氧化锌纳米线/聚合物纳米复合能量转换器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN101656486A

    公开(公告)日:2010-02-24

    申请号:CN200910195887.3

    申请日:2009-09-18

    Inventor: 王现英 杨俊和

    Abstract: 本发明公开了一种氧化锌纳米线/聚合物纳米复合能量转换器件及其制备方法。本发明的氧化锌纳米线/聚合物纳米复合能量转换器件包括氧化锌纳米线、聚合物、衬底以及两个金属电极,其中聚合物感应环境信号的变化而产生收缩或膨胀带动所包覆的氧化锌纳米线产生变形,从而产生电信号,将环境中其他能量转换为电能。本发明巧妙地利用了氧化锌纳米线与聚合物复合结构来制备纳米发电机器件,借助于聚合物的作用使氧化锌纳米线能够将环境中的热能、化学能等转换为电能。

    丙酮敏感材料和敏感元件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110672671B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN201910995337.3

    申请日:2019-10-18

    Abstract: 本发明涉及一种丙酮敏感材料和敏感元件及其制备方法,属于半导体材料领域。本发明公开了一种气敏材料,所述气敏材料以三维WO3·H2O纳米空心球作为主体,所述气敏材料采用PtCu纳米晶作为增敏剂,所述气敏材料为三维WO3·H2O纳米空心球负载PtCu纳米晶形成的复合气敏材料。通过该气敏材料制备的气敏元件对丙酮气体具有超高灵敏度,对干扰气体选择性好、循环稳定性好,检测丙酮气体的浓度为0.01~100ppm。

    一种可见光响应掺氮纳米二氧化钛光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN108355633B

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201810107004.8

    申请日:2018-02-02

    Abstract: 本发明提供了一种可见光响应掺氮纳米二氧化钛光催化剂的制备方法,将抗坏血酸和尿素加入去离子水中,搅拌得到透明溶液;再加入三价钛溶液和氢氧化钠溶液,调节pH值为1.5~5,持续搅拌得到棕色或血红色溶液;将溶液转移至水热釜中,在温度180℃下反应得到棕黄色初产物;将棕黄色初产物经过洗涤至pH为7,过夜干燥,得到黑色产物,研磨后为棕色粉末;将棕色粉末置于惰性气体保护下的管式炉中,并通过控制真空泵调节真空度为‑0.03~‑0.08atm,在温度400~500℃恒温煅烧2~4小时,降至室温,获得可见光响应氮掺杂纳米二氧化钛材料。本发明增强了光催化剂在紫外、可见以及近红外的光吸收能力。

    一种用于检测丙酮气体的敏感材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108760833B

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN201810503116.5

    申请日:2018-05-23

    Abstract: 本发明提供了一种用于检测丙酮气体的敏感材料,由WO3纳米片为和C3N4复合而成,WO3纳米片为基质,所述的C3N4为敏化剂,C3N4在敏感材料中的质量百分比含量在0.5‑10 wt%之间。本发明还提供了上述敏感材料的制备方法,通过自组装的方法制备出超薄WO3纳米片,再将制备的C3N4在溶剂中超声剥离获得分散液,按照质量百分比将分散液滴加到WO3纳米片层上形成复合气敏材料。本发明通过具有二维层状结构的C3N4修饰WO3纳米片实现其对丙酮检测性能的提升。气敏测试结果表明,该气敏元件具有对丙酮蒸汽具有灵敏度高、响应恢复快、抗干扰能力好、稳定性好等优点,可用于选择性检测呼吸气体中丙酮气体。

    一种Ni@NiFe LDH三维壳核结构材料及其应用和制备方法

    公开(公告)号:CN109821539B

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN201910056814.X

    申请日:2019-01-22

    Abstract: 本发明提出一种Ni@NiFe LDH三维壳核结构材料及其应用和制备方法,本发明的Ni@NiFe LDH三维壳核结构材料,Ni纳米珠链核芯具有良好的导电性,Ni纳米珠链核芯及包裹在Ni纳米珠链核芯外的NiFe LDH复合外壳能够作为电催化剂,具有较高的水分解催化能力,同时还具有较高的稳定性,具有特别高的产业价值。同时,本发明的Ni@NiFe LDH三维壳核结构材料的制备方法简单,利用泡沫镍制备的Ni纳米珠链核芯,原料简单,且具有良好的导电性,并且制备Ni纳米珠链方法简单;并且在制备过程中调制pH值至碱性,能够提高水合肼对Ni的还原效率;利用磁场化学还原方式来制备Ni纳米珠链,没有污染物质和化学试剂,绿色环保,具有潜在商业价值。

    一种利用分子筛分离石墨烯量子点的办法

    公开(公告)号:CN111422862A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN202010399620.2

