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公开(公告)号：CN106829943A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611156543.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种提高石墨烯膜表面亲水性的方法，包括以下步骤：1)配置表面活性剂溶液；以及2)将石墨烯薄膜与衬底的结合体在所述表面活性剂溶液中放置一定时间。根据本发明提供的方法，利用表面活性剂的亲水疏水基团实现对石墨烯膜表面的亲疏水性的调节，该方法能够简单快速地提高石墨烯膜的亲水性，大大节约了时间成本，并且操作简单，节省了人工成本、材料成本；还具有环境友好性，适宜大幅推广；并且不受石墨烯膜尺寸的限制；由于提高了石墨烯膜的亲水性，还进一步扩大了石墨烯材料的应用领域。
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公开(公告)号：CN106756869A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611130948.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/0272
Abstract: 本发明提供一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法，所述方法包括步骤：步骤1），在金属箔片的第一表面沉积氧化物，金属箔片的第二表面为金属面，将金属箔片按氧化物表面朝向金属面的顺序堆叠或者卷起来，形成金属堆垛或金属卷；步骤2），采用化学气相沉积法于所述金属堆垛或金属卷的金属面上生长石墨烯。本发明的方法重复性高、简单易行，可用于大面积高质量石墨烯的规模批量制备；本发明通过在金属箔片背面沉积氧化物的方法，避免了金属箔片之间的相互粘连，可一次性在CVD设备腔体中放入大量或大面积的金属箔片，极大的提高了石墨烯的生长效率。
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公开(公告)号：CN106591798A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611129914.3
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/26 , C01B32/186
CPC classification number: C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种无粘连插层金属箔片堆垛制备石墨烯的方法，所述方法包括步骤：步骤1），将至少两层金属箔片进行堆垛，各层金属箔片通过插层隔开，形成金属箔片堆垛结构，其中，所述插层为不与所述金属箔片反应的物质；步骤2），采用化学气相沉积法于所述金属箔片堆垛结构的各金属箔片表面生长石墨烯。本发明的方法重复性高、简单易行，可用于大面积高质量石墨烯的规模批量制备；本发明通过插层金属箔片堆垛的方法，避免了金属箔片之间的相互粘连，可一次性在CVD设备腔体中放入大量的金属箔片，极大的提高了石墨烯的生长效率。
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公开(公告)号：CN104975344A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510401391.2
申请日：2015-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及基于氧化亚铜薄膜衬底低成核密度石墨烯单晶的制备方法，其特征在于通过氧化亚铜薄膜衬底，直接制备出低成核密度石墨烯单晶，具体制备步骤包括：(1)氧化亚铜薄膜的制备；(2)低密度石墨烯单晶制备。本发明提出了新的制备工艺，使CVD石墨烯的单晶密度控制更加容易，可以使处理后的铜表面的石墨烯成核密度大大降低，从而提高单晶尺寸，减少石墨烯晶界对薄膜电学性质的影响。本发明所述的制备方法重复性高、简单易行。
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公开(公告)号：CN104078335A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410307391.1
申请日：2014-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/04
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02598 , H01L21/02645
Abstract: 本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法，包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成，外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用，内层掩膜起到保护GaN籽晶的作用；复合掩膜窗口区的刻蚀工艺使用干法工艺和湿法工艺相结合，并辅助GaN籽晶层表面处理，可确保刻蚀的精度并且获得洁净的外延用籽晶晶面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103353276A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310237684.2
申请日：2013-06-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明涉及一种便于观察金属衬底上CVD石墨烯表面褶皱分布的方法，包括：将长有石墨烯的金属衬底置于氧化性气氛中，以氧化石墨烯褶皱处的金属；然后将氧化后的金属衬底置于光学显微镜下观察，纳米级褶皱分布情况在光学显微镜下清晰显现出来；所述的金属衬底为铜、镍或者铜镍合金。本发明的表征方法重复性高、简单易行，使这些处理前需要超高放大倍数显微镜才能观察到的纳米级褶皱分布在低放大倍数光学显微镜下能够清晰地显现出来。
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公开(公告)号：CN110683533B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911139788.3
申请日：2019-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯，涉及石墨烯技术领域。本发明的改变双层石墨烯耦合性的方法包括以下步骤：提供石墨烯样品和衬底，所述石墨烯样品为双层石墨烯，将所述石墨烯样品转移至所述衬底上，形成结合体；将所述结合体放入装有溶剂的密闭容器中加热至预设温度，并保持预设时间，其中所述结合体在所述密闭容器中的位置高于所述溶剂的液面；降温处理，即得目标石墨烯产物。本发明解决了现有技术中制备不同堆垛关系的双层石墨烯存在的步骤多、工艺复杂的问题，相对于现有技术，本发明的制备方法更加简单，且能够显著改变双层石墨烯的耦合性。
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公开(公告)号：CN106756869B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201611130948.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法，所述方法包括步骤：步骤1），在金属箔片的第一表面沉积氧化物，金属箔片的第二表面为金属面，将金属箔片按氧化物表面朝向金属面的顺序堆叠或者卷起来，形成金属堆垛或金属卷；步骤2），采用化学气相沉积法于所述金属堆垛或金属卷的金属面上生长石墨烯。本发明的方法重复性高、简单易行，可用于大面积高质量石墨烯的规模批量制备；本发明通过在金属箔片背面沉积氧化物的方法，避免了金属箔片之间的相互粘连，可一次性在CVD设备腔体中放入大量或大面积的金属箔片，极大的提高了石墨烯的生长效率。
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公开(公告)号：CN106882792A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510933644.0
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明提供一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法，包括：1）将长有石墨烯的金属衬底置于目标衬底上，并将所述石墨烯面朝目标衬底；2）将放置好的长有石墨烯的金属衬底和目标衬底放入反应器中，在保护气氛下，升温至金属衬底熔化温度或以上，使所述金属衬底熔化收缩成金属小球，所述石墨烯附着于目标衬底上，保温预设时间后在保护气氛下降至室温，以将所述石墨烯转移至目标衬底上。本发明的方法重复性高、简单易行，用于微电子和光电子领域用高质量石墨烯的规模批量转移；本发明转移过程属于物理过程且无需其他液态或者固态试剂辅助，转移过程不会引入其他杂质，可有效避免非故意掺杂，降低了转移过程对石墨烯电学性能的影响。
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公开(公告)号：CN103928583B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410177651.8
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/32
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法，所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶，通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件，实现控制失配应力以裂纹的形式在蓝宝石上释放，同时保持GaN籽晶层表面无裂纹，可使整个GaN/蓝宝石外延层应力势能降低，进而降低厚膜GaN外延层的位错密度，避免厚膜GaN开裂；背部刻蚀剥离蓝宝石方法是在厚膜GaN生长结束后使用刻蚀剂透过蓝宝石背后的裂纹实现对厚膜GaN背面(N极性面)的刻蚀，通过背部刻蚀可降低GaN/蓝宝石界面的结合强度，使得蓝宝石更容易剥离，有效避免剥离造成的厚膜GaN开裂，有利于产业化。
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