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公开(公告)号：CN104811189A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510247123.X
申请日：2015-05-14
Applicant: 东南大学
IPC: H03L7/08
Abstract: 一种电荷泵锁相环中的电荷泵电路，包括线性区电流镜、充放电电路、复制电路、轨到轨运放电路OP1、RC补偿电路以及两个用于改善动态特性的电容C1及C2。线性区电流镜中通过设置的轨运放电路OP2的共模负反馈作用，使得电流镜和复制电路的电流可以完全镜像，OP1的输入端跨接于充放电电路和复制电路之间，让充放电电路和复制电路的电流完全一致，使得电荷泵的充放电流匹配，电容C1、C2分别位于OP1及OP2的输出上，使运放的输出更稳定。该电荷泵电路工作在1V工作电压下，可实现在0～0.96V输出电压范围内充放电电流精确匹配，并在0.04V～0.95V输出电压范围内充放电电流有极高的平坦度。
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公开(公告)号：CN103001566B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210406980.6
申请日：2012-10-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超高Q值片上可调电感，包括电感单元、电容调控单元和负阻调控单元，电感单元设有电磁耦合的主电感及副电感，主电感的两端与射频输出连接；电容调控单元设有两个串接的可变电容C1及C2，其串接端连接外部控制信号VC1，可变电容C1及C2的另一端分别连接副电感的同相端及反相端；负阻调控单元设有五个晶体管，晶体管M1的栅极连接外部输入的控制信号VC2，晶体管M1的源极接地，漏极与晶体管M2及M3的源极连接在一起，晶体管M2的栅极与晶体管M3的漏极、晶体管M5的漏极、晶体管M4的栅极以及副电感的反相端连接在一起，晶体管M3的栅极与晶体管M2的漏极、晶体管M4的漏极、晶体管M5的栅极以及副电感的同相端连接在一起，晶体管M4及M5的源极均连接电源VDD。
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公开(公告)号：CN103337682B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310313417.9
申请日：2013-07-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种宽带、低损耗、高平衡度的片上巴伦，设有四个形同盘状蚊香的正八边形平面螺旋线圈，其中两个为平衡线圈，另外两个为非平衡线圈，平衡线圈在上，非平衡线圈在下，之间设置绝缘层，两者构成非对称的宽边耦合结构。线宽较窄的平衡线圈的外端点作为输入，线宽较宽的平衡线圈的外端点悬空，两个平衡线圈的内端点通过金属导线相连。两个非平衡线圈的外端点连接在输入参考地上，两个非平衡线圈的内端点分别引出作为转换器的两个输出，输出和输入参考地仅通过平衡和非平衡线圈的隔离线相连。
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公开(公告)号：CN103337682A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310313417.9
申请日：2013-07-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种宽带、低损耗、高平衡度的片上巴伦，设有四个形同盘状蚊香的正八边形平面螺旋线圈，其中两个为平衡线圈，另外两个为非平衡线圈，平衡线圈在上，非平衡线圈在下，之间设置绝缘层，两者构成非对称的宽边耦合结构。线宽较窄的平衡线圈的外端点作为输入，线宽较宽的平衡线圈的外端点悬空，两个平衡线圈的内端点通过金属导线相连。两个非平衡线圈的外端点连接在输入参考地上，两个非平衡线圈的内端点分别引出作为转换器的两个输出，输出和输入参考地仅通过平衡和非平衡线圈的隔离线相连。
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公开(公告)号：CN102332868B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201110315639.5
申请日：2011-10-18
Applicant: 东南大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 一种低功耗宽带低噪声放大器，设有输入单元1、输入单元2、隔离单元3、隔离单元4以及负载单元5。输入单元1、输入单元2采用电流复用共栅结构，并在输入级的MOS管栅极到源极和衬底到源极进行了双交叉耦合，差分输入端通过输入单元1、输入单元2实现50欧姆输入阻抗。PMOS管产生的信号电流通过隔离单元4后与NMOS管产生的信号电流相叠加，再通过隔离单元3送至负载单元5，最终输出放大的电压差分信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103117708A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310028709.8
