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公开(公告)号：CN113272969B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201980088508.2
申请日：2019-03-06
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/121 , H10K59/131 , H10K50/844
Abstract: 一种有机发光显示装置可以包括：基板；设置在基板上的第一有源层；栅极绝缘层；第一栅电极；第一绝缘中间层和第二绝缘中间层；第一源电极，其设置在第二绝缘中间层上并经由通过去除栅极绝缘层、第一绝缘中间层和第二绝缘中间层的部分形成的接触孔接触第一有源层；保护绝缘层，设置在第一源电极上；第一漏电极，其设置在保护绝缘层上并经过有通过去除栅极绝缘层、第一绝缘中间层、第二绝缘中间层和保护绝缘层的部分的接触孔接触第一有源层；以及子像素结构，设置在第一漏电极上。
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公开(公告)号：CN112599561B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202010979117.4
申请日：2020-09-17
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/12 , H10K59/121 , H10K59/131
Abstract: 公开了一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：基底；第一半导体图案；第一栅极绝缘膜，覆盖第一半导体图案；第一导电层和第二半导体图案，位于第一栅极绝缘膜上；第二栅极绝缘膜，位于第二半导体图案上；第三栅极绝缘膜，覆盖第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜；第二导电层，位于第三栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，覆盖第二导电层；以及第三导电层，位于层间绝缘膜上，其中，第一半导体图案和第二半导体图案分别形成第一晶体管和第二晶体管的半导体层，其中，第一导电层包括第一晶体管的栅电极和电容器的第一电极，其中，第二导电层包括第二晶体管的栅电极和电容器的第二电极。
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公开(公告)号：CN118284189A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311821320.9
申请日：2023-12-27
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/131
Abstract: 提供了一种显示面板，所述显示面板包括：发光元件；以及像素电路，电连接到发光元件。像素电路包括：第一晶体管，包括第一半导体图案和第一栅电极，第一半导体图案包括第一沟道区，第一栅电极设置在第一半导体图案上并与第一沟道区叠置；第一绝缘层，设置在第一半导体图案与第一栅电极之间并且与第一沟道区叠置；第二绝缘层，设置在第一栅电极上，并且覆盖第一晶体管；第二晶体管，设置在第二绝缘层上并且包括第二半导体图案和第二栅电极，第二半导体图案包括第二沟道区，第二栅电极设置在第二半导体图案上并且与第二沟道区叠置；以及第三绝缘层，设置在第二半导体图案与第二栅电极之间并且在平面图中与第一晶体管叠置。
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公开(公告)号：CN118284164A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311803665.1
申请日：2023-12-26
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/122 , H10K59/123 , H10K59/121 , H10K59/131
Abstract: 本发明提供一种显示面板，显示面板包括：发光元件；以及像素电路，电连接到发光元件，并且包括电连接到发光元件的驱动单元，驱动单元包括：第一晶体管，包括用于接收第一电压的第一底电极和在第一底电极上方的包括氧化物半导体的第一半导体图案；以及至少一个二极管，包括：第二底电极，与第一底电极在同一层，用于接收第二电压；和第二半导体图案，在第二底电极上方，与第一半导体图案在同一层，包括氧化物半导体，并且与第一半导体图案成为一体。
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公开(公告)号：CN110164918B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201910111241.6
申请日：2019-02-12
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/124 , H10K59/131
Abstract: 有机发光显示设备，包括：基板、第一半导体元件、第二半导体元件、绝缘层结构、以及发光结构。基板具有第一区域和与第一区域邻接的第二区域。绝缘层结构设置在第二半导体元件的第二栅电极与第二有源层之间。绝缘层结构包括在相同蚀刻工艺中的具有第一蚀刻速率的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上并具有大于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率的第二绝缘层、以及设置在第二绝缘层上并具有小于第二蚀刻速率的第三蚀刻速率的第三绝缘层。发光结构设置在绝缘层结构上。
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公开(公告)号：CN108511459B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201810161546.3
申请日：2018-02-27
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/12
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基体基底；第一薄膜晶体管(“TFT”)，设置在基体基底上；第二TFT，设置在基体基底上；以及多个绝缘层，设置在基体基底上，以限定至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔不与第一TFT和第二TFT叠置。第一TFT可以包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极和包括晶体半导体材料的第一半导体图案，第二TFT可以包括第二输入电极、第二输出电极、第二控制电极和包括氧化物半导体材料的第二半导体图案。在平面图中，所述至少一个虚设孔和第二半导体图案之间的最短距离可以等于或小于5微米(μm)。
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公开(公告)号：CN107845641B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201710839142.0
申请日：2017-09-18
Applicant: 三星显示有限公司
Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基体基底；第一晶体管，包括均设置在基体基底上的第一半导体图案、第一控制电极、第一输入电极和第一输出电极；第二晶体管，包括第二半导体图案、第二控制电极、第二输入电极和第二输出电极；以及多个绝缘层。单个第一贯穿部分暴露第一控制电极和设置在第一控制电极的两侧处的第一半导体图案。
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公开(公告)号：CN115881015A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211178595.0
申请日：2022-09-27
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: G09G3/20 , G09G3/3233
Abstract: 提供了显示装置的像素。该像素包括发光元件、第一晶体管至第三晶体管、第六晶体管至第七晶体管、第九晶体管和第一电容器。第一晶体管连接在第一电力与第二节点之间，并且控制供给到发光元件的驱动电流。第一电容器包括连接到第一节点的一个电极和连接到第三节点的另一电极。第二晶体管连接在第三节点与数据线之间。第三晶体管连接在与第一晶体管的栅电极连接的第一节点与第二节点之间。第六晶体管连接在第一电力与连接到第一晶体管的一个电极的第五节点之间。第七晶体管连接在第二节点与连接到发光元件的阳极的第四节点之间。第九晶体管连接在第五节点与偏置电力之间。第六晶体管和第七晶体管以及第九晶体管的栅电极连接到相同的发射控制线。
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公开(公告)号：CN112786664A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011239736.6
申请日：2020-11-09
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 本申请公开了一种显示设备和制造显示设备的方法。该显示设备包括：基板；基板上的第一有源层；第一有源层上的第一绝缘层；第一绝缘层上的第一栅电极，第一栅电极与第一有源层重叠；第一栅电极上的第二绝缘层；第二绝缘层上的第二有源层；第二绝缘层上的第一电容器电极，第一电容器电极与第一栅电极重叠；第二有源层和第一电容器电极上的第三绝缘层；第三绝缘层上的第二栅电极，第二栅电极与第二有源层重叠；和第三绝缘层上的第二电容器电极，第二电容器电极与第一栅电极重叠并且电连接到第一电容器电极。
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