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公开(公告)号：CN1757099A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200480006010.0
申请日：2004-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/304 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/6704 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6715 , H01L21/67161 , H01L21/67173
Abstract: 本发明的目的在于完全除去由于清洗而附着在衬底上的水分，并将该衬底在除去水分的状态下输送至成膜装置中。本发明是一种衬底处理系统(1)，其包括：清洗装置(3)，使用清洗液清洗衬底；水分去除装置(4)，除去在所述清洗装置(3)中清洗的衬底上附着的水分；以及输送部(7)，用于将在所述水分去除装置(4)中除去水分的衬底经过干燥气氛内输送至衬底的其他处理装置中。
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公开(公告)号：CN1739072A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200480002284.2
申请日：2004-01-16
Applicant: 株式会社富士金 , 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: G05D7/06
CPC classification number: H01L21/67023 , G05D7/0635 , Y10T137/6416 , Y10T137/6606 , Y10T137/7761
Abstract: 本发明使得能够使用压力式流量控制装置，在3～300SCCM左右的流量范围内，对供给真空腔室等的HF气体等簇化流体高精度地进行流量控制。具体地说，使用压力式流量控制装置的簇化流体的流量控制方法是下述方法，即在节流孔上游侧的气体的压力P1与节流孔下游侧的气体的压力P2之比P2/P1保持在气体的临界压力比以下的状态下，在节流孔中流通的气体的流量Q按照Q＝KP1(其中，K为常数)进行运算，其中，将前述压力式流量控制装置加温到40℃以上，或者向簇化流体中添加稀释气体使之达到分压以下，从而使得缔合的分子离解，之后使得变成了单分子状态的簇化流体通过所述节流孔流通。
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公开(公告)号：CN1502121A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN02807489.0
申请日：2002-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , B01J19/08 , C23C16/511 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/517 , H01J37/32009 , H01J37/32339
Abstract: 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。
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公开(公告)号：CN1460285A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN02800918.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
Abstract: 一种微波等离子体处理装置，为了使阻抗变化缓和，通过在微波供给波导管和微波天线之间设置锥面或具有中间介电常数的部件，可抑制微波供给波导管与微波天线的连接部中的反射波的形成，提高供电效率，抑制放电，在等离子体处理装置中稳定形成等离子体。
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公开(公告)号：CN1127004C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN99800002.7
申请日：1999-01-11
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
Abstract: 一种供如半导体制造设备中气体供给系统用的流体供给设备，它使得有可能在开始供给流体或流体转换时高精度控制流体流速而不产生流体的瞬时过冲现象。本发明的流体供给设备包括：压力流量控制器，用来调节流体的流率；流体转换阀，用来打开和关闭压力流量控制器次级侧的流体通道；以及流体供给控制单元，用来控制压力流量控制器和流体转换阀的操作；压力流量控制器包括：注流孔5；设置在注流孔5上游侧的控制阀1；设置在控制阀1和注流孔5之间的压力检测器3；以及计算控制单元6，它把流率信号Qc和流率指定信号Qs之间的差值作为控制信号Qy输入到控制阀1的驱动器2，流率信号Qc是利用流率Qc＝KP1(K＝常数)、根据由压力检测器3检测到的压力P1计算的；其中，通过借助打开和关闭控制阀1来调节注流孔上游侧的压力P1而控制注流孔5下游侧的流率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1275218A
公开(公告)日：2000-11-29
申请号：CN99801434.6
申请日：1999-08-09
