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公开(公告)号：CN112154603B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201880093657.3
申请日：2018-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/68 , H01L29/78 , H03F3/60 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种放大器，其特征在于，上述放大器具备：输入匹配电路；至少一个放大用晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第一虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第二虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；以及输出匹配电路，输出该放大用晶体管的输出，该放大用晶体管夹在该第一虚设晶体管和该第二虚设晶体管之间，该放大用晶体管、该第一虚设晶体管以及该第二虚设晶体管沿着该输入匹配电路设置成一列。
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公开(公告)号：CN118525451A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202280065901.1
申请日：2022-01-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本公开的功率放大器具备：晶体管、与所述晶体管的漏极连接的主线路、从所述主线路分支并与漏极焊盘连接的分支线路、以及设置于所述分支线路上的漏极偏置电路，所述漏极偏置电路具有：与所述分支线路连接的第一分流电容器、和在所述第一分流电容器与所述漏极焊盘之间与所述分支线路连接的第二分流电容器，所述第一分流电容器在所述晶体管的动作频率下为电容性，所述第二分流电容器在所述动作频率下为感应性，在所述动作频率下，所述第一分流电容器和所述第二分流电容器谐振。
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公开(公告)号：CN118302955A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202180102744.2
申请日：2021-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及功率放大器。FET芯片(T1)具有FET单元(CL1、CL2)、相互分离的基波用栅极焊盘(GP1、G12)和二次谐波用栅极焊盘(GP3)、以及将FET单元(CL1、CL2)的栅极电极(G1、G2)与基波用栅极焊盘(GP1、G12)及二次谐波用栅极焊盘(GP3)连接的栅极配线(GB1、GB2)。预匹配芯片(P1)具有基波用预匹配电路(PA1、PA2)和二次谐波用陷波电路(PA3)。基波用导线(W21、W22)将基波用栅极焊盘(GP1、G12)和基波用预匹配电路(PA1、PA2)连接。二次谐波用导线(W31、W32)将二次谐波用栅极焊盘(GP3)与二次谐波用陷波电路(PA3)连接。
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公开(公告)号：CN112272866B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201980037589.3
申请日：2019-06-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供不被功率模块内部的绝缘片的绝缘耐压所左右而在超过功率模块的额定绝缘耐压的电压施加于功率模块的场合也能保护功率模块的技术。功率模块装置具备：功率模块和散热器(11)绝缘的绝缘片(10)以及连接在配线导体(1)与模块底板(3)之间的具有静电电容或者寄生电容的构件。模块内绝缘片(2)的寄生电容(C1)与具有静电电容或者寄生电容的构件的静电电容或者寄生电容并联连接，模块内绝缘片(2)的寄生电容(C1)与绝缘片(10)的寄生电容(C2)串联连接，具有静电电容或者寄生电容的构件的静电电容或者寄生电容与绝缘片(10)的寄生电容(C2)串联连接。(23)、配线导体(1)、散热器(11)、将模块底板(3)
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公开(公告)号：CN112154603A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201880093657.3
申请日：2018-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/68 , H01L29/78 , H03F3/60 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种放大器，其特征在于，上述放大器具备：输入匹配电路；至少一个放大用晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第一虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第二虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；以及输出匹配电路，输出该放大用晶体管的输出，该放大用晶体管夹在该第一虚设晶体管和该第二虚设晶体管之间，该放大用晶体管、该第一虚设晶体管以及该第二虚设晶体管沿着该输入匹配电路设置成一列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107431470B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201680021180.9
申请日：2016-04-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供具有比以往的噪声滤波器高的噪声去除性能的基板型噪声滤波器以及具备该基板型噪声滤波器的电子设备。具备：印刷布线基板(1)，形成有布线图案(7)；扼流线圈(4)，具有环形形状的芯(4a)；机架地线部(6)，在俯视扼流线圈(4)的环形形状时，在与扼流线圈(4)的中空部分重叠的位置固定于印刷布线基板(1)，能够接地到机架地线；以及电容器(2、3、8、9)，第1端子与机架地线部(6)经由布线图案(7)连接。
