公开(公告)号：CN102569398A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110230441.7

申请日：2011-08-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 郑现钟 ,  李载泓 ,  李载昊 ,  申炯澈 ,  徐顺爱 ,  李晟熏 ,  许镇盛 ,  梁喜准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。

公开(公告)号：CN102285660A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110164676.0

申请日：2011-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晟熏 ,  徐顺爱 ,  禹轮成 ,  郑现钟 ,  许镇盛

IPC: C01B35/00 ,  H01L29/167

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。

公开(公告)号：CN101964440A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010194822.X

申请日：2010-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成喆 ,  马塞厄斯·克劳伊 ,  徐顺爱 ,  曹永真 ,  皮雄焕 ,  裵智莹 ,  许镇盛

IPC: H01P7/00 ,  H01P7/10

CPC classification number: H03B15/006 ,  Y10T428/1121

Abstract: 本发明涉及一种振荡器及其操作方法。该振荡器利用磁畴壁的磁矩的进动来产生信号。振荡器包括具有磁畴壁的自由层和对应于磁畴壁的固定层。非磁性分隔层插置在自由层和固定层之间。

公开(公告)号：CN110911492B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910226482.5

申请日：2019-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  赵常玹 ,  申建旭 ,  申铉振

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种电子器件和制造该电子器件的方法。一种电子器件可以包括：衬底；在衬底上的栅电极；在衬底和栅电极之间的铁电层；以及在衬底和铁电层之间的碳层。该碳层可以具有sp2键合结构。

公开(公告)号：CN117355142A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310792448.0

申请日：2023-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  文泰欢 ,  南胜杰 ,  李泫宰

IPC: H10B51/30 ,  H10B51/20

Abstract: 一种三维(3D)铁电存储器件可以包括堆叠在衬底上的多个栅电极、与所述多个栅电极接触的多个铁电层、与所述多个铁电层接触的多个中间电极、与所述多个中间电极接触的栅极绝缘层、以及与栅极绝缘层接触的沟道层。中间电极的宽度可以大于铁电层与中间电极接触的宽度。

公开(公告)号：CN116249353A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211550188.8

申请日：2022-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  杨承烈 ,  李珉贤 ,  文泰欢

IPC: H10B51/20 ,  H10B51/30

Abstract: 本公开提供了垂直非易失性存储器器件和包括其的电子装置。该垂直非易失性存储器器件可以包括：多个绝缘层和多个导电层，在垂直于衬底的表面的方向上交替地堆叠在衬底的表面上；在衬底上的沟道层，其中沟道层在垂直于衬底的表面的方向上延伸，沟道层可以在所述多个绝缘层的侧表面和所述多个导电层的侧表面上；以及铁电层，在沟道层与所述多个导电层的侧表面之间。

公开(公告)号：CN116137783A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211432876.4

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南胜杰 ,  裵鹤烈 ,  许镇盛

IPC: H10B51/30 ,  G11C11/54 ,  G11C11/22 ,  G06N3/063

Abstract: 本公开提供了铁电存储器件、神经网络装置以及电子装置。一种铁电存储器件可以包括：源极；漏极；沟道层，在源极和漏极之间并且连接到源极和漏极；第一栅电极和第二栅电极，位于沟道层上以彼此间隔开；以及铁电层，在沟道层和第一栅电极之间以及在沟道层和第二栅电极之间。不同的电压可以被施加到第一栅电极和第二栅电极。

公开(公告)号：CN115996630A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211271174.2

申请日：2022-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  许镇盛 ,  南胜杰 ,  崔惪铉

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种电容器装置和包括该电容器装置的半导体装置。该电容器装置包括彼此间隔开的第一电极和第二电极以及提供在第一电极和第二电极之间的电介质层。电介质层包括其中铁电体和反铁电体彼此混合的电介质材料。

公开(公告)号：CN114566466A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111402444.4

申请日：2021-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚昱 ,  南胜杰 ,  文泰欢 ,  李光熙 ,  许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  李润姓

IPC: H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括具有半导体沟道层和金属氧化物半导体沟道层的第一半导体晶体管，并且具有其中第二半导体晶体管堆叠在第一半导体晶体管的顶部上的结构。第二半导体晶体管的栅极堆叠和第一半导体晶体管的栅极堆叠的顶部可以重叠大于或等于90％。第一半导体晶体管和第二半导体晶体管可以具有相似水平的操作特性。

公开(公告)号：CN113745327A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110022063.7

申请日：2021-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  文泰欢 ,  南胜杰 ,  赵常玹

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L27/108

Abstract: 提供叠层结构体以及包括其的半导体器件、半导体设备和电子设备、和制造叠层结构体的方法。所述叠层结构体包括：基底；和在所述基底上的薄膜结构体，所述薄膜结构体包括：平行于所述基底的第一反铁电层，平行于所述基底的第二反铁电层，以及平行于所述基底的铁电层，其中所述铁电层在所述第一反铁电层和所述第二反铁电层之间。