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , Y10T137/0396 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8326
Abstract: 对于使用孔板的流量控制装置,可不必拆解配管而通过检测上游压力判断孔板是否堵塞,可使流量控制装置的寿命延长、安全性得到提高。具体地说就是,在上游压力P1保持为下游压力P2的约2倍以上、以QC=KP1(K:常数)进行下游流量QC的计算、利用该计算流量QC与设定流量QS二者的差信号QY对控制阀CV的开闭进行控制的流量控制装置FCS中,其堵塞检测装置由:储存有孔板2无堵塞的条件下从高设定流量QSH切换到低设定流量QSL而测定的上游压力P1的基准压力衰减数据Y(t)的存储装置M,在孔板2的实际条件下从高设定流量QSH切换到低设定流量QSL以对上游压力P1的压力衰减数据P(t)进行测定的压力检测器14,对压力衰减数据P(t)与基准压力衰减数据Y(t)二者进行对比运算的中央运算处理装置CPU,以及当压力衰减数据P(t)偏离基准压力衰减数据Y(t)达到既定程度以上时报知堵塞的报警电路46等构成。
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公开(公告)号：CN1236449A
公开(公告)日：1999-11-24
申请号：CN98801151.4
申请日：1998-08-13
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0647 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
Abstract: 一种在半导体制造装置的气体供给系统中使用的压力式流量控制装置,节流孔口径为可变型,可简单地改变流体的流量控制范围,同时可使压力式流量控制装置小型化和提高气体置换性,并提高防止产生尘埃的性能以及降低制造成本等。具体地说,作为一种由节流孔;设置于节流孔上游侧的控制阀;设置于控制阀与节流孔之间的压力检测器;根据压力检测器的检测压力P1以Q=KP1(其中K为常数)计算流体的流量Q并以流量指令信号Qs与上述计算出的流量信号Q二者之差作为控制信号Qy向上述控制阀的驱动部输出的控制装置所构成,并在将节流孔的上游侧压力P1与下游侧压力P2之比保持在被控制流体的临界压比以下的状态下,通过上述控制阀的开闭来调整节流孔上游侧的压力P1,对节流孔下游侧的流体流量Q进行控制的压力式流量控制装置,是以直接接触型金属隔膜阀作为上述节流孔,以阀座与膜片之间的环形间隙作为可变节流孔,并且可通过节流孔驱动装置调整上述间隙的大小。
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公开(公告)号：CN102421932B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201080021115.9
申请日：2010-03-19
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明的课题在于提供一种减少因伴随离子体激发电力增大的标的物部等的加热所致的坏的影响的旋转磁铁溅镀装置。本发明的旋转磁铁溅镀装置具有通过使冷却用介质在多个螺旋状板磁铁组之间形成的螺旋状的空间流动、或者在支承标的物部的背板上设置冷却用流路，来对标的物部进行除热的构造。
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公开(公告)号：CN101632330B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200880008070.4
申请日：2008-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种使用了同轴管的微波的传输线路。在等离子体处理装置(10)中，将从微波源(900)经由分支波导管(905)向同轴管(600)传输的微波利用分支板(610)分成多个微波，向多个同轴管的内部导体(315a)传输。沿各同轴管的内部导体(315a)传输来的微波从与各内部导体(315a)连接的各电介质板(305)释放到处理容器(100)的内部。利用所释放的微波来激发导入到处理容器(100)中的处理气体，对基板(G)实施期望的等离子体处理。通过使用多个电介质板(305)，可以应对大面积化，提高扩展性，并且通过在传输线路中使用同轴管，可以实现传输线路的设计紧凑，并兼顾供给低频的微波。
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公开(公告)号：CN102473626A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029796.3
申请日：2010-05-27
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6838
Abstract: 一种湿式处理装置，其将被处理基板保持在工作台上，并使上述工作台旋转从而进行湿式处理。上述被处理基板通过其中心从上述工作台的旋转中心偏离，并且使用向该被处理基板的背面排放惰性气体的伯努利吸盘将其保持在上述工作台上，从而随着上述工作台的旋转，上述被处理基板偏心旋转。在上述工作台内的旋转轴部分设置有用于上述伯努利吸盘的第一气体供给路，在上述工作台中还设置有与上述第一气体供给路连通，且用于向上述被处理基板的背面导入惰性气体的第二气体供给路，该第二气体供给路相对于上述被处理基板的中心轴呈轴对称。
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