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公开(公告)号：CN110699631B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910954894.0
申请日：2019-10-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面热氧化调控粗糙铜表面润湿性能的方法，属于表面技术领域。该方法包括：对铜片表面进行电解抛光以及酸洗处理，利用电化学沉积技术在铜片表面形成粗糙结构；对粗糙结构铜表面进行清洗处理；对清洁后的铜片进行加热处理，再将铜片冷却至室温，通过控制温度以及气体氛围可以实现表面润湿性的调控。其中的超亲水状态具有0°的接触角，超疏水状态可达到超过160°的接触角。该方法具有操作简便，成本低等优势，可广泛应用于特殊润湿性材料、智能传感器等领域。
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公开(公告)号：CN112921369A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110119058.8
申请日：2021-01-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了提高循环寿命的锂金属负极集流体表面热氧化调控方法，先对金属集流体依次进行除油处理和酸洗处理，然后于金属集流体的表面形成三维结构，再对三维集流体表面进行热氧化处理，最后以三维集流体为正极，金属锂片为负极组装纽扣电池，利用电化学工作站在三维集流体上电镀锂金属。本发明通过热氧化处理三维集流体表面，实现负极集流体表面的亲锂性改变，来提高锂金属在集流体表面的沉积均匀性，有效抑制锂枝晶生长，提高电池长循环寿命，且本发明提供的提高循环寿命的锂金属负极集流体表面热氧化调控方法易于操作，成本低廉。
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公开(公告)号：CN112103176A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010953444.2
申请日：2020-09-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体表面共价接枝介电薄膜的方法；包括：在大气环境下利用重氮盐技术在半导体表面化学接枝钝化层，该钝化层成分为重氮盐的有机聚合物，钝化层厚度可控，目的在于防止H钝化的表面被氧化同时作为接枝介电薄膜的中介层；在大气环境下利用重氮盐技术在表面电接枝介电薄膜层。本方法可完全在大气环境下进行，不需要惰性气体氛围保护，并且可以接枝任何可溶解的乙烯基单体，尤其可以防止F离子对于单体的腐蚀以及对于某些共价键的破坏。本方法适用性广、成本低，适用于半导体制造领域和工业生产。
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公开(公告)号：CN109576683B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910087446.5
申请日：2019-01-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物薄膜表面化学镀的方法，该方法包括:首先将聚合物薄膜表面功能化，使得所述聚合物薄膜表面接枝硝基苯基团；然后将硝基苯基团还原为苯胺基团；再将还原为苯胺基团的聚合物薄膜放置于含有氢氟酸的活化溶液中进行活化，得到具有催化活性的表面；最后进行化学镀操作。本发明将聚合物表面接枝了硝基苯基团，并将其还原成苯胺，苯胺基团对活化离子或原子具有较强的吸附作用，从而使聚合物薄膜在活化后得到具有催化活性的表面，从而使聚合物薄膜表面顺利镀上金属层。本发明通过设计表面功能化步骤解决了聚合物表面能低、不能成为催化表面的问题，并且避免表面粗化、表面等离子体处理带来的负面影响。
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公开(公告)号：CN111952263A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910406707.5
申请日：2019-05-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种微米级单晶铜互连结构及其制备方法，属于电子封装领域。所述结构主要包括基底、阻挡层、含磷铜种子层、铜针；所述基底为具有通孔和沟槽的介质层、具有盲孔的硅晶圆、具有铜柱窗口的半导体衬底中的一种；所述阻挡层设置在介质层的通孔和沟槽的内侧壁和底部、硅晶圆的盲孔的内侧壁和底部、或半导体衬底上的铜柱窗口底部；所述含磷铜种子层设置在与基底平行的阻挡层上方；所述铜针在含磷铜种子层上沉积得到。该结构在铜种子层中掺入磷元素，进行电镀时不需要添加剂的协助即可形成微米级单晶铜针，作为铜互连结构。本发明得到的铜互连结构，是完整的单晶结构，没有横向晶界的存在使得铜互连的传输性能显著提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111321439A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010147526.8
申请日：2020-03-05
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电化学沉积制备具有高密度纳米孪晶的铜针锥结构的方法，涉及微纳米和电化学交叉技术领域；将导电性基材作为阴极置于含有络合剂和添加剂的硫酸盐体系镀铜液中，施加电流，使电结晶按垂直于表面的方向纵向生长，便可在所述导电性基材表面形成所述高密度纳米孪晶铜针锥结构。本发明提供了一种工艺简单、成本低廉，适于工业化批量生产的含高密度纳米孪晶铜针锥结构的制备方法；此外，纳米孪晶铜具有优良的力学、电学性能，而具有三维针锥结构的纳米孪晶铜具有更广阔的的应用空间，可以为后续应用提供高强度、高抗电迁移性能的导电及支撑结构；既可以作为材料，又可以组成器件，从而为实现工业化生产和广泛应用的目的提供了可能。
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公开(公告)号：CN110699631A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910954894.0
申请日：2019-10-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面热氧化调控粗糙铜表面润湿性能的方法，属于表面技术领域。该方法包括：对铜片表面进行电解抛光以及酸洗处理，利用电化学沉积技术在铜片表面形成粗糙结构；对粗糙结构铜表面进行清洗处理；对清洁后的铜片进行加热处理，再将铜片冷却至室温，通过控制温度以及气体氛围可以实现表面润湿性的调控。其中的超亲水状态具有0°的接触角，超疏水状态可达到超过160°的接触角。该方法具有操作简便，成本低等优势，可广泛应用于特殊润湿性材料、智能传感器等领域。
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公开(公告)号：CN106206252B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201610510595.4
申请日：2016-06-30
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种在半导体基材表面一步法化学接枝有机膜的方法，其包括如下步骤：制备化学镀液；将半导体基材置于所述化学镀液中，在0～30℃下进行静置，完成有机膜在半导体基材表面的接枝。与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：1、本发明的方法中，在F‑的作用下，不需要其他的外加设备和温度条件，即可在半导体基材上制备出均一的厚有机膜；2、步骤简单，易于操作，成本较低，适用于半导体领域和工业生产。
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公开(公告)号：CN109880027A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910088159.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08F292/00 , C08F220/56 , C08F220/06 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体表面制备共聚有机聚合物薄膜的方法，该方法包括：A1：半导体基底表面共聚接枝：将所述半导体基片放置于含氰基乙烯基类单体和羧基乙烯基类单体的接枝溶液进行接枝反应，接枝后，大多数氰基自发水解为酰胺基；A2：退火处理，对所述步骤A1所得样品进行退火处理，保温温度为150～300℃，保温时间为30～180min，得到含有酰亚胺结构的聚合物薄膜。本发明在半导体基底表面原位制备具有三维空间交联结构的薄膜，改善了传统接枝法获得的聚合物膜层多为“梳形”或“线形”的结构，提升了现有有机薄膜二维结构的性能。
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公开(公告)号：CN108989826A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710415356.5
申请日：2017-06-05
Applicant: 上海交通大学 , 中兴通讯股份有限公司
IPC: H04N21/218 , H04N21/2343 , H04N21/4402 , H04N21/647
Abstract: 本发明提供了一种视频资源的处理方法及装置，其中之一的方法包括：对视频资源的视频类型进行标识得到所述视频资源的描述信息，其中，所述描述信息包括与所述视频资源对应的以下至少之一：视频映射方式，视频重排列方式，视频分块方式；将所述描述信息发送给所述视频资源的接收端。通过本发明，解决了相关技术中不能对视频资源进行精确定位和识别的问题。
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