申请日：2013-01-25
Applicant: 东南大学
IPC: H03D7/12
Abstract: 一种低功耗高增益的下混频器，设有电流源单元、输入跨导单元、开关单元以及负载单元，电流源单元的输出连接输入跨导单元，射频输入信号从输入跨导单元与电流源单元之间输入，输入跨导单元放大射频信号并通过两对交叉耦合增强信号，然后输出至开关单元，本振输入信号输入至开关单元，开关单元的输出连接负载单元，负载单元通过正反馈进一步增强输出信号，差分中频输出信号从负载单元与开关单元之间输出。
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公开(公告)号：CN102163954B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110033060.X
申请日：2011-01-30
Applicant: 东南大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 一种低电压低噪声宽带混频器，设有跨导单元、巴伦单元、开关单元、负载单元以及缓冲单元电路，其特征在于：跨导单元采用栅极串联电感的共栅结构，单端输入射频信号直接输入至跨导单元经放大后输出至巴伦单元将单端射频信号转换为差分射频信号后输出至开关单元；本振信号输入至另一巴伦单元将单端信号转换为差分信号后亦输出至开关单元；开关单元将输入的差分本振信号与差分射频信号相乘，产生差分中频信号，再经负载及缓冲单元后，输出单端中频信号。
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公开(公告)号：CN102290627A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110163976.7
申请日：2011-06-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01P5/10
Abstract: 一种叠层蜿蜒结构的宽带低损耗片上无源巴伦，设有三层金属导线，第一层为次级导线，第二层为初级导线，第三层为地线，每层导线的首、尾端之间均呈U形连续的折弯蜿蜒结构，所有U形折弯的几何形状完全一致，将第一层次级导线首、尾端之间的中点断开，构成不连续的左右两段U形折弯，不平衡端单端信号连接初级导线首端，初级导线尾端连接至地线，次级导线的首、尾端均接地线，与次级导线首端同一段导线的断开点为正相信号输出端，与次级导线尾端同一段导线的断开点为反相信号输出端，通过初级导线与次级导线的耦合作用，转换成平衡端差分信号输出。地线使得巴伦插入损耗降低的同时，拓展了增益带宽和匹配带宽。
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公开(公告)号：CN100334733C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200510040731.X
申请日：2005-06-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/76
Abstract: 本发明公开了一种用于并行光纤通信系统的单芯片并行隔离放大器，包括P型衬底，在P型衬底上至少设有2个放大器，在P型衬底上设有与放大器相应数量的N型区，在N型区内设有P阱，在P阱内设有高掺杂P区，高掺杂P区通过接触孔连接有金属内环，放大器位于金属内环围成的内部区域，在位于P阱之外的N型区上设有高掺杂N区，高掺杂N区通过接触孔连接有金属外环且使金属内环位于金属外环之内。本发明所涉及的单芯片CMOS工艺并行光接收放大器隔离结构不仅设计简单，同时可以满足单芯片并行光接收机对放大器之间隔离度的要求。
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公开(公告)号：CN1710717A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510040731.X
申请日：2005-06-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/76
Abstract: 本发明公开了一种用于并行光纤通信系统的单芯片并行隔离放大器，包括P型衬底，在P型衬底上至少设有2个放大器，在P型衬底上设有与放大器相应数量的N型区，在N型区内设有P阱，在P阱内设有高掺杂P区，高掺杂P区通过接触孔连接有金属内环，放大器位于金属内环围成的内部区域，在位于P阱之外的N型区上设有高掺杂N区，高掺杂N区通过接触孔连接有金属外环且使金属内环位于金属外环之内。本发明所涉及的单芯片CMOS工艺并行光接收放大器隔离结构不仅设计简单，同时可以满足单芯片并行光接收机对放大器之间隔离度的要求。
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