-
公开(公告)号:CN110176378B
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN201910125241.1
申请日:2019-02-20
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
Inventor: 铃木浩之
IPC: H01J37/20 , H01J37/26 , H01J37/302 , H01J37/305 , G01N23/2251
Abstract: 本发明提供带电粒子束装置、载台驱动范围限制方法和记录介质,抑制载置有试样的试样保持器与试样室的内部构造物之间的干涉。具有:载台,支承载置有试样的试样保持器;载台驱动机构,驱动载台;试样室,收容载台;聚焦离子束镜筒,对试样照射聚焦离子束;电子束镜筒,对试样照射电子束;检测器,检测由于照射聚焦离子束或电子束而从试样产生的二次离子或二次电子;读取部,读取试样保持器上附带的识别信息;存储部,存储表示识别信息与试样保持器的形状的对应关系的保持器形状信息、以及试样室的内部构造物的形状信息即设计信息;载台驱动范围限制部,根据试样保持器的形状和内部构造物的形状,限制支承试样保持器的载台的驱动范围。
-
公开(公告)号:CN112748559B
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202011184461.0
申请日:2020-10-29
Applicant: 卡尔蔡司显微镜有限责任公司
Inventor: J.博尔
IPC: G02B21/00 , G02B21/36 , H01J37/28 , H01J37/302 , G06T5/20
Abstract: 本发明涉及展示至少一个数字显微图像的方法。在该方法的一个步骤中记录样品的第一显微图像,第一显微图像由图像点的矩阵形成并且被逐行记录。逐个获得这些图像点。在记录第一显微图像的同时从第一显微图像确定图像金字塔。图像金字塔由具有逐渐降低的分辨率的至少两个图像层级形成。待记录的第一显微图像形成这些图像层级中的第一图像层级。分别通过如下方式确定这些图像层级中的第二图像层级的图像点:将第一滤波器应用于第一图像层级的最新获得的图像点中的多个图像点并且应用于第一图像层级的与这些图像点相邻的多个图像点。根据用户的选择来显示至少部分确定这些图像层级之一的至少一个局部。另外,本发明涉及显微镜和计算机程序产品。
-
公开(公告)号:CN116525393A
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN202310094493.9
申请日:2023-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 玉川裕介
IPC: H01J37/302 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供能够削减工艺的运行成本的蚀刻控制方法和蚀刻控制系统。蚀刻控制方法包括步骤a、步骤b和步骤c。在步骤a中,收集形状数据,形状数据包含在环组件的表面的多个位置测量出的环组件的高度的信息,环组件以包围用于载置基片的载置台上的区域的方式配置。在步骤b中,使用表示预先收集到的形状数据与控制量之间的关系的关系模型,根据步骤a中收集到的形状数据来确定控制量,其中,控制量能够控制环组件的附近的鞘分布,以使得通过等离子体蚀刻而形成于基片的凹部的倾斜的角度成为容许范围内的角度。在步骤c中,通过应用确定出的控制量来控制环组件的附近的鞘分布。
-
公开(公告)号:CN110931337B
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN201910880521.3
申请日:2019-09-18
Applicant: 纽富来科技股份有限公司
IPC: H01J37/302 , H01J37/06
Abstract: 实施方式的半导体装置具备:第一基板,具有多个第一贯通孔;多个第一电极,在第一基板上分别与多个第一贯通孔邻接地设置;多个第二电极,在第一基板上分别与第一贯通孔邻接且分别与第一电极对置地设置;以及第二基板,与第一基板对置地设置,具有分别与多个第一贯通孔对置的多个第二贯通孔,至少在与第一基板对置的对置面上具有导电性,且与第二电极电连接。
-
公开(公告)号:CN110461506B
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN201880018966.4
申请日:2018-01-16
Applicant: 信实RG有限公司
Inventor: 伊恩·莱德勒 , 菲尔·霍伊尔 , 安得烈·麦克莱兰 , 威廉·托马斯·理查森
IPC: B22F3/105 , G05B19/4097 , G06T17/00 , H01J37/317 , B33Y50/02 , G05B19/4099 , H01J37/302
Abstract: 提供了一种生成扫描指令的计算机实现的方法,所述扫描指令用于使用添加剂层制造装置而将使形成产品作为一系列层来形成。该方法包括确定将在形成产品时使用的束加速电压;针对产品的层的每个阴影区域,确定将在形成阴影区域时使用的相应束电流,并将相应的束电流值提供给扫描图案指令文件中的阴影区域描述;并且针对每个阴影区域的每个行,确定将在沿着行扫描束时使用的相应束斑大小,并且将相应的束斑大小值提供给扫描图案指令文件中的行描述,并确定将在沿着行扫描束时使用的相应的一系列束步长大小和电子束步长驻留时间,并且将相应的一系列束位置值和束步长驻留时间提供给扫描图案指令文件中的行描述,从而定义如何沿着行扫描电子束。还提供了扫描指令的文件、添加剂层制造装置、和使用添加剂层制造装置形成产品的方法。