    申请日:2020-05-12

    Abstract: 本发明提出一种利用分子筛分离石墨烯量子点的办法,将石墨烯量子点溶液注入到压实的分子筛中,通过物理的方法将尺寸粒径较小的量子点随着溶剂从分子筛的孔径内穿过,与分子筛的孔径大小相似的石墨烯量子点会进入分子筛的内部形成石墨烯量子点-分子筛;比分子筛孔径大的石墨烯量子点会留在分子筛上,从而实现石墨烯量子点的尺寸分离。石墨烯量子点-分子筛中的石墨烯量子点可以在超声及脱附剂的作用下从分子筛中分离,得到的剩余尺寸的量子点溶液可以进行再次分离,得到分布均匀、纯度高、目标尺寸的石墨烯量子点。

    一种超级电容器电极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108364800B

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201810058685.3

    申请日:2018-01-22

    Abstract: 本发明提供了一种氮掺杂石墨烯量子点/石墨烯的超级电容器电极材料,在泡沫镍上负载有石墨烯和石墨烯量子点。本发明还提供了上述超级电容器电极材料的制备方法,以泡沫镍作为衬底,先采用水热法负载石墨烯,再经电化学方法沉积氮掺杂石墨烯量子点。本发明的超级电容器电极材料具有高比电容以及良好的结构稳定性、循环稳定性,比电容高达1064 F/g(按石墨烯的质量计算),该氮掺杂石墨烯量子点/石墨烯复合结构的超级电容器电极材料在中性Na2SO4、Li2SO4等溶液和碱性NaOH、KOH等溶液中均有高比能量和稳定的工作窗口,可应用在需要中性电解液、碱性电解液、高稳定性、高功率的电源场合。

    一种石墨烯量子点附着层片状二硫化钼的二维材料制备方法

    公开(公告)号:CN110697781A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201911086713.3

    申请日:2019-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯量子点附着层片状二硫化钼的二维材料制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将二硫化钼粉末、助稳剂加入到乙醇与水的混合溶液中,磁力搅拌,超声分散处理,得到溶液A;步骤2:将助稳剂加入到去离子水中,磁力搅拌均匀,得到助稳剂溶液;将石墨烯量子点加入到助稳剂溶液中,磁力搅拌均匀,得到溶液B;步骤3:将溶液A与溶液B混合后得到溶液C,将溶液C在匀质搅拌机中搅拌均匀,加入过氧化氢溶液,然后进行水热反应,反应结束即可得到石墨烯量子点附着层片状二硫化钼的二维材料。本发明提供了一种绿色、稳定性高、可大量生产石墨烯量子点附着层片状二硫化钼的二维材料的制备方法。

    一种Ni@NiFe LDH三维壳核结构材料及其应用和制备方法

    公开(公告)号:CN109821539A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201910056814.X

    申请日:2019-01-22

    Abstract: 本发明提出一种Ni@NiFe LDH三维壳核结构材料及其应用和制备方法,本发明的Ni@NiFe LDH三维壳核结构材料,Ni纳米珠链核芯具有良好的导电性,Ni纳米珠链核芯及包裹在Ni纳米珠链核芯外的NiFe LDH复合外壳能够作为电催化剂,具有较高的水分解催化能力,同时还具有较高的稳定性,具有特别高的产业价值。同时,本发明的Ni@NiFe LDH三维壳核结构材料的制备方法简单,利用泡沫镍制备的Ni纳米珠链核芯,原料简单,且具有良好的导电性,并且制备Ni纳米珠链方法简单;并且在制备过程中调制pH值至碱性,能够提高水合肼对Ni的还原效率;利用磁场化学还原方式来制备Ni纳米珠链,没有污染物质和化学试剂,绿色环保,具有潜在商业价值。

    一种快速响应的半导体异质结紫外光探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN107564992B

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201710709847.0

    申请日:2017-08-18

    Abstract: 本发明提供了一种快速响应的半导体异质结紫外光探测器及其制作方法,其中,快速响应的半导体异质结紫外光探测器,用于对紫外光信号进行快速探测,具有这样的特征,包括:绝缘衬底;二维结构半导体薄膜,设置在绝缘衬底的上端面上;金属电极,镀制在二维结构半导体薄膜的表面上;一维结构半导体纳米线阵列,垂直地生长在二维结构半导体薄膜的表面上;零维结构半导体量子点,均匀地附着在一维结构半导体纳米线的表面上;透明电极,设置在一维结构半导体纳米线阵列的顶端上;透明聚合物,设置在透明电极的上端面上;两根导线,分别连接在金属电极和透明电极上;以及封装聚合物,设置在二维结构半导体薄膜和透明聚合物之间的空隙处。

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