高密度或非型快擦写存储器件及其编程方法

    公开(公告)号:CN1278102A

    公开(公告)日:2000-12-27

    申请号:CN00105203.9

    申请日:2000-03-29

    Inventor: 李炳勋 林瀛湖

    CPC classification number: G11C16/10

    Abstract: 一种用于快擦写存储器件的编程方法。根据该编程方法,要编程的数据位中的一个开始被编程到相应的存储单元中。然后,在先前的编程操作结束前,开始下一个数据位的编程。利用这种编程算法,尽管快擦写存储器件的集成度提高,但由于电荷激励电路的缘故,仍可以在不增大集成电路管芯尺寸的情况下,提供编程需要的相当大电流量。

    能映射坏块的半导体存储器

    公开(公告)号:CN1178989A

    公开(公告)日:1998-04-15

    申请号:CN97120088.2

    申请日:1997-10-06

    Inventor: 李城秀 林瀛湖

    CPC classification number: G11C29/765

    Abstract: 一种具有由多个标准单元块和冗余单元块组成的存储单元阵列的半导体存储器,包括:相应于标准单元块设置的多个标志单元块,每块存储了关于其相应的标准单元块的唯一个信息;及用修复块替换标准单元块的故障块的装置,所述修复块包括冗余块和一块或多块标准单元块,在故障块数量超过冗余块数量时,一块或多块标准单元块按一定顺序参与替换工作,该半导体存储器的功能是不用用户的参与,便能自动进行坏块映射,从而将准可用块按顺序设置于主存储单元阵列中。

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