≤x≤0.9。本发明具有以下有益效果：由于特定温度可以提供Ni与Si1-xGex层反应所需的热激活能，并使只有极少量的Ti与Si1-xGex反应并保持在Si1-xGex层与NiSi1-xGex层的界面处，产生几个原子层的缺陷聚集区，隔断了表层薄膜应力的释放向底层的传递，同时使Ni与Si1-xGex的反应以较缓慢的速度进行。因此，本发明对于保持Si1-xGex的应变起到了一定的作用，可以获得连续、均一、稳定的NiSiGe材料。
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公开(公告)号：CN102468123B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201010532635.8
申请日：2010-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法，该方法包括在SiGe层表面淀积一层NiAl合金薄膜，然后进行退火工艺，使NiAl合金薄膜的Ni原子与SiGe层的SiGe材料进行反应，生成NiSiGe材料。因为Al原子的阻挡作用，NiSiGe层具有单晶结构，和SiGe衬底的界面很平整，可以达到0.3nm，可以大幅度提高界面的性质。
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公开(公告)号：CN103137539A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110383801.7
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过Co与Si衬底两次反应生成CoSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间插入一层金属硅化物CoSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，从而达到减小顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN103137538A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110383797.4
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Ni层，通过对Ni与Si衬底进行退火反应生成NiSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物NiSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入NiSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减小顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN101339816B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810041517.X
申请日：2008-08-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于原子力显微镜的二维微动平台及力学参数的测定方法，其特征在于二维微动平台的中心开孔用于安装PZT扫描管，其中在互相垂直的X和Y位置上分别有两个调节旋钮，两个调节旋钮连接两个驱动杆，两个驱动杆与PZT扫描管连接，所述的二维微动平台固定在底座上。本发明所述的二维微动平台水平方向上的移动范围为3×3平方毫米，PZT扫描管的最大扫描位移为20微米。利用经改进的二维微动平台的AFM显微镜可进行在微结构上固定点的力学参数测试，在微取逐点进行力学-位移功能测试以及微区连续弹性系数的测试，均获得很好的一致性结果。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN104752182B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201310746120.1
申请日：2013-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法，至少包括以下步骤：1）提供一Si1‑xGex层，于所述Si1‑xGex层表面形成Ti金属薄膜，其中，0.05≤x≤0.9；2）于所述Ti掺入层表面形成Ni金属层；3）采用快速退火工艺使所述Ni金属穿过所述Ti金属薄膜与所述Si1‑xGex层反应生成NiSi1‑xGex层，其中，0.05≤x≤0.9。本发明具有以下有益效果：由于特定温度可以提供Ni与Si1‑xGex层反应所需的热激活能，并使只有极少量的Ti与Si1‑xGex反应并保持在Si1‑xGex层与NiSi1‑xGex层的界面处，产生几个原子层的缺陷聚集区，隔断了表层薄膜应力的释放向底层的传递，同时使Ni与Si1‑xGex的反应以较缓慢的速度进行。因此，本发明对于保持Si1‑xGex的应变起到了一定的作用，可以获得连续、均一、稳定的NiSiGe材料。
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公开(公告)号：CN105448690B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201410415714.9
申请日：2014-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成石墨烯薄膜；2)在所述石墨烯薄膜表面沉积一层金属层；3)进行快速退火，使所述半导体衬底表层的一部分原子穿过所述石墨烯薄膜与所述金属层发生反应，形成金属/半导体材料层。本发明通过采用坚硬的石墨烯薄膜作为插入层，快速退火阶段半导体材料的原子在插入层中的扩散速度较为缓慢，使材料整体的反应更加平衡，从而获得均匀平整且稳定的金属/半导体材料，改善界面的接触特性。
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公开(公告)号：CN103137538B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110383797.4
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Ni层，通过对Ni与Si衬底进行退火反应生成NiSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物NiSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入NiSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减小顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN105448690A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410415714.9
申请日：2014-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成石墨烯薄膜；2)在所述石墨烯薄膜表面沉积一层金属层；3)进行快速退火，使所述半导体衬底表层的一部分原子穿过所述石墨烯薄膜与所述金属层发生反应，形成金属/半导体材料层。本发明通过采用坚硬的石墨烯薄膜作为插入层，快速退火阶段半导体材料的原子在插入层中的扩散速度较为缓慢，使材料整体的反应更加平衡，从而获得均匀平整且稳定的金属/半导体材料，改善界面的接触特性。
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