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公开(公告)号:CN111722157B
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202010092234.9
申请日:2020-02-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁场检测装置具备:磁检测元件,具有沿着第一方向的灵敏度轴;调制部,可以对磁检测元件施加自旋转矩,自旋转矩具有在包括第一方向和与第一方向正交的第二方向的面内作用的旋转力且以第一频率振动;以及解调部,对来自磁检测元件的第一频率的输出信号进行解调,并且根据输出信号的振幅检测磁检测元件受到的被测定磁场的强度。
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公开(公告)号:CN113447866A
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN202110324244.5
申请日:2021-03-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及其制造方法。该磁传感器包括MR元件和支承部件。支承部件的上表面包含倾斜部。MR元件包含MR元件主体、下部电极和上部电极。下部电极具有离倾斜部的下端部最近的第一端部和离倾斜部的上端部最近的第二端部。MR元件主体配置在与第一端部相比离第二端部更近的位置。
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公开(公告)号:CN108627782B
公开(公告)日:2020-12-11
申请号:CN201810166434.7
申请日:2018-02-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁传感器,具备磁场转换部和磁场检测部。磁场转换部接受包含与Z方向平行的方向的输入磁场成分的输入磁场,产生包含与X方向平行的方向的输出磁场成分的输出磁场。磁场检测部接受输出磁场,生成与输入磁场成分对应的输出信号。磁场检测部包含第一磁检测元件和第二磁检测元件。当产生磁场转换部与磁场检测部的错位时,第一磁检测元件接受的输出磁场成分的部分的强度和第二磁检测元件接受的输出磁场成分的部分的强度的一方增加且另一方减少。
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公开(公告)号:CN111722157A
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN202010092234.9
申请日:2020-02-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁场检测装置具备:磁检测元件,具有沿着第一方向的灵敏度轴;调制部,可以对磁检测元件施加自旋转矩,自旋转矩具有在包括第一方向和与第一方向正交的第二方向的面内作用的旋转力且以第一频率振动;以及解调部,对来自磁检测元件的第一频率的输出信号进行解调,并且根据输出信号的振幅检测磁检测元件受到的被测定磁场的强度。
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公开(公告)号:CN108695432A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810223951.3
申请日:2018-03-19
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08
CPC classification number: G01R33/093 , G01R33/072 , H01L43/04 , H01L43/065 , H01L43/08
Abstract: 本发明的磁阻效应元件具备:磁化自由层,沿着第一面延伸;介入层,沿着第一面延伸,并且层叠在磁化自由层上;以及磁化固定层,沿着第一面延伸,并且隔着介入层设置在磁化自由层的相反侧。磁化自由层包括对第一面的最大倾斜角度小于等于42°的端面。
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