-
公开(公告)号：CN105990316A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510056946.4
申请日：2015-02-04
Applicant: 力晶科技股份有限公司
IPC: H01L23/544
Abstract: 本发明公开一种可进行在线叠对精度监测的测试元结构，包含有一半导体基底，其上具有一芯片电路区域以及一非芯片电路区域；一接地面，设于该非芯片电路区域内；至少一接触插塞，设于该接地面上，并耦接至该接地面；以及至少一对测试线，设于该接触插塞上，使该接触插塞位于该对测试线之间。
-
公开(公告)号：CN105990247A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510081126.0
申请日：2015-02-15
Applicant: 力晶科技股份有限公司
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/66825 , H01L21/28273 , H01L21/283 , H01L21/76224 , H01L27/11524 , H01L29/42324 , H01L29/66553
Abstract: 本发明公开一种隔离结构及具有其的非挥发性存储器的制造方法。该隔离结构的制造方法，适用于非挥发性存储器的制作工艺中。此方法是提供基底，并于基底上依序形成介电层、导体层及硬掩模层。图案化硬掩模层及导体层，而形成暴露出介电层的第一沟槽。在基底上形成第一衬层。移除第一沟槽所暴露的第一衬层及介电层，以暴露基底。在导体层及硬掩模层的侧壁形成间隙壁。以具有间隙壁的导体层及硬掩模层为掩模，移除部分基底，以形成第二沟槽。之后在第二沟槽中形成一隔离层，其中导体层之间的间距大于第二沟槽的宽度。
-
公开(公告)号：CN105990103A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510081247.5
申请日：2015-02-15
Applicant: 力晶科技股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32133 , H01L21/32139 , H01L21/76814 , H01L21/76838 , H01L27/11573
Abstract: 本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供包括多数个区块的基底。各区块分别包括交替排列的第一区以及第二区。在基底上形成多数个复合层。图案化最顶层的复合层，以在基底的第一区上形成多数个复合块。依序对区块上的复合层以及复合块进行移除制作工艺，以在基底上形成阶梯结构。
-
公开(公告)号：CN105895601A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510036999.X
申请日：2015-01-26
Applicant: 力晶科技股份有限公司
Inventor： 吉田宗博
IPC: H01L23/48 , H01L23/544 , H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种半导体晶片、半导体芯片以及半导体装置及其制造方法。为了解决在切割道切割半导体晶片时探针测试垫残留垫金属造成的半导体芯片可靠度恶化的问题，在具有多个半导体芯片的半导体晶片，具有形成于半导体晶片的切割区的多个探针测试垫、形成于半导体芯片上的多个直通硅晶穿孔、与将各探针测试垫连接于各直通硅晶穿孔的线路层，而被构成为：在晶片测试后，通过蚀刻移除多个探针测试垫及线路层的一部分的至少其中之一。另外，半导体晶片还具有以覆盖移除线路层的一部分时残留的线路层的曝露面的形式形成的保护膜。
-
公开(公告)号：CN105826267A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201510004401.9
申请日：2015-01-06
Applicant: 力晶科技股份有限公司
Inventor： 陈家政
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。半导体元件的制作方法包括以下步骤。提供一基底，基底中已形成有多个沟槽，其中沟槽之间的基底上已依序配置有一氧化层、一硅基材料层以及一掩模层。形成一介电层，以填入沟槽中并覆盖掩模层、硅基材料层、氧化层以及基底。对基底进行一退火制作工艺，其中来自掩模层的氢会与硅基材料层中的硅形成硅-氢键。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105807835A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201510534068.2
申请日：2015-08-27
Applicant: 力晶科技股份有限公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: H02M3/07 , H02M2003/071
Abstract: 本发明公开一种负基准电压产生电路，与现有技术相比，可高精度地产生负基准电压，且电路结构简单。负基准电压产生电路包括：开关电容器电路，具备连接第1及第2节点的电容器、连接第1节点的第1及第2开关、及连接第2节点的第3及第4开关；控制电路，产生第1至第4控制信号，以分别控制第1～第4开关。控制电路于第1期间对第1节点施加规定的正基准电压，以对电容器充电，在异于第1期间的第2期间，在第2期间基于对电容器充电的电压，自第2节点输出负电压，并通过重复第1及第2期间，自第2节点输出正基准电压的反转负电压做为负基准电压。
-
公开(公告)号：CN105629910A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410613147.8
申请日：2014-11-04
Applicant: 力晶科技股份有限公司
IPC: G05B19/418
CPC classification number: H04L47/762 , H04L47/54
Abstract: 本发明涉及一种自动化资源传送装置及传送方法。资源传送装置包括管控伺服器、数据库装置以及多个资源传输设备。管控伺服器依据多个派工指令分别产生多个传输规划命令。数据库装置的数据库控制器依据传输规划命令的数量以决定是否启动流量管控机制，并传送对应传输规划命令的多个卡控参数至管控伺服器。资源传输设备的至少其中之一依据管控伺服器产生的动作命令以执行资源传送动作。其中，管控伺服器依据流量管控机制是否启动以及各传输规划命令对应的各卡控参数来暂存各传输规划命令至数据库装置中的命令队列。
-
公开(公告)号：CN105575791A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410529394.X
申请日：2014-10-10
Applicant: 力晶科技股份有限公司
Inventor： 蔡进晃
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明公开一种化学机械研磨制作工艺。首先提供一化学机械研磨机台，且该机台包含一研磨垫。然后进行一暖机步骤，其中该暖机步骤包含提供一研磨浆料并且利用一研磨器对该研磨垫进行一刮除研磨颗粒的动作。之后再进行一研磨步骤研磨一产品晶片。
-
公开(公告)号：CN105486553A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410477540.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 力晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种穿透式电子显微镜试片的制备方法，包括下列步骤。对观察对象进行第一薄化处理，而在观察对象的预定观察区中形成具有耐化学处理的厚度的穿透式电子显微镜试片。在室温下对穿透式电子显微镜试片进行化学处理。对经化学处理的穿透式电子显微镜试片进行第二薄化处理，使穿透式电子显微镜试片具有供穿透式电子显微镜进行观察的厚度。从观察对象中取出穿透式电子显微镜试片。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
309
records
(took 0.083 seconds)
