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公开(公告)号：CN105374712B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201510490201.9
申请日：2015-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供能够良好地对基板进行液体处理的基板液体处理装置和基板液体处理方法。在本发明中，基板液体处理装置(1)具有：液体处理部(3)，其利用处理液对基板(2)进行处理；处理液供给部(4)，其供给上述处理液；以及稀释液供给部(5)，其供给用于稀释上述处理液的稀释液，该基板液体处理装置(1)检测上述处理液的浓度和大气压，控制从上述稀释液供给部(5)供给的上述稀释液的量，使得检测出的上述处理液的浓度成为预先设定的浓度(设定浓度)，并且根据检测出的大气压来校正上述设定浓度。
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公开(公告)号：CN109935520A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910264802.6
申请日：2014-09-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质。该蚀刻方法具有多个蚀刻工序和各蚀刻工序间的间隔工序。各蚀刻工序包括第1部分更换模式，在该第1部分更换模式中，将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出，将新的蚀刻液以第2设定量供给。间隔工序包括第2部分更换模式，在第2部分更换模式中，将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出，将新的蚀刻液以第4设定量供给。根据本发明的蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质，不全部更换蚀刻液，而将蚀刻液中的从晶圆溶出的溶出成分浓度保持在确定的恒定的范围，能够精度良好地对晶圆实施蚀刻处理。
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公开(公告)号：CN109585337A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811139670.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备SiO2析出防止剂供给部和控制部。SiO2析出防止剂供给部供给要混合到在基板处理槽中进行蚀刻处理的磷酸处理液中的SiO2析出防止剂。控制部基于磷酸处理液的温度来设定磷酸处理液中含有的SiO2析出防止剂的浓度，并且控制SiO2析出防止剂的供给量，使得成为所设定的SiO2析出防止剂的浓度。
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公开(公告)号：CN108962793A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810771641.5
申请日：2016-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/67086 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供一种使用磷酸水溶液的蚀刻处理控制装置、方法以及存储介质。该蚀刻处理控制装置具有：处理槽，其用于利用加热磷酸水溶液而得到的蚀刻液对基板进行蚀刻处理；处理液供给部，其向所述处理槽供给磷酸水溶液；处理液循环部，其使所述处理槽的内部的蚀刻液循环；处理液排出部，其使所述蚀刻液排出；浓度传感器，其测量所述蚀刻液中的硅浓度；以及控制部，其与所述浓度传感器连接，对所述处理液供给部、所述处理液循环部以及所述处理液排出部进行控制，其中，所述控制部利用所述处理液循环部使蚀刻液循环，在规定的定时利用所述浓度传感器来测量硅浓度，使蚀刻液从所述处理液排出部排出，并且从所述处理液供给部向所述处理槽供给磷酸水溶液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108695208A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810292833.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67086 , H01L21/67051 , H01L21/67057
Abstract: 本发明提供一种对于防止用于向处理液供给气体的喷嘴的堵塞有效的基板液处理装置。基板液处理装置(A1)具备：处理槽(41)，其容纳处理液(43)和基板(8)；气体喷嘴(70)，其在处理槽(41)内的下部喷出气体；以及气体供给部(89)，其向气体喷嘴(70)供给气体，其中，气体喷嘴(70)具有：管状的主体(71)，其以沿着处理槽(41)的底面的方式进行配置；以及喷出孔(77)，其形成为贯通主体(71)的内表面(73)与外表面(74)之间，并且开口面积随着从内表面(73)侧朝向外表面(74)侧而变小。
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公开(公告)号：CN105983549A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610156601.0
申请日：2016-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐藤秀明
IPC: B08B3/10
Abstract: 本发明提供基板液处理装置以及基板液处理方法。防止因处理液和清洗流体之间的反应而产生结晶。在本发明中，基板液处理装置具有：处理液流路(浓度测量流路)，其供用于对基板进行处理的处理液流动；清洗流体供给部，其用于将用于对处理液流路的至少一部分进行清洗的清洗流体向处理液流路供给；加热器，其对处理液进行加热，控制部，其对清洗流体供给部以及加热器进行控制，控制部以如下方式控制：利用加热器将处理液加热到比因处理液和清洗流体之间的反应而产生结晶的温度高的温度，之后将加热后的处理液向处理液流路的因处理液和清洗流体之间的反应而产生结晶的温度的处理液所滞留的部分供给，之后从清洗流体供给部向处理液流路供给清洗流体。
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公开(公告)号：CN105845602A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610065467.3
申请日：2016-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液体处理装置和基板液体处理方法。该基板液体处理装置具有：贮存用于对基板(8)进行处理的处理液的处理液贮存部(38)；供给处理液的处理液供给部(39)；使处理液贮存部的内部的处理液循环的处理液循环部(40)；使处理液排出的处理液排出部(41)；浓度传感器(61)，其设置于处理液排出部，测量处理液中的基板处理产物的浓度；以及控制处理液供给部的控制部(7)，其中，控制部通过处理液循环部使处理液循环，使循环的处理液在规定的定时间歇性地或者在规定时间内连续地从处理液排出部排出，从处理液供给部供给新的处理液，通过浓度传感器在规定的定时测量所排出的处理液中的基板处理产物的浓度。
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公开(公告)号：CN102969257A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210311001.9
申请日：2012-08-28
Applicant: 仓敷纺织株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67086 , G01N21/3577 , H01L21/31111 , H01L21/67248 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，由于可直接检测处理液的浓度，所以能够进行独立的浓度控制，且由于不易产生因透镜温度变化引起的测定误差，因此能够高精度地进行基板的药液处理。一种在由磷酸和稀释液混合而成的处理液中浸渍基板而进行处理的基板处理装置，具备通过测定处理液的吸光特性而检测处理液浓度的浓度检测单元，浓度检测单元具备：透光部，将处理液导入内部并使之在内部流通；发光部，向透光部照射规定波长的光；受光部，通过透光部接收来自发光部的光；第一透镜，将由发光部发出的光汇聚于透光部；第二透镜，将通过透光部的光汇聚于受光部；和冷却机构，冷却第一透镜和第二透镜中的至少任一个。
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公开(公告)号：CN208938930U
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201821587754.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型提供一种基板处理装置，该基板处理装置提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给部供给在基板处理槽中的蚀刻处理中使用的磷酸处理液。循环路径用于使被供给到基板处理槽中的磷酸处理液循环。SiO2析出防止剂供给部向循环路径供给SiO2析出防止剂。混合部将含硅化合物混合到供给至循环路径之前的磷酸处理液中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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