-
公开(公告)号:CN114514593A
公开(公告)日:2022-05-17
申请号:CN202080070072.7
申请日:2020-09-15
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/302 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开一种用于容纳固态掺杂材料的标靶座的离子源。离子源包括靠近标靶座设置以监测固态掺杂材料的温度的热电偶。在某些实施例中,控制器使用此温度信息来变更离子源的一个或多个参数,例如电弧电压、阴极偏置电压、所提取射束电流或标靶座在电弧室内的位置。示出对控制器与热电偶之间的连接加以示出的各种实施例。此外,也呈现对热电偶在标靶座上的各种放置加以示出的实施例。
-
公开(公告)号:CN110797247B
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN201911062928.1
申请日:2019-10-31
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01J37/30 , H01J37/302 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种离子注入方法,包括步骤:步骤一、将晶圆放置在可旋转的基座上;步骤二、采用点状离子束流对晶圆进行离子注入,包括分步骤:步骤21、点状离子束流经过扫描装置扫描后形成扫描离子束流;步骤22、对晶圆进行旋转,采用扫描离子束流对旋转的晶圆进行离子注入从而在晶圆上形成多个径向分布的环形离子注入区或扇形离子注入区。本发明能实现对离子注入分布进行精确控制以及提高离子注入的均匀性。
-
公开(公告)号:CN113658842A
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN202110901135.5
申请日:2018-05-29
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/304 , H01J37/302 , H01J37/147
Abstract: 本发明涉及离子注入装置以及离子束被照射体,应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。本发明的离子注入装置(100)具备:离子源,构成为生成包含第1非放射性核种的离子的离子束;射束线,构成为支承由包含与第1非放射性核种不同的第2非放射性核种的固体材料形成的离子束被照射体(70);及控制装置(50),构成为运算通过第1非放射性核种与第2非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量与放射性核种的推断生成量中的至少一个。
-
公开(公告)号:CN109786194B
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201811563816.X
申请日:2018-12-20
Applicant: 丰豹智能科技(上海)有限公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/302
Abstract: 本发明公开了一种改变离子束方向的装置及方法,包括离子源,用于发射离子束;金属整体,用于调整所述离子束的反射方向,使所述离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的夹角为第一夹角θ,0°≤第一夹角θ<90°。本发明极大程度上提高了产品性能,使用率得到极大的延长,减少成本,符合现代化工业需求,在金属整体表面均匀设置球孔,增加了表面积,提高对此工艺产生的副产品的吸附并且可以有效的散热,更适合长时间工作。
-
公开(公告)号:CN111192808A
公开(公告)日:2020-05-22
申请号:CN201811357792.2
申请日:2018-11-15
Applicant: 北京中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/302 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种固态源自动引束的方法,首先在启动固态源时选定相应种类的固态源,按照固态源种类不同坩埚电源的温度初始值(2)也不同,坩埚电源的温度初始值(2)设定后,同时送入氩气1.0sccm(3)充当载体,当坩埚的温度反馈值与它的设定值在允许的误差内(5),氩气以0.2sccm/s速度下降(6),直至氩气关闭,此时坩埚内的固态源已经产生一定量的气体,并且逐渐增多,坩埚电源温度继续调节(4),setup检测的束流值在不断增加,当setup检测束流值与目标值比较(7)相差较大时,坩埚电源温度继续调节(4),当setup检测束流值与目标值比较在误差内(7)时,停止坩埚电源温度调节(4),即可结束(8)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-