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公开(公告)号：CN107039356A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611007713.6
申请日：2016-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/043 , H01L23/552
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/481 , H01L23/4924 , H01L23/66 , H01L2223/6616 , H01L2223/6655 , H01L2224/48091 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014 , H01L23/043
Abstract: 实现本发明所涉及的微米波段及毫米波段封装体的宽频带化。本发明所涉及的微米波段及毫米波段封装体具有：导体基座板(1)，在上表面固定有半导体元件(5)；侧壁(2)，在导体基座板之上以包围半导体元件的方式设置，具有与导体基座板电连接的导体部分(2e)；电介体帽(3)，设置于侧壁之上，以与导体基座板和侧壁一起形成内部空间；表面金属膜(9)，设置于电介体帽的外侧的面之上；第1背面金属膜(10b)，设置于电介体帽的内侧的面之上，相对于电介体帽的与导体基座板相向的面，中心大致一致；多个通路孔(11)，以贯通电介体帽的方式设置，对表面金属膜和第1背面金属膜间及表面金属膜和侧壁的导体部分(2e)间分别进行电连接。
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公开(公告)号：CN102811023B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210172596.4
申请日：2012-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/211 , H03F1/0261 , H03F1/301 , H03F1/302 , H03F1/32 , H03F2200/18 , H03F2200/405 , H03F2200/93
Abstract: 本发明提供一种即使在中低输出工作时也能使工作效率充分提高的功率放大器。给放大元件(Tr1、Tr2)的基极输入输入信号，并且给集电极施加集电极电压，发射极接地。偏置电路(Bias1、Bias2)给放大元件(Tr1、Tr2)的基极供给偏置电流。偏置电路(Bias1、Bias2)具有当集电极电压变得比规定的阈值低时使偏置电流降低的偏置电流降低电路(12)。
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公开(公告)号：CN103329433A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180065311.0
申请日：2011-11-09
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/0277 , H03F1/34 , H03F1/56 , H03F3/45475 , H03F3/72 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2203/45526 , H03F2203/45528 , H03F2203/45534 , H03F2203/45536 , H03F2203/7215 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236 , H03G1/0088 , H03G3/3042
Abstract: 获得一种实现所期望的增益、且抑制了接收带噪声的劣化的输出模式切换放大器。具备：N个放大器，经由切换单元来串联连接；以及控制电路（80A），根据多个输出模式来切换控制N个放大器的连接状态以及接通/断开状态。N个放大器中的P个放大器构成驱动放大器（1）、并且构成包含使自身的输出信号负反馈到自身的输入侧的反馈电路（100）的负反馈型放大器（10）。N-P个放大器构成对负反馈型放大器（10）可分开地串联连接的最末级放大器（2）。控制电路（80A）在第1输出模式中将最末级放大器（2）从负反馈型放大器（10）分开并且使反馈电路（10）无效、在第2输出模式中将最末级放大器（2）串联连接到负反馈型放大器（10）并且使反馈电路（100）有效。
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公开(公告)号：CN102403963A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110155562.X
申请日：2011-06-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/20
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/0277 , H03F3/189 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/27 , H03F2200/411 , H03F2203/7206 , H03F2203/7236 , H03G1/0088
Abstract: 本发明涉及能够在不增加芯片面积和成本的情况下抑制漏电流的功率放大器。偏置电路（B1、B2）基于从参考电压产生电路（VG）供给的参考电压生成偏置电压，对放大晶体管（A1、A2）供给偏置电压。变换器（INV）对使能电压进行升压并输出。参考电压产生电路（VG）根据变换器（INV）的输出电压进行接通（ON）或断开（OFF）。变换器（INV）具有使能端子（Ven）、电源端子（Vcb）、晶体管（Tri1）、FET电阻（Fdi2）。晶体管（Tri1）的基极与使能端子（Ven）连接，集电极与电源端子（Vcb）连接，发射极接地。FET电阻（Fdi2）连接在晶体管（Tri1）的集电极和电源端子（Vcb）之间，FET电阻（Fdi2）的栅极电极开